公开(公告)号：CN118318208A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202280078453.9

申请日：2022-10-07

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 窪寺俊 ,  西田登喜雄 ,  孙军 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  C08F20/28 ,  C08G59/02 ,  C07D251/34

Abstract: 提供一种组合物，是可以形成对碱性过氧化氢水、酸性过氧化氢水等半导体用湿蚀刻液的耐性优异的保护膜的保护膜形成用的组合物，其对抗蚀剂溶剂也显示优异的耐性，也可以作为抗蚀剂下层膜形成用的组合物有效地使用。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含(A)下述式(A)所示的化合物、和(B)溶剂。(在式(A)中，n表示1～10的整数，在n为2的情况下，X表示亚磺酰基、磺酰基、醚基、或碳原子数2～50的2价有机基，在n为除2以外的整数的情况下，X表示碳原子数2～50的n价有机基。Y表示‑CH2CH(OH)CH2OC(＝O)CH2(CH2)t‑、‑CH2CH(OH)CH2OC(＝O)C(CN)(＝CH)‑，t表示1～6的整数。)#imgabs0#

公开(公告)号：CN113227281B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN201980085619.8

申请日：2019-10-25

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  后藤裕一 ,  窪寺俊 ,  武田谕 ,  石桥谦 ,  中岛诚

IPC: C09D183/08 ,  C07F7/18 ,  C08G77/26 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供适合作为能够形成不仅具有良好的EUV抗蚀剂密合性，而且由于氟系蚀刻速率也高因此也具有良好的蚀刻加工性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其包含例如式(E1)所示的聚合物、和溶剂。

公开(公告)号：CN113227281A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980085619.8

申请日：2019-10-25

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  后藤裕一 ,  窪寺俊 ,  武田谕 ,  石桥谦 ,  中岛诚

IPC: C09D183/08 ,  C07F7/18 ,  C08G77/26 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供适合作为能够形成不仅具有良好的EUV抗蚀剂密合性，而且由于氟系蚀刻速率也高因此也具有良好的蚀刻加工性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其包含例如式(E1)所示的聚合物、和溶剂。

公开(公告)号：CN111801158A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201880090138.1

申请日：2018-12-25

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 谷口博昭 ,  窪寺俊 ,  孙军

IPC: B01J20/22 ,  B01D15/00 ,  B01J20/28 ,  C02F1/28 ,  C02F1/42 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明的课题是将多价金属、多价金属离子、其带电性金属氧化物胶体粒子不是通过1种螯合树脂而是通过组合了特定螯合树脂的金属吸附剂从溶解或分散了待纯化材料的组合物中除去，获得被高纯度化了的纯化材料组合物。解决手段是一种金属吸附剂，是用于除去包含螯合剂(A)和螯合剂(B)的溶液中的金属杂质的金属吸附剂，螯合剂(A)为包含具有葡萄糖胺型官能团的载体的金属吸附剂，螯合剂(B)为包含具有巯基、硫脲基、氨基、衍生自三氮杂二环癸烯的基团、硫脲基、咪唑基、磺酸基、羟基、氨基乙酸基、酰胺肟基、氨基磷酸基、或它们的组合的载体的金属吸附剂。螯合剂(A)和螯合剂(B)的载体为二氧化硅、含有二氧化硅成分的物质、聚苯乙烯或交联化多孔质聚苯乙烯，上述溶液为含有水或有机溶剂的溶液。