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公开(公告)号：CN117043679A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280022136.5
申请日：2022-03-18
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、和使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其在包含杂环的聚合物的重复单元结构中或末端具有被保护基取代了的碱性的有机基，并进一步包含溶剂。上述聚合物可以含有包含碳原子数2～10的烯基的杂环。上述聚合物可以在主链具有下述式(3)所示的至少1种结构单元。(在式(3)中，A1、A2、A3、A4、A5和A6各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q1表示包含杂环的2价有机基，m1和m2各自独立地表示0或1。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN111108441B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201880061324.2
申请日：2018-09-19
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/14 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 含有具有下述式(1)所表示的结构单元的树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物提供了耐溶剂性、光学参数、干蚀刻速度、和埋入性这些特性都优异的抗蚀剂下层膜。式(1)中，R1表示可以夹着羧基的C1～6烷基、可以具有羟基取代基的C1～6烷基或可以具有C1～4烷硫基取代基的噻二唑基，R2表示氢原子或下述式(2)所示基团，式(2)中，R1的含义与上述相同，＊表示键合部分。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116249729A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202180067677.5
申请日：2021-09-30
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/14
Abstract: 本发明提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、以及使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。本发明为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含末端被化合物(A)封闭的聚合物及有机溶剂，所述聚合物为由下述式(11)(式(11)中，Y1表示单键、氧原子、硫原子、可以被卤素原子或碳原子数6～40的芳基取代的碳原子数1～10的亚烷基或者磺酰基，T1及T2表示碳原子数1～10的烷基，n1及n2各自独立地表示0～4的整数)表示的化合物(B)衍生的聚合物。
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公开(公告)号：CN115066654A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202180011243.3
申请日：2021-01-29
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , C08F20/28
Abstract: 提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、和使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含在末端含有下述式(1)(在式(1)中，X1表示‑O‑、‑S‑、酯键或酰胺键，R1表示可以被卤原子取代的碳原子数1～20的烷基。*表示与聚合物末端的结合部分。)所示的结构的聚合物、和有机溶剂。＊‑X1‑R1(1)。
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公开(公告)号：CN110546569A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880027076.X
申请日：2018-04-27
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供在曝光时作为防反射膜起作用，并且可以埋入狭窄空间和高长宽比的凹部，进一步相对于过氧化氢水溶液的耐性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含树脂、下述式(1a)或式(1b)所示的化合物、和溶剂，相对于上述树脂，含有0.01质量％～60质量％的上述式(1a)或式(1b)所示的化合物。(式中，X表示羰基或亚甲基，l和m各自独立地表示满足3≤l+m≤10的关系式的整数0～5，n表示整数2～5。)
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116157447B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202180060511.0
申请日：2021-07-28
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , G03F7/20 , C08G73/00
Abstract: 本发明提供能够形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物、以及使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含反应产物、及有机溶剂，所述反应产物是(A)具有2个环氧基的含乙内酰脲的化合物和(B)与(A)不同的含乙内酰脲的化合物的反应产物。优选上述反应产物是(B)含乙内酰脲的化合物所具有的仲氨基与(A)含乙内酰脲的化合物所具有的环氧基的反应产物。
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公开(公告)号：CN118355328A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202280078721.7
申请日：2022-12-08
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 一种抗蚀剂下层膜，是作为抗蚀剂下层膜形成用组合物的涂布膜的烧成物的、抗蚀剂下层膜，上述抗蚀剂下层膜形成用组合物含有聚合物，上述聚合物含有：具有多环芳香族烃结构的单元结构(A)、和来源于马来酰亚胺结构的单元结构(B)中的至少任一单元结构，上述抗蚀剂下层膜的膜厚小于10nm。
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公开(公告)号：CN115916861A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180051243.6
申请日：2021-08-20
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/18
Abstract: 本发明提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、以及使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式(1)表示的化合物、聚合物和有机溶剂。(式(1)中，Y1表示单键、氧原子、硫原子、可以被卤素原子或碳原子数6～40的芳基取代的碳原子数1～10的亚烷基或者磺酰基，T1及T2表示碳原子数1～10的烷基，R1及R2各自独立地表示被至少1个羟基取代的碳原子数1～10的烷基，n1及n2各自独立地表示0～4的整数)
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公开(公告)号：CN115053184A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202180013074.7
申请日：2021-02-05
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027 , C08F8/30
Abstract: 本发明提供用于形成能够形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、及使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。所述组合物为(甲基)丙烯酸类聚合物的侧链具有被保护基取代的碱性有机基团，而且还包含有机溶剂的EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中不包含上述(甲基)丙烯酸类聚合物以外的聚合物。上述有机基团为具有被保护基取代的氨基或被保护基取代的含氮杂环的酰氧基。
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