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公开(公告)号：CN109313389B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201780021847.X
申请日：2017-03-29
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08K5/3445 , C08L63/00 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 提供抗蚀剂下层膜形成组合物以及使用该组合物的抗蚀剂下层膜和半导体装置的制造方法，在半导体装置制造的光刻工艺中，利用具有甘脲骨架的化合物添加剂增强防止形成在基板上的抗蚀剂图案的图案倒塌的功能。使用下面的式(1‑1)的抗蚀剂下层膜形成组合物用添加剂： (式(1‑1)中，R1～R4各自是由选自由有机基团组成的组中的至少一个基团取代氢原子后的C2～10烷基或C2～10烯基，所述有机基团包含羟基、硫醇基、羧基、C1～5烷氧基乙基、C1～5烷基磺酰基和酯键，能够全部相同也能够不同，R5和R6各自表示选自氢原子、C1～10烷基和苯基中的基团)。
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公开(公告)号：CN109952631B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201780056169.0
申请日：2017-09-15
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/306 , C08G59/62 , C08G65/28 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。解决手段是一种针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，其包含：下述式(1a)所示的化合物、式(1b)所示的化合物、具有下述式(2)所示的取代基的分子量为300以上且小于800的化合物、或具有下述式(2)所示的取代基的重均分子量为300以上且小于800的化合物；以及溶剂，相对于除去该溶剂后的固体成分，含有上述式(1a)或式(1b)所示的化合物0.1质量％～60质量％，或含有具有上述式(2)所示的取代基的化合物10质量％～100质量％。(式中，R1表示碳原子数1～4的亚烷基或亚烯基、或直接结合，k表示0或1，m表示1～3的整数，n表示2～4的整数。)
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公开(公告)号：CN109073977B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201780025998.2
申请日：2017-04-11
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供常温下的保存稳定性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：含氮化合物、聚合物、促进交联反应的化合物和有机溶剂，1分子所述含氮化合物中具有2～6个与氮原子键合的下述式(1)所示的取代基。1分子中具有2～6个所述式(1)所示的取代基的含氮化合物为例如下述式(1A)所示的甘脲衍生物。(式中，R1各自独立地表示甲基或乙基，R2和R3各自独立地表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、或苯基。)
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公开(公告)号：CN111886658A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201980021007.2
申请日：2019-03-19
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 下述导电性碳材料分散液适于在锂离子二次电池等储能器件的电极集电体上所形成的底涂层的制作，该导电性碳材料分散液包含导电性碳材料、阳离子性分散剂和溶剂，不含阴离子性化合物，阳离子性分散剂例如为双氰胺/二亚乙基三胺缩合物、聚乙撑亚胺等不具有阴离子性官能团的阳离子性聚合物。
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公开(公告)号：CN109073977A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780025998.2
申请日：2017-04-11
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供常温下的保存稳定性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：含氮化合物、聚合物、促进交联反应的化合物和有机溶剂，1分子所述含氮化合物中具有2～6个与氮原子键合的下述式(1)所示的取代基。1分子中具有2～6个所述式(1)所示的取代基的含氮化合物为例如下述式(1A)所示的甘脲衍生物。(式中，R1各自独立地表示甲基或乙基，R2和R3各自独立地表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、或苯基。)
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