公开(公告)号：CN110619972A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201910526304.4

申请日：2019-06-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 松本圭祐 ,  河野文彦 ,  竹下翔也 ,  安藤豪彦

IPC: H01B5/14 ,  G02B5/30 ,  G09F9/00

Abstract: 本发明涉及带有基底层的薄膜、透明导电性薄膜、透明导电性薄膜层叠体及图像显示装置。所述带有基底层的薄膜具备透明基材、以及在透明基材的厚度方向一侧配置的基底层。所述带有基底层的薄膜的波长590nm下的面内相位差为10.0nm以下。基底层在厚度方向一侧200nm深度下其塑性变形量为50nm以下。

公开(公告)号：CN109671518A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201811082862.8

申请日：2018-09-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 松本圭祐 ,  竹下翔也 ,  河野文彦 ,  酒井和也 ,  安藤豪彦

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明涉及无机物层层叠体的制造方法，该无机物层层叠体的制造方法具备：在具备基材薄膜的薄膜体的厚度方向一侧配置第1支撑薄膜的工序、在真空下在薄膜体的厚度方向另一侧形成无机物层的工序、将第1支撑薄膜去除的工序、在薄膜体的厚度方向一侧配置第2支撑薄膜的工序、及对无机物层进行加热的工序。

公开(公告)号：CN114040842B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202080046631.0

申请日：2020-06-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 竹下翔也 ,  安藤豪彦

IPC: B32B9/00 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  B32B7/025

Abstract: 结晶化铟锡复合氧化物膜1具有35nm以上的厚度。结晶化铟锡复合氧化物膜1含有平均粒径为110nm以上的晶粒。

公开(公告)号：CN119604410A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202380051272.1

申请日：2023-05-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 竹下翔也 ,  曾根大希 ,  竹安智宏

IPC: B32B9/00 ,  B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  H01B5/14 ,  H05K1/03

Abstract: 导电性膜(1)具备：有机树脂基材(2)；无机层(3)，配置于有机树脂基材(2)的厚度方向一方侧；以及铜层(4)，直接配置于无机层(3)的厚度方向一方的面。根据规定的关系式计算出的Y小于23.200。

公开(公告)号：CN119101330A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202410689100.3

申请日：2024-05-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 竹下翔也 ,  竹安智宏

IPC: C08L67/02 ,  C08J7/044 ,  C09D175/14 ,  C09D133/00 ,  C09D7/61 ,  C23C14/20 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明涉及带导电层的膜。本发明的带导电层的膜(F)具备基材膜(10)、AB层(11)以及导电层(12)。AB层(11)在厚度方向(H)上相对于基材膜(10)配置于与导电层(12)相反一侧，和/或，AB层(11)在厚度方向(H)上配置于基材膜(10)与导电层(12)之间。AB层(11)含有粒子。AB层(11)的厚度方向(H)的剖面中的、粒子的面积比例X为3％以上。AB层(11)的厚度方向(H)的剖面中的、粒子的面积比例X(％)和粒子间的距离的变异系数Y满足下述的数式(1)。Y≤－0.029X+0.995(1)。

公开(公告)号：CN117944346A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311399558.7

申请日：2023-10-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 碓井圭太 ,  梶原大辅 ,  竹下翔也

IPC: B32B27/32 ,  B32B27/06 ,  B32B33/00 ,  B32B7/12 ,  G02B5/00 ,  G09F9/30 ,  C09J133/08 ,  C09D133/08 ,  B29C65/48 ,  G06F3/041 ,  B29L7/00 ,  B29L9/00

Abstract: 本发明涉及层叠体、透明导电性薄膜及透明导电性薄膜的制造方法。层叠体(1)朝向厚度方向一侧依次具备：保护薄膜(2)、粘合层(3)和基材(4)。透明基材(6)的厚度为50μm以下。粘合层(3)及基材(4)的界面处的气泡的个数为50个/mm2以下。

公开(公告)号：CN111171354A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201911004615.0

申请日：2019-10-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 竹下翔也 ,  安藤豪彦

IPC: C08J7/04 ,  C09D175/14 ,  C09D133/08 ,  H01B5/14 ,  C08L45/00

Abstract: 本发明提供具备能够抑制渗出的紫外线吸收树脂层的层叠薄膜。透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、配置于透明基材(2)的厚度方向一侧并含有树脂及下述通式(1)所示的化合物的紫外线吸收树脂层(3)、和配置于紫外线吸收树脂层(3)的厚度方向一个面的覆盖层(4)。

公开(公告)号：CN109559842A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811125171.1

申请日：2018-09-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 竹下翔也 ,  松本圭祐 ,  安藤豪彦

IPC: H01B5/14 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明提供一种结晶化薄膜，该结晶化薄膜具备透明薄膜基材及结晶化铟锡复合氧化物层。结晶化薄膜为通过将具备透明薄膜基材及非晶质铟锡复合氧化物层的非晶质薄膜在特定温度下结晶化而得到的特定温度结晶化薄膜。特定温度结晶化薄膜中的结晶化铟锡复合氧化物层的残余应力σ1与通过将非晶质薄膜在110℃下结晶化而得到的110℃结晶化薄膜中的结晶化铟锡复合氧化物层的残余应力σ2之差为150MPa以下。