加热接合用片及带有切割带的加热接合用片

    公开(公告)号:CN109819657B

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN201780058040.3

    申请日:2017-07-19

    Abstract: 提供可抑制组成变化、稳定得到具有期望的特性的烧结层的加热接合片、及具有该加热接合用片的带有切割带的加热接合用片。加热接合用片具有通过加热而成为烧结层的前体层,将前述加热接合用片在温度23±2℃、湿度50±20%的气氛中暴露前在氮气气氛中、以升温速度10℃/分钟从23℃至400℃利用差动型差热天平进行分析时的重量减少率ΔW0(%)与、将前述加热接合用片在温度23±2℃、湿度50±20%的气氛中暴露24小时后在氮气气氛中、以升温速度10℃/分钟从23℃至400℃利用差动型差热天平进行分析时的重量减少率ΔW24(%)满足下述式(3)的关系。‑1%≤ΔW0‑ΔW24≤0.5%(3)。

    双面粘合片和图像显示装置
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112785930A

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN202011238198.9

    申请日:2020-11-09

    Abstract: 本发明涉及双面粘合片和图像显示装置。图像显示装置(100)具有:面板阵列(1),所述面板阵列(1)通过将多个显示面板(11、12、13)在同一面内并排配置而得到;正面透明板(5),所述正面透明板(5)配置在面板阵列的可视侧表面上;和粘合片(2),所述粘合片(2)设置在面板阵列与正面透明板之间。粘合片具有透光区域和可见光透射率相对较小的遮光区域(56、57),并且粘合片的遮光区域配置在面板阵列中的相邻的显示面板之间的边界上。

    接合体的制造方法
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108883490B

    公开(公告)日:2021-04-27

    申请号:CN201680083615.2

    申请日:2016-12-13

    Abstract: 一种接合体的制造方法,其具有:工序A,准备将两个被接合物借助具有烧结前层的加热接合用片(40)暂时粘接而成的层叠体(10);工序B,将层叠体从下述定义的第1温度以下升温至第2温度;和工序C,在工序B之后,将层叠体的温度保持在规定范围内;在工序B的至少一部分期间及工序C的至少一部分期间,对层叠体进行加压。第1温度为在进行烧结前层的热重量测定时上述烧结前层中所含的有机成分减少10重量%时的温度。

    加热接合用片和带有加热接合用片的切割带

    公开(公告)号:CN110476233A

    公开(公告)日:2019-11-19

    申请号:CN201880022505.4

    申请日:2018-01-30

    Abstract: 本发明提供一种适合于抑制接合对象物的位置偏移且实现烧结接合的加热接合用片和带有这种加热接合用片的切割带。本发明的加热接合用片(10)具备粘合层(11),所述粘合层(11)包含含有导电性金属的烧结性颗粒,所述粘合层(11)相对于在70℃、0.5MPa且1秒的压接条件下以5mm见方的尺寸压接有粘合层(11)的银平面的、70℃下的剪切粘接力为0.1MPa以上。本发明的带有加热接合用片的切割带具备:具有层叠结构的切割带,所述层叠结构包含基材和粘合剂层;和,位于该粘合剂层上的加热接合用片(10)。

    加热接合用片及带有切割带的加热接合用片

    公开(公告)号:CN109462991A

    公开(公告)日:2019-03-12

    申请号:CN201780038817.X

    申请日:2017-05-23

    Abstract: 提供抑制由有机成分导致的烧结性金属颗粒的烧结阻碍从而能够对功率半导体装置赋予充分的接合可靠性的加热接合片、及具有该加热接合用片的带有切割带的加热接合用片。一种加热接合用片,其具有通过加热而成为烧结层的前体层,前述前体层包含烧结性金属颗粒和有机成分,前述前体层具有相分离结构,该相分离结构为海岛结构或共连续结构,在前述前体层的至少一个表面的SEM表面观察图像中,关于前述相分离结构的各相所占的区域的最大内切圆的直径中的最大值为1μm以上且50μm以下。

    半导体装置的制造方法
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108352437A

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201680067695.2

    申请日:2016-10-04

    CPC classification number: H01L35/08 H01L35/34

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法,其在将半导体元件以利用两片绝缘基板夹住的方式进行固定时,能够防止半导体元件发生位置偏移、倾斜。一种半导体装置的制造方法,其包括下述工序:工序A,得到在形成于第一绝缘基板的第一电极上借助第一烧结前层预粘接有半导体元件的层叠体;工序B,在工序A之后,借助在第一烧结前层的相反侧设置的第二烧结前层而将半导体元件预粘接在形成于第二绝缘基板的第二电极上,从而得到半导体装置前体;以及工序C,在工序B之后,将第一烧结前层和第二烧结前层同时加热,从而将半导体元件接合于第一电极和第二电极。

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