公开(公告)号：CN114136994A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111443343.1

申请日：2021-11-30

Applicant: 无锡学院

Inventor： 苏琳琳 ,  杨成东 ,  马文烨 ,  张见

IPC: G01N21/95 ,  G01N21/01 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种SiC雪崩光电二极管的无损缺陷检测方法及装置，利用位错的发光规律，通过SiC雪崩光电二极管在雪崩击穿下的发光图像，辨别SiC雪崩光电二极管有源区内是否存在位错缺陷，进行高质量SiC雪崩光电二极管筛选，是一种成本低、操作简单的无损检测方法。本发明与其他位错检测方法相比，所用设备(探针台、源表、COMS相机)均为微电子器件研究的常用设备，系统搭建简单、成本低、操作简单。

公开(公告)号：CN217482426U

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202220034450.2

申请日：2022-01-07

Applicant: 无锡学院

Inventor： 王中杰 ,  赵东 ,  唐汉 ,  张蕾 ,  吴家昱 ,  程鲲 ,  田晋一 ,  江浩 ,  许栋炜 ,  余耀 ,  张见 ,  杨成东

IPC: F16M11/22 ,  F16M11/04

Abstract: 本实用新型公开了一种用于模拟道路的可升降三维相机支架，包括底板，底板上固定有若干可升降高度的伸缩机构，伸缩机构的顶端固定有相机固定板，相机固定板的底部滑动连接有用于放置相机的相机固定框；其中相机固定板中间设有相机固定壳滑板连接板相机固定框顶端固定有相机固定壳滑板，相机固定壳滑板连接板的底部开设有用于嵌入相机固定壳滑板的凹槽。本实用新型可通过调节嵌设件的伸入与伸出改变支架上下高度和相机固定壳滑板左右滑动，实现不同视场的拍摄获取精确的图像数据信息，并且操作方便、快捷。

公开(公告)号：CN218101277U

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202221351325.0

申请日：2022-05-31

Applicant: 无锡学院

Inventor： 苏琳琳 ,  郁智豪 ,  杨成东 ,  夏开鹏 ,  马文烨 ,  高晏琦 ,  张见

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/105 ,  H01L31/107

Abstract: 本实用新型公开一种半透明电极紫外单光子探测器，包括上电极、下电极、外延层和n+型SiC衬底，其中，所述上电极的厚度在2‑15nm之间，所述n+型SiC衬底的正面制备有所述外延层，所述外延层的正面设置有所述上电极，所述n+型SiC衬底的背面制备有所述下电极。本实用新型的方案与现有SiC紫外单光子探测器件相比，在不增加器件制备工艺难度的前提下，采取改良电极的方式，将上电极的厚度减小至2‑15nm，相较于传统电极厚度，半透明电极紫外单光子探测器中材料对入射光的吸收更高，能够提高器件量子效率。

公开(公告)号：CN217719654U

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202221449941.X

申请日：2022-06-10

Applicant: 无锡学院

Inventor： 杨成东 ,  夏开鹏 ,  苏琳琳 ,  张见

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44

Abstract: 本实用新型公开了一种基于厚二氧化硅层的光学忆阻器件，包括硅基板，所述硅基板上表面接合有二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层上表面接合有有机半导体层，所述有机半导体层上表面设有金属电极。本实用新型提供一种基于厚二氧化硅层的光学忆阻器件，利用硅‑氧极性键在极性粒子作用下的变形甚至断裂行为来模拟短时和长时行为，并且这种行为特征表现出明显的厚度依赖性，利用这一特性，将横向的肖特基二极管器件的二氧化硅厚度增加，能够获得性能好的忆阻器件。

公开(公告)号：CN217562581U

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202221364204.X

申请日：2022-05-31

Applicant: 无锡学院

Inventor： 苏琳琳 ,  马文烨 ,  夏开鹏 ,  杨成东 ,  高晏琦 ,  张见

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/105 ,  H01L31/107

Abstract: 一种栅型电极结构SiC雪崩光电二极管，包括n+型SiC衬底、底部n型欧姆接触电极、外延层、上层p型欧姆接触电极和电极，其中：n+型SiC衬底的正面设置外延层，外延层的正面设置上层p型欧姆接触电极，n+型SiC衬底的底面设置底部n型欧姆接触电极；外延层为p+/p/i/n+结构；上层p型欧姆接触电极为栅型结构的电极，上层p型欧姆接触电极由根电极和枝电极组成，其中，枝电极由多个条形电极组成，枝电极的多个条形电极垂直于SiC材料方向，根电极为一个条形电极，将枝电极的多个条形电极连接在一起；上层p型欧姆接触电极与电极连接。本实用新型将上层p型欧姆接触电极优化为栅极结构，提高电场分布均匀性，增加光生载流子的雪崩几率，优化器件探测能力。

公开(公告)号：CN217471629U

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202220049935.9

申请日：2022-01-10

Applicant: 无锡学院

Inventor： 田晋一 ,  赵东 ,  尹晨旭 ,  贺贺 ,  曾奕晨 ,  刘雨鑫 ,  朱叙光 ,  曹佳露 ,  江浩 ,  杨成东 ,  苏琳琳 ,  王青

IPC: A47F5/12 ,  G01G19/52 ,  G01G21/23

Abstract: 本实用新型公开了一种基于MEMS相机的可调节测量展台，包括用于放置待测物体的圆盘电子秤，用于将待测物体固定在圆盘电子秤上的绳，固定在圆盘电子秤底面的若干支撑脚；圆盘电子秤的底面固定有若干碗状连接体，支撑脚的远离地面的一端固定有与碗状连接体匹配的球形连接体，球形连接体活动安装在碗状连接体上。本实用新型可调节不同弹力滑动杆的高度，使圆盘电子秤多角度倾斜，以达到多角度展示不规则物体的目的，除展示不同视场外，该测量展台还可测量不规则物体的物理参数；本实用新型能够便捷、高效的多角度展示不规则物体且对不规则物体进行质量测量活动。

公开(公告)号：CN216928607U

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202220048224.X

申请日：2022-01-10

Applicant: 无锡学院

Inventor： 苏琳琳 ,  郁智豪 ,  杨成东

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本实用新型公开了一种雪崩光电二极管，包括SiC衬底及设置于SiC衬底上的外延结构，外延结构自上而下依次包括n+接触层、p+接触层、p型过渡层、i倍增层和n+型过渡层。n+接触层的正面设有正面欧姆接触电极，SiC衬底的背面设有背面欧姆接触电极。根据上述技术方案的雪崩光电二极管，通过在传统p+接触层的上面再设置一层n+接触层，从而将器件的上电极和下电极均变为n型欧姆接触，在不增加器件制备工艺难度的前提下，改善低导电率引起的耗尽区电场非均匀分布，优化器件的探测性能。

公开(公告)号：CN216719964U

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202220053816.0

申请日：2022-01-10

Applicant: 无锡学院

Inventor： 苏琳琳 ,  郁智豪 ,  杨成东

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本实用新型公开了一种紫外单光子探测器即雪崩光电二极管，包括SiC衬底及设置在SiC衬底上的外延结构。外延结构自上而下包括接触层、第一过渡层、i雪崩倍增层和第二过渡层，接触层及SiC衬底的表面均设有欧姆接触电极，i雪崩倍增层的厚度范围在1.5‑3μm。根据上述技术方案的紫外单光子探测器，通过增加i雪崩倍增层的厚度到1.5μm以上，增加光生载流子的加速和碰撞离化距离，改善光生载流子的雪崩倍增几率，提高器件的单光子探测性能。

公开(公告)号：CN217484915U

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202220070983.6

申请日：2022-01-12

Applicant: 无锡学院

Inventor： 虞洁 ,  赵东 ,  童天宇 ,  梁云琪 ,  戴佳慧 ,  江浩 ,  胡菲 ,  王乐 ,  魏雨晴 ,  余耀 ,  杨成东 ,  苏琳琳

IPC: G07C9/37 ,  G07C9/38 ,  E01F13/04 ,  G06V40/16 ,  G16H50/80

Abstract: 本实用新型公开了一种基于三维人脸识别的一体化闸机，包括闸机，与闸机连接的联网通讯装置，与联网通讯装置连接的服务器，闸机包括用于识别访客信息的闸机识别器和用于控制闸机开关的闸机控制器，闸机识别器连接有人脸识别器，人脸识别器包括与用于拍摄访客人脸的可调节高度的三维深度摄像头，用于测量访客体温的红外摄像头，用于识别访客二维码的读码器；与三维深度摄像头、红外摄像头和读码器电连的用于显示访客体温和人脸识别结果的人脸识别显示器；其中读码器和三维深度摄像头与联网通讯装置电连。本实用新型降低人力成本、提高访客进出管理效率，提高人脸识别仪的易用性和实用性。