公开(公告)号：CN103187279B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201110451716.X

申请日：2011-12-29

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  房世林 ,  罗泽煌 ,  陈正培 ,  章舒 ,  何延强

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/0922

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制作方法。本发明涉及半导体制造领域，解决了现有技术中LDMOS漂移区氧化层边缘硅容易裸露导致LDMOS器件击穿的问题。本发明实施例提供的方案为：一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括LDMOS区和CMOS区；在所述半导体衬底上形成牺牲氧化层；去除所述牺牲氧化层；在经过牺牲氧化处理的所述半导体衬底上形成掩蔽层；利用所述掩蔽层作为掩膜，形成所述LDMOS的漂移区，然后在所述漂移区上方形成漂移区氧化层；去除所述掩蔽层。本发明实施例适用于BCD工艺等。

公开(公告)号：CN102593040B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201210075340.1

申请日：2012-03-21

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  罗泽煌 ,  章舒 ,  许剑 ,  何延强 ,  何敏

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76202

Abstract: 本发明公开了一种LOCOS多层氧化层的集成制作方法，该方法在下层芯片结构上制作衬垫；在所述衬垫上定义第一种厚度氧化层区域，并在所述第一种厚度氧化层区域开口，进行第一次氧化生长；然后，定义第二种厚度氧化层区域，并开口，进行第二次氧化生长，从而形成不同厚度的氧化层；最后去除衬垫，进行湿法回刻以调整鸟嘴，完成多层氧化层的制作。该LOCOS多层氧化层的集成制作方法采用LOCOS工艺，通过对多层氧化层的工艺进行集成，可以优化多层氧化层厚度比例和湿法回刻，解决了多种厚度的氧化层同时存在时的鸟嘴问题，实现了更低的成本和更短的制作周期。

公开(公告)号：CN103187279A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201110451716.X

申请日：2011-12-29

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  房世林 ,  罗泽煌 ,  陈正培 ,  章舒 ,  何延强

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/0922

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制作方法。本发明涉及半导体制造领域，解决了现有技术中LDMOS漂移区氧化层边缘硅容易裸露导致LDMOS器件击穿的问题。本发明实施例提供的方案为：一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括LDMOS区和CMOS区；在所述半导体衬底上形成牺牲氧化层；去除所述牺牲氧化层；在经过牺牲氧化处理的所述半导体衬底上形成掩蔽层；利用所述掩蔽层作为掩膜，形成所述LDMOS的漂移区，然后在所述漂移区上方形成漂移区氧化层；去除所述掩蔽层。本发明实施例适用于BCD工艺等。

公开(公告)号：CN103943548A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201310025246.X

申请日：2013-01-23

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 许剑 ,  何敏 ,  章舒 ,  罗泽煌 ,  吴孝嘉

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66681 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32 ,  H01L21/76213 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/408 ,  H01L21/76202

Abstract: 本发明公开了一种分立式场氧结构的半导体器件的制造方法，包括：在晶圆表面生长缓冲氧化层；在缓冲氧化层上通过淀积形成氮化硅层；光刻定义出场区并蚀刻，去除场区上的氮化硅；对场区进行离子注入；生长场氧化层；剥除氮化硅层；对晶圆进行湿浸，去除缓冲氧化层和部分的场氧化层；重新在晶圆表面生长缓冲氧化层及在重新生长的缓冲氧化层上通过淀积形成氮化硅层；光刻定义出漂移区并蚀刻，去除所述漂移区上的氮化硅；对漂移区进行离子注入；生长漂移区氧化层。本发明在生长场氧化层完成后剥除氮化硅层，这时可以通过调整wet dip的量来优化场氧鸟嘴的长度，解决了场氧鸟嘴过长的问题。