公开(公告)号：CN104347396A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310311346.9

申请日：2013-07-23

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 王万礼 ,  邓小社 ,  王根毅 ,  黄璇

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66348

Abstract: 一种注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，提供N型衬底；在N型衬底上形成P型掺杂层；在P型掺杂层上形成硬质层；在P型掺杂层上刻蚀形成延伸至N型衬底的沟槽；在沟槽的底部形成N型掺杂层；去除硬质层；对P型掺杂层的P型杂质和N型掺杂层的N型杂质一起进行推阱，P型杂质扩散形成P型基区，N型杂质扩散形成N型缓冲层；在沟槽表面形成栅氧介质层；在形成有栅氧介质层的沟槽中沉积多晶硅层。上述注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法中对P型掺杂层和N型掺杂层一起进行推阱，形成P型基区和N型缓冲层，只需要进行一次推阱工艺，相比于传统的注入增强型的绝缘栅双极型晶体管的制造方式，生产周期较短。

公开(公告)号：CN104282555A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201310289822.1

申请日：2013-07-11

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 王万礼 ,  王根毅 ,  邓小社 ,  芮强

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66333

Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法，包括，提供第一导电类型的半导体衬底，该半导体衬底具有第一主面和第二主面；在所述半导体衬底的第一主面形成第一导电类型的离子注入层；在所述半导体衬底的第一主面外延形成第一导电类型的漂移区；将所述离子注入层形成场终止层；基于所述漂移区形成所述绝缘栅双极性晶体管的第一主面结构；自所述半导体衬底的第二主面开始减薄所述半导体衬底直到露出所述场终止层；在形成有所述场终止层的所述半导体衬底的第二主面继续形成所述绝缘栅双极性晶体管的剩余第二主面结构。本发明不需要专用设备，现有NPT生产设备就可以完成整个流程。

公开(公告)号：CN104425259A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310392737.8

申请日：2013-09-02

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 王万礼 ,  邓小社 ,  王根毅 ,  芮强

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/41716 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明提供一种反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，其通过激光扫描工艺对衬底的背面进行平坦化工艺形成P型和N型间隔结构，激光扫描工艺可以只对需要退火的背面结构进行工艺，从而解决反向导通绝缘栅双极型晶体管的正面结构限制背面退火温度不能太高的问题，改善反向导通绝缘栅双极型晶体管的背面结构中N型和P型杂质激活效率不高现象，提高反向导通绝缘栅双极型晶体管的性能。

公开(公告)号：CN104425254A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310390475.1

申请日：2013-08-30

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄璇 ,  王万礼 ,  王根毅

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381

Abstract: 本发明提供一种IGBT的制造方法，其包括：提供具有第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体晶片，在所述半导体晶片的第一表面上进行杂质注入以形成第一导电类型或第二导电类型的导电层；在所述导电层内间隔的形成延伸入所述导电层内的第二导电类型或第一导电类型的通道；在所述通道上形成氧化层；在所述氧化层上键合衬底半导体晶片;减薄所述半导体晶片，并将减薄后的半导体晶片作为漂移区；基于所述漂移区形成所述IGBT的正面结构；去除所述衬底半导体晶片；去除所述氧化层；在所述通道和导电层上形成背面金属电极。该方法对薄片流通能力没有特殊要求，更不需要双面曝光机设备，与现有的常规工艺兼容，工艺简单、效率高。

公开(公告)号：CN104425252A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310389831.8

申请日：2013-08-30

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄璇 ,  王万礼 ,  王根毅

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L29/0688

Abstract: 本发明公开了一种反向导通FS IGBT的制造方法，包括：提供第一掺杂类型的硅衬底；通过光刻和离子注入向硅衬底内注入第二掺杂类型的离子，在硅衬底的表面形成背面PN交隔结构；提供N型硅片，并在N型硅片表面制备出N+层，推阱后得到场截止层；将硅衬底和N型硅片键合在一起；采用IGBT正面工艺在所述漂移区内和漂移区上制备出IGBT正面结构；将完成了正面工艺的键合硅片的硅衬底减薄至背面PN交隔结构处；在背面PN交隔结构表面形成背面金属电极。本发明于正面工艺之前直接在衬底上制作背面PN交隔结构。FS层用N型硅片先注入（或扩散）再高温推阱方式制备，N型硅片与衬底硅片键合得到与常规流通圆片厚度相同的圆片，无需专用薄片流通设备，降低了成本。

公开(公告)号：CN104347397A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310312223.7

申请日：2013-07-23

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 王万礼 ,  邓小社 ,  王根毅 ,  黄璇

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324 ,  H01L29/063 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7397

Abstract: 一种注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，提供N型衬底；在N型衬底上形成P型掺杂层；在P型掺杂层上形成硬质层；在P型掺杂层上刻蚀形成延伸至N型衬底的沟槽；在沟槽的侧壁和底部形成N型掺杂层；去除硬质层；对P型掺杂层的P型杂质和N型掺杂层的N型杂质一起进行推阱，P型杂质扩散形成P型基区，N型杂质扩散形成N型缓冲层；在沟槽表面形成栅氧介质层；在形成有栅氧介质层的沟槽中沉积多晶硅层。上述注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法中对P型掺杂层和N型掺杂层一起进行推阱，形成P型基区和N型缓冲层，只需要进行一次推阱工艺，相比于传统的注入增强型的绝缘栅双极型晶体管的制造方式，生产周期较短。

公开(公告)号：CN104241123A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201310254804.X

申请日：2013-06-24

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄璇 ,  邓小社 ,  王根毅 ,  王万礼

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明公开一种非穿通型反向导通绝缘栅双极型晶体管的制造方法，包括如下步骤：提供N型衬底；在所述N型衬底上采用离子注入的方式形成P+发射区；在所述N型衬底上具有P+发射区的一面外延制备N型漂移区；在所述N型漂移区上制备所述绝缘栅双极型晶体管的正面结构；将所述N型衬底减薄至背面露出所述P+发射区；在所述N型衬底背面形成金属电极。上述方法采用注入与外延方式结合制备NPT RC IGBT，与常规的硅片工艺兼容，不需要较高的薄片流通工艺要求，也不需要专用的双面曝光机。

公开(公告)号：CN104425260A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310393633.9

申请日：2013-08-30

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 王万礼 ,  黄璇 ,  邓小社 ,  王根毅

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66325

Abstract: 本发明公开了一种反向导通FS IGBT的制造方法，包括：提供N型硅衬底；通过光刻和离子注入向衬底内注入P型离子，在衬底的表面形成背面PN交隔结构；在衬底形成有背面PN交隔结构的表面通过外延工艺制备出N型的场截止层；在场截止层上外延制备出N型的漂移区；采用IGBT正面工艺制备出IGBT正面结构；将衬底减薄至背面PN交隔结构处；在背面PN交隔结构背离场截止层的表面形成背面金属电极。本发明于正面工艺之前直接在衬底上采用常规光刻机和离子注入设备制作背面PN交隔结构。FS层和漂移区用外延方式制备，外延后圆片厚度与常规流通圆片相同，再进行常规的正面工艺，因此与现有的常规工艺兼容，无需专用薄片流通设备，降低了成本。

公开(公告)号：CN104425258A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310391300.2

申请日：2013-08-30

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄璇 ,  王万礼 ,  王根毅

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66333

Abstract: 本发明公开了一种反向导通FS IGBT的制造方法，包括：提供N型硅片，并在N型硅片表面制备出场截止层；各通过一次光刻和离子注入，在场截止层表面形成背面PN交隔结构；在背面PN交隔结构表面形成氧化层；提供衬底，并将衬底与N型硅片键合在一起；采用IGBT正面工艺制备出IGBT正面结构；将完成了正面工艺的键合硅片的衬底进行减薄至氧化层；湿法腐蚀去除氧化层；在背面PN交隔结构表面形成背面金属电极。本发明采用与常规工艺兼容的离子注入（或扩散）再高温推阱的方式制备IGBT的场截止层，再通过光刻注入制作出背面PN交隔结构，可采用常规光刻、离子注入设备作业。N型硅片与衬底键合得到与常规流通圆片厚度相同的圆片，无需专用薄片流通设备，降低了成本。

公开(公告)号：CN104347398A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310316790.X

申请日：2013-07-25

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄璇 ,  王万礼 ,  王根毅

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66325

Abstract: 本发明提供一种IGBT的制造方法，其包括：提供具有第一表面和第二表面的第一或第二导电类型的衬底；在所述衬底的第一表面间隔的形成延伸入所述衬底内的第二或第一导电类型的通道；在所述衬底的第一表面上外延制备第二导电类型的缓冲区，并在所述缓冲区的外表面上外延形成第二导电类型的漂移区；基于所述漂移区形成所述IGBT的正面结构；自所述衬底的第二表面开始减薄所述衬底直到露出所述通道，此时所述通道和减薄后的衬底间隔交错排布；在所述通道和减薄后的衬底上形成背面金属电极，该背面金属电极与所述通道和减薄后的衬底电性接触。该方法对薄片流通能力没有特殊要求，更不需要高能离子注入机和双面曝光机等设备，与现有的常规工艺兼容，工艺简单、效率高。