用于制造半导体发光元件的方法

    公开(公告)号:CN105122476B

    公开(公告)日:2018-01-23

    申请号:CN201480019270.5

    申请日:2014-03-05

    CPC classification number: H01L33/005 H01L33/16 H01L33/20 H01L33/22 H01L33/32

    Abstract: 提供了一种具有规则地排列并且具有一致大小的突出部的高可靠性的半导体发光元件、以及一种用于制造所述元件的方法。用于制造半导体发光元件的该方法包括:用于在半导体结构层的表面上形成具有沿着所述半导体结构层的晶轴等间隔地排列的多个开口的掩模层的步骤;用于对通过掩模层的开口暴露的半导体结构层的表面执行等离子体处理的步骤;用于去除掩模层的步骤;以及用于通过对半导体结构层的表面进行湿蚀刻来在半导体结构层的表面上形成突出部的步骤。

    半导体发光元件及闪光装置

    公开(公告)号:CN102810616B

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201210179895.0

    申请日:2012-06-01

    Abstract: 半导体发光元件及闪光装置。本发明提供了一种发光元件,其包括第一半导体层、导电类型与第一半导体层的导电类型不同的第二半导体层、设置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层,以及分别设置在第一半导体层的表面上和第二半导体层的表面上的第一电极和第二电极。第一电极包括彼此分开的多个电极片;并且各个电极片包括馈电盘和连接到馈电盘并且沿远离馈电盘的方向延伸的延伸部,并且电极片的延伸部的终端部与另一电极片的延伸部的终端部隔着间隙相对。

    半导体光学装置和半导体光学装置的制造方法

    公开(公告)号:CN104956499A

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201380070732.1

    申请日:2013-12-24

    Inventor: 斋藤龙舞

    Abstract: 半导体光学装置具有:芯片,其是半导体叠层的芯片,所述半导体叠层具有:具有第1面的第1导电型的第1半导体层、具有第2面的与第1导电型相反的第2导电型的第2半导体层、和夹在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的有源层,所述芯片的侧面包括:第1侧面,其与所述第2面连续,与第2面之间形成钝角,横截所述第2半导体层和所述有源层,并进入到所述第1半导体层;和与所述第1侧面连续的分割面;第1导电型侧电极,其形成在所述第1面上;以及第2导电型侧电极,其形成在所述第2面上,所述半导体叠层的面内尺寸是50μm以下。

    能够降低不均匀亮度分布的LED阵列

    公开(公告)号:CN102983146A

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201210320249.1

    申请日:2012-08-31

    CPC classification number: H01L27/153 H01L33/20 H01L33/385 H01L33/387

    Abstract: 本发明提供了能够降低不均匀亮度分布的LED阵列。用于LED阵列的发光元件包括:电极层;半导体发光层,其由p型半导体层、有源层和n型半导体层组成;第一布线层,其沿着所述半导体发光层的一个边形成并且与该边平行;以及多个第二布线层,其从所述第一布线层延伸到所述半导体发光层,并且电连接到所述半导体发光层的表面上的所述n型半导体层,其中,所述半导体发光层的平面形状包括两个短边,该两个短边包括相对于与上边和下边垂直的线倾斜的一部分,并且从所述上边与所述短边相交的顶点起的垂线与相邻发光元件的所述下边交叉。

    半导体发光元件及闪光装置

    公开(公告)号:CN102810616A

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:CN201210179895.0

    申请日:2012-06-01

    Abstract: 半导体发光元件及闪光装置。本发明提供了一种发光元件,其包括第一半导体层、导电类型与第一半导体层的导电类型不同的第二半导体层、设置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层,以及分别设置在第一半导体层的表面上和第二半导体层的表面上的第一电极和第二电极。第一电极包括彼此分开的多个电极片;并且各个电极片包括馈电盘和连接到馈电盘并且沿远离馈电盘的方向延伸的延伸部,并且电极片的延伸部的终端部与另一电极片的延伸部的终端部隔着间隙相对。

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