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公开(公告)号：CN110392331A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910319587.5
申请日：2019-04-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及压电声学MEMS换能器及其制造方法。一种在半导体材料的本体中形成的压电MEMS换能器，其具有中心轴线和周边区域，并且包括多个梁、膜和柱，多个梁横向于中心轴线，多个梁并且具有被耦合到本体的周边区域的第一端和面向中心轴线的第二端，膜横向于中心轴线并且被布置在多个梁下方，柱与中心轴线平行，并且与梁的第二端和膜是刚性的。MEMS换能器还包括被布置在多个梁上的多个压电感应元件。
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公开(公告)号：CN216624272U
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202122461726.3
申请日：2021-10-13
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 公开了电极结构、电极及电子器件。电极结构包括：第一焊盘，由导电材料制成；以及导电条，具有第一端，第一端物理地且电气地耦合到第一焊盘。其中第一焊盘包括第一环形元件，第一环形元件在内部限定第一贯通开口。并且其中导电条的第一端通过第一过渡区域被物理地且电气地耦合到第一环形元件，使得当导电条由于热效应而经受膨胀时，应力通过第一过渡区域从导电条传递至第一环形元件。本实用新型的技术改进了电极及电子器件的电绝缘性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN219603256U
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202223188759.6
申请日：2022-11-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 提供MEMS快门和包括MEMS快门的设备。MEMS快门包括：由主要孔径穿过的半导体材料的衬底，和形成固定到衬底的支撑结构的第一半导体层和第二半导体层；多个可变形结构；多个致动器；以及多个屏蔽结构，多个屏蔽结构中的每个屏蔽结构由第一半导体层与第二半导体层之间的至少一者的对应部分形成，屏蔽结构被布置为成角度地围绕底层主要孔径以便提供对主要孔径的屏蔽，每个屏蔽结构经由对应可变形结构进一步耦合到支撑结构。每个致动器可以被控制以便引起对应屏蔽结构在相应第一位置与相应第二位置之间的旋转，从而改变对主要孔径的屏蔽。屏蔽结构的第一和第二位置使得在MEMS快门的至少一种操作条件下相邻屏蔽结构对至少部分地彼此重叠。
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公开(公告)号：CN212519426U
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202020909596.8
申请日：2020-05-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及压电微机电声学换能器和电子设备。一种压电微机电声学换能器，该压电微机电声学换能器具有：半导体衬底，该半导体衬底具有框架部分和由框架部分内部限定的通腔；主动膜，该主动膜悬置在通腔上方，并且通过锚固结构在其外围部分锚固到衬底的框架部分，由主动膜的前表面承载的多个压电传感元件用以检测主动膜的机械应力；被动膜，该被动膜悬置在通腔上方，在主动膜的下方，介于通腔和主动膜的后表面之间；以及柱元件，该柱元件固定地耦合主动膜和被动膜，并且被居中地插入在两者之间。通气孔穿过整个主动膜、被动膜和柱元件，使通腔与主动膜的前表面形成流体连通。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN210120666U
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201920540359.6
申请日：2019-04-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及压电MEMS换能器和电子设备。一种在半导体材料的本体中形成的压电MEMS换能器，其具有中心轴线和周边区域，并且包括多个梁、膜和柱，多个梁横向于中心轴线，多个梁并且具有被耦合到本体的周边区域的第一端和面向中心轴线的第二端，膜横向于中心轴线并且被布置在多个梁下方，柱与中心轴线平行，并且与梁的第二端和膜是刚性的。MEMS换能器还包括被布置在多个梁上的多个压电感应元件。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN220976584U
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202223176757.5
申请日：2022-11-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B81B7/02
Abstract: 本公开的实施例涉及微机电遮蔽件与微机电装置。微机电遮蔽件包括：由孔径通过的半导体衬底；第一和第二半导体层，形成固定到衬底的支撑结构；多个可变形结构，每个可变形结构由第一和第二半导体层之间的至少一者的对应部分形成；多个致动器；多个屏蔽结构，每个屏蔽结构由第一和第二半导体层之间的至少一者的对应部分形成，屏蔽结构围绕下层孔径成角度布置，以提供对孔径的屏蔽，每个屏蔽结构还经由可变形结构耦合到支撑结构。每个致动器可以被控制为在第一和第二位置之间平移对应屏蔽结构，从而改变对孔径的屏蔽。利用本公开的实施例有利地减少屏蔽结构之间的重叠面积，从而减少下层主孔径的遮挡。
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公开(公告)号：CN220830536U
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202320756243.2
申请日：2023-04-07
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及电子器件以及电子系统。一种微机电电声换能器包括：微机电电声换能器，包括：包括半导体材料的支撑框架；中心轴线；半导体膜，沿周界耦接到支撑框架，膜具有关于中心轴线的对称性，膜包括：细长形状的贯通狭缝；以及条带，重叠并且延伸穿过贯通狭缝；在膜的外围部分上的压电致动器。利用本公开的实施例有利地提供舒适和实用的用于电声换能器的设备，而不牺牲音频再现的质量。
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公开(公告)号：CN217544608U
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202220214158.9
申请日：2022-01-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L23/498 , H01L25/065 , H01L23/31
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体装置。一种半导体装置，包括：支撑件，包括绝缘基板，绝缘基板具有：掩埋导电区域；第一裸片，固定到支撑件，第一裸片具有第一表面，第一表面具有电容耦合到掩埋导电区域的第一部分的第一裸片接触区域；第二裸片，固定至支撑件，第二裸片具有第一表面，第一表面具有第二裸片接触区域，第二裸片接触区域电容耦合至掩埋导电区域的第二部分；第一外部连接区域和第二外部连接区域，在第一方向上彼此间隔一定距离，掩埋导电区域位于第一外部连接区域和第二外部连接区域之间；绝缘材料。本公开的实施例有利地在分辨率、空间尺寸控制和对准方面具有优势。
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公开(公告)号：CN214431791U
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202022327175.7
申请日：2020-10-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及MEMS开关、电子装置以及电子香烟。一种MEMS开关，可由流体致动，包括：压电压力传感器；板，具有面和贯通孔，其中，压电压力传感器被固定到板的面，并且压电压力传感器包括：半导体材料的芯片，芯片具有覆盖贯通孔的贯通腔，并且贯通腔与贯通孔流体连接，以及敏感膜，在贯通腔之上延伸，并且敏感膜具有第一表面和第二表面；以及支撑壁，被配置为将板固定在分隔壁的开口中，分隔壁使第一空间和第二空间彼此相互分开，其中，敏感膜的第一表面面向第一空间，并且敏感膜的第二表面面向第二空间。根据本公开，提供了一种可由流体致动的MEMS开关。
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