公开(公告)号：CN207457474U

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201720778011.1

申请日：2017-06-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： G·拉吉 ,  G·兰格弗尔德 ,  G·加特瑞 ,  A·托齐奥 ,  D·帕希

IPC: G01R33/02 ,  G01R33/00

CPC classification number: G01R33/0206 ,  G01R33/0286 ,  G01R33/038

Abstract: 本公开涉及一种具有改进配置的MEMS三轴磁传感器设备和电子装置。例如，一种MEMS三轴磁传感器设备(51)设置有感应结构(2)，该感应结构具有：衬底(6)；外部框架(4)，该外部框架内部地限定窗口(5)并且弹性地耦合至第一锚定件(7)，该第一锚定件借助于第一弹性元件(8)相对于该衬底固定；可移动结构(10)，该可移动结构被安排在悬置在该衬底上方的该窗口中、借助于第二弹性元件(12)弹性地耦合至该外部框架并且承载用于流过电流(I)的导电路径(P)；以及弹性安排(22，24)，该弹性安排操作性地耦合至该可移动结构。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207457326U

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201720597054.X

申请日：2017-05-25

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： D·帕希 ,  P·安吉利尼 ,  M·德尔萨尔托

IPC: G01R19/00 ,  G01R15/20

CPC classification number: G01R15/202 ,  G01R15/205 ,  G01R15/207 ,  G01R19/0092

Abstract: 本实用新型涉及集成电流传感器器件和对应的电子器件。集成电流传感器器件耦合到第一导电线，集成电流传感器器件具有：封装体；采用导电材料的支撑结构，支撑结构布置在封装体内；裸片，由封装体内的支撑结构携载并且集成沿着传感器轴线对准布置的第一和第二磁场传感器元件以及电子电路，电子电路操作性地耦合到第一和第二磁场传感器元件以实现差分检测。支撑结构限定针对封装体内的电流的路径，路径具有：第一路径部分，在第一磁场传感器元件处延伸；第二路径部分，在第二磁场传感器元件处延伸；以及第三路径部分，连接第一和第二路径部分；其中，第一和第二路径部分相对于横向轴线布置在传感器轴线的对向侧，横向轴线横向于传感器轴线。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN205539418U

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201520975867.9

申请日：2015-11-30

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： D·帕希 ,  M·马彻西 ,  M·莫里利

IPC: G01R33/09

CPC classification number: G01R33/096 ,  G01R33/0011 ,  G01R33/025 ,  G01R33/07 ,  G01R33/09

Abstract: 本公开涉及磁电阻传感器和集成传感器以提高灵敏度尺度。集成AMR磁电阻传感器具有布置在彼此顶部上的磁电阻器、设置/重置线圈、以及屏蔽区域。设置/重置线圈定位在磁电阻器和屏蔽区域之间。磁电阻器由细长形状的磁电阻条体形成，磁电阻条体具有在平行于优选磁化方向的第一方向上的长度和在垂直于第一方向的第二方向上的宽度。设置/重置线圈具有横向于磁电阻条体延伸的至少一个伸展。屏蔽区域为铁磁材料，并且具有在第二方向上的大于磁电阻条体的宽度的宽度，以便于衰减遍历磁电阻条体的外部磁场并且增加磁电阻传感器的灵敏度尺度。

公开(公告)号：CN216624272U

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202122461726.3

申请日：2021-10-13

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： F·塞利尼 ,  S·阿多尔诺 ,  D·帕希 ,  M·萨利纳

IPC: H01L23/64 ,  H01L49/02

Abstract: 公开了电极结构、电极及电子器件。电极结构包括：第一焊盘，由导电材料制成；以及导电条，具有第一端，第一端物理地且电气地耦合到第一焊盘。其中第一焊盘包括第一环形元件，第一环形元件在内部限定第一贯通开口。并且其中导电条的第一端通过第一过渡区域被物理地且电气地耦合到第一环形元件，使得当导电条由于热效应而经受膨胀时，应力通过第一过渡区域从导电条传递至第一环形元件。本实用新型的技术改进了电极及电子器件的电绝缘性能和可靠性。

公开(公告)号：CN212723526U

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202020878433.8

申请日：2020-05-22

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： D·朱斯蒂 ,  D·帕希

IPC: G02B26/08 ,  B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本公开涉及一种MEMS致动器。MEMS致动器包括半导体材料的单片式主体，其中半导体材料的支撑部可相对于彼此横切的第一旋转轴和第二旋转轴定向。半导体材料的第一框架通过第一可变形元件耦合到支撑部，第一可变形元件被配置为控制支撑部绕第一旋转轴的旋转。半导体材料的第二框架通过第二可变形元件耦合到第一框架，第二可变形元件耦合在第一框架和第二框架之间并且被配置为控制支撑部绕第二旋转轴的旋转。第一可变形元件和第二可变形元件承载相应的压电致动元件。

公开(公告)号：CN209338108U

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201821256823.0

申请日：2018-08-06

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： D·帕希 ,  D·朱斯蒂 ,  I·马蒂尼

IPC: B81B3/00 ,  G02B15/04

Abstract: 本申请涉及MEMS器件和自动聚焦系统。MEMS器件包括具有第一腔体的半导体支撑体，包括固定到支撑体的周边部分和悬置部分的膜。第一可变形结构与膜的悬置部分的中心部分相隔一段距离，并且第二可变形结构朝向膜的周边部分而相对于第一可变形结构横向偏移。将突出区域固定在膜下方。第二可变形结构是可变形的，以便沿第一方向平移膜的悬置部分的中心部分，并且第一可变形结构是可变形的，以便沿第二方向平移膜的悬置部分的中心部分。由此提供改进的MEMS器件和自动聚焦系统。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利