公开(公告)号：CN109765752A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201810511606.X

申请日：2018-05-25

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  李昌焄 ,  洪朱憙 ,  朴铁均

IPC: G03F1/48 ,  G03F1/22 ,  G03F1/80 ,  G03F1/76 ,  G03F1/62

Abstract: 本发明公开了一种极紫外(EUV)光刻用防护膜。该防护膜可以包括：支撑层图案，其通过蚀刻支撑层而形成；防护膜层，其形成在所述支撑层图案上；和蚀刻停止层图案，其形成在所述支撑层图案与所述防护膜层之间，并且在蚀刻所述支撑层时通过对停止蚀刻的蚀刻停止层进行蚀刻而形成。因此，本发明提供了一种EUV光掩模用防护膜，其在具有最小厚度的同时保持了高的EUV曝光光线透过率，并且机械强度和热特性优异。

公开(公告)号：CN109597276A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811140761.1

申请日：2018-09-28

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  金东建 ,  金世民 ,  金大汉 ,  柳熙山

IPC: G03F1/50 ,  G03F1/40

Abstract: 本发明涉及一种用于防止静电破坏的空白掩模及光掩模。空白掩模在透明衬底上具有至少一层金属化合物膜以形成光掩模图案。金属化合物膜包含：金属膜，形成于透明衬底上；以及非起电膜，形成于金属膜上，非起电膜防止因图案之间的在表面上积聚的电荷的差所引起的静电放电所导致的对图案的破坏。有可能通过在没有额外薄膜制造工艺的情况下改进形成空白掩模的金属化合物膜中的电阻组分来使光掩模的金属化合物膜图案之间的由光刻工艺期间的反复接触或处理所产生的静电最小化来防止对转移图案的破坏，且还可避免修正和重新制造光掩模的成本。

公开(公告)号：CN108957941A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810477224.X

申请日：2018-05-18

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  申澈 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  申升协 ,  公拮寓

IPC: G03F1/26

CPC classification number: G03F1/26

Abstract: 根据本公开的相移空白掩膜包括具有多层膜结构的相移膜，该多层膜结构包括位于透明衬底上的两层或更多层，其中相移膜仅含有硅(Si)，或者含有硅(Si)化合物而基本上不含过渡金属。根据本公开的相移膜由不含过渡金属的硅(Si)基材料制成，由此提供了这样的空白掩膜和光掩膜，其耐曝光光线的耐曝光性和耐化学品清洁的耐化学品性优异，能够精确地控制图案的CD，并延长了光掩膜的使用寿命。