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公开(公告)号：CN112005354B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN201980025326.0
申请日：2019-03-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·斯里瓦斯塔瓦 , S·阿拉姆 , N·S·乔拉普尔 , D·R·本杰明拉吉 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开内容涉及一种用于沉积腔室的流体递送设备。所述流体递送装置包括流体流量计。所述流体流量计被包围在隔热箱中。在所述隔热箱上设有进气口，用于在所述流体流量计之上提供强制冷却气流。在所述隔热箱上设有排气口，强制冷却气体从所述排气口离开所述隔热箱。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114375486B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202080064017.7
申请日：2020-08-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·S·阿迪帕利 , 陈玥 , 蒋志钧 , S·斯里瓦斯塔瓦 , N·S·乔拉普尔 , D·R·B·拉杰 , G·奇可卡诺夫 , Q·马 , A·凯什里 , 韩新海 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , D·帕德希
Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括喷头。腔室还可包括基板支撑件，基板支撑件的特征在于面向喷头的第一表面。第一表面可经配置以支撑半导体基板。基板支撑件可限定在第一表面内居中的凹穴。凹穴可由外部径向壁所限定，外部径向壁的特征在于，与凹穴内的第一表面相距的高度大于或约为半导体基板的厚度的150％。
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公开(公告)号：CN113924386A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202080040111.9
申请日：2020-04-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 在一个实例中，一种工艺腔室包括：盖组件、第一气体供应、第二气体供应、腔室主体、以及基板支撑件。所述盖组件包括气体箱、穿过所述气体箱的气体导管、挡板、以及喷头。所述气体箱包括气体分配气室和分配板，所述分配板包括多个孔洞，所述多个孔洞与所述气体分配气室对齐。所述挡板耦接所述气体箱而形成第一气室。所述喷头耦接所述挡板而形成第二气室。所述第一气体供应耦接所述气体分配气室，且所述第二气体供应系统耦接气体导管。所述腔室主体耦接所述喷头，并且所述基板支撑组件设置在所述腔室主体的内部空间内，并且经配置在处理期间支撑基板。
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公开(公告)号：CN112074624A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201980030059.6
申请日：2019-04-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·斯里瓦斯塔瓦
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/505
Abstract: 本文中所述的实施例涉及用于控制腔室中的中心到边缘压力改变的压力歪斜系统，以用于沉积具有改进的整体均匀性的先进图案化膜。压力歪斜系统包括经配置以在腔室中形成的泵送区、在泵送区域中设置的壁。腔室包括处理区域、泵送区域、以及连接至泵的泵送路径以排放来自泵送区域的工艺气体。每一泵送区域对应于侧面为壁的泵送区域的空间。供应管道连接至对应的泵送区及对应的质量流动控制装置，以控制提供至对应的泵送区的惰性气体的流率，以控制处理区域的面积中的压力。
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