公开(公告)号：CN117580972A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202280045837.0

申请日：2022-07-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·佩马萨尼 ,  D·R·B·拉吉 ,  李晓璞 ,  A·达纳克什鲁尔 ,  M·G·库尔卡尼 ,  M·S·K·穆蒂亚拉 ,  D·帕德希 ,  于航

IPC: C23C16/455

Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括腔室主体。腔室可包括设置在腔室主体内的基板支撑件。基板支撑件可界定基板支撑表面。腔室可包括定位支撑在腔室主体顶部的喷头。基板支撑件和喷头的底表面可至少部分地界定半导体处理腔室内的处理区域。喷头可界定穿过喷头的多个孔。喷头的底表面可界定直接定位在基板支撑件的至少一部分上方的环形槽或脊。

公开(公告)号：CN114762082A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080081708.8

申请日：2020-10-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·S·K·穆蒂亚拉 ,  S·卡玛斯 ,  D·帕德希

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/509 ,  C23C16/52

Abstract: 示例性的沉积方法可包括：将含硅前驱物和载体前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括：在半导体处理腔室的处理区域内形成含硅前驱物和载体前驱物的等离子体。方法可包括：在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积第一数量的含硅材料。沉积可在第一腔室压力下发生。方法可包括：将第一腔室压力调整至比第一腔室压力要小的第二腔室压力。方法可包括：在第一数量的含硅材料上沉积第二数量的含硅材料。

公开(公告)号：CN114467164A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202080068901.8

申请日：2020-08-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·S·K·穆蒂亚拉 ,  S·卡玛斯 ,  D·帕德希

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/311 ,  H01L21/683 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  H01J37/32

Abstract: 示例性沉积方法可以包括以下步骤：以第一电压将半导体基板静电地卡紧在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可以包括以下步骤：执行沉积工艺。所述沉积工艺可以包括以下步骤：在半导体处理腔室的处理区域内形成等离子体。所述方法可以包括以下步骤：停止在半导体处理腔室内形成等离子体。所述方法可以包括以下步骤：与所述停止步骤同时，将静电卡紧的第一电压增加到第二电压。所述方法可以包括以下步骤：净化半导体处理腔室的处理区域。