公开(公告)号：CN210182327U

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201921254411.8

申请日：2019-08-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·黄 ,  张宇星 ,  K·高希 ,  K·阿拉亚瓦里 ,  A·K·班塞尔

IPC: H01J37/32

Abstract: 公开了一种用于处理腔室的面板。所述面板具有主体，所述主体具有多个孔隙，所述多个孔隙穿过所述主体形成。挠曲件形成在所述主体中，部分地包围所述多个孔隙。切口在与所述挠曲件的公共半径上穿过所述主体形成。一个或多个孔口从所述切口的径向内表面延伸到所述主体的外表面。加热器设置在所述挠曲件与所述多个孔隙之间。所述挠曲件和所述切口是限制来自所述加热器的热传递从其经过的热扼流器。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209389011U

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201920113118.3

申请日：2019-01-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张宇星 ,  K·阿拉亚瓦里 ,  K·高希 ,  S·巴录佳 ,  D·黄

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455

Abstract: 本文的实施方式涉及用于处理腔室中的气体分配的设备。更具体地，本公开内容的方面涉及一种陶瓷面板。所述面板一般具有陶瓷主体。在所述面板主体的上表面中形成凹槽。多个孔隙穿过面板在所述凹槽中形成。在所述凹槽中可选地设置加热器以加热所述面板。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN206727059U

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201720076104.X

申请日：2016-04-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·阿拉亚瓦里 ,  韩新海 ,  P·P·贾 ,  M·绪方 ,  Z·蒋 ,  A·柯 ,  N·O·木库提 ,  T·布里彻 ,  A·K·班塞尔 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  J·C·罗查-阿尔瓦内兹 ,  金柏涵

IPC: H01J49/16 ,  C23C24/08 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32091

Abstract: 本公开提供了一种用于半导体处理腔室的双通道喷头。在一个实施例中，该喷头包括主体，该主体包括导电材料，该导电材料具有多个第一开口和多个第二开口，该多个第一开口和多个第二开口形成为穿过该导电材料，该多个第一开口包括第一气体通道，该多个第二开口包括第二气体通道，该第二气体通道与该第一气体通道流体地分离，其中该第一开口中的每一个具有与该第二开口中的每一个不同的几何形状。

公开(公告)号：CN205900504U

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201620346066.0

申请日：2016-04-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·阿拉亚瓦里 ,  韩新海 ,  P·P·贾 ,  M·绪方 ,  Z·蒋 ,  A·柯 ,  N·O·木库提 ,  T·布里彻 ,  A·K·班塞尔 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  J·C·罗查-阿尔瓦内兹 ,  金柏涵

IPC: H01J49/16 ,  C23C24/08 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32091

Abstract: 本公开提供了一种用于半导体处理腔室的双通道喷头。在一个实施例中，该喷头包括主体，该主体包括导电材料，该导电材料具有多个第一开口和多个第二开口，该多个第一开口和多个第二开口形成为穿过该导电材料，该多个第一开口包括第一气体通道，该多个第二开口包括第二气体通道，该第二气体通道与该第一气体通道流体地分离，其中该第一开口中的每一个具有与该第二开口中的每一个不同的几何形状。