公开(公告)号：CN115699252A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180042460.9

申请日：2021-07-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  D·凯德拉亚 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  G·K·赫玛尼 ,  K·尼塔拉 ,  A·J·卢斯特格拉夫 ,  黄祖滨 ,  B·斯波尔丁 ,  S·沙尔玛 ,  K·陈

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括将含硅前驱物流动至半导体处理腔室的处理区域中。基板可容纳在处理区域内，且基板可维持在低于或约450℃的温度下。方法可包括冲击含硅前驱物的等离子体。方法可包括在半导体基板上形成非晶硅层。非晶硅层的特征可在于小于或约3％的氢掺入。