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公开(公告)号：CN110391125B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201910319684.4
申请日：2019-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 汗赫·阮 , 蔡泰正 , 菲利普·艾伦·克劳斯
IPC: H01J37/32
Abstract: 具有集成气体分配的模块化高频源。本文所描述的实施方式包括用于处理腔室的施加器框架。在一个实施方式中，施加器框架包含所述施加器框架的第一主表面以及与所述第一主表面相对的所述施加器框架的第二主表面。在一个实施方式中，施加器框架进一步包含通孔，其中所述通孔完全穿过施加器框架延伸。在一个实施方式中，所述施加器框架也包含嵌入施加器框架中的横向通道。在一个实施方式中，横向通道与通孔相交。
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公开(公告)号：CN117501411A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202280042108.X
申请日：2022-06-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285
Abstract: 公开一种形成石墨烯层的方法。此方法包括使用由含氩与含氢气体所形成的等离子体预清洁基板，之后借由将基板暴露至微波等离子体来形成石墨烯层，以在基板上形成石墨烯层。此微波等离子体包括烃与氢自由基。此基板接着被冷却。也可形成覆盖层。
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公开(公告)号：CN110612594B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201880030817.X
申请日：2018-03-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 蔡泰正 , 法扎德·霍什曼德 , 克里斯汀·阿莫米诺 , 菲利普·艾伦·克劳斯
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供使用模块化微波源的具有对称且不规则的形状的等离子体。实施方式包含：等离子体处理工具，所述等离子体处理工具包含：处理腔室，及被耦接至该处理腔室的多个模块化微波源。在一实施方式中，该多个模块化微波源包含：施加器的阵列，所述施加器被设置在介电体上，该介电体形成该处理腔室的外壁的一部分。该施加器的阵列可被耦接至该介电体。此外，该多个模块化微波源可包含：微波放大模块的阵列。在一实施方式中，每一微波放大模块可被耦接至在施加器的阵列中的所述施加器中的至少一者。根据一实施方式，该介电体是平面的、非平面的、对称的，或非对称的。在又一实施方式中，该介电体可包含：多个凹部。在此一实施方式中，至少一个施加器可被设置在所述凹部的至少一者中。
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公开(公告)号：CN114424318A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202080065164.6
申请日：2020-09-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 蔡泰正 , 菲利普·艾伦·克劳斯
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文中所公开的实施方式包括单片式源阵列。在一个实施方式中，所述单片式源阵列包括：介电板，具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述单片式源阵列可以更包括：多个凸部，从所述介电板的所述第一表面延伸出去，其中所述多个凸部及所述介电板是单片式结构。
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公开(公告)号：CN110391127A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910320328.4
申请日：2019-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 蔡泰正 , 克里斯蒂安·阿莫米诺 , 汗赫·阮 , 卡洛尔·贝拉 , 菲利普·艾伦·克劳斯
Abstract: 实施方式包括模块化高频发射源。在一个实施方式中，所述模块化高频发射源包括多个高频发射模块，其中每个高频发射模块包括振荡器模块、放大模块和施加器。在一个实施方式中，所述振荡器模块包括电压控制电路和电压受控的振荡器。在一个实施方式中，所述放大模块耦接到所述振荡器模块。在一个实施方式中，所述施加器耦接到所述放大模块。在一个实施方式中，每个高频发射模块包括不同的振荡器模块。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109564843A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780047022.5
申请日：2017-01-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 菲利普·艾伦·克劳斯 , 蔡泰正
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C16/45544 , C23C16/511 , H01J37/32201 , H01J37/32211 , H01J37/32247 , H01J37/32311 , H01J37/3244 , H01J2237/334
Abstract: 实施方式包括模块式微波源。在一个实施方式中，模块式微波源包括电压控制电路、电压控制振荡器，其中来自该电压控制电路的输出电压驱动电压控制振荡器中的振荡。模块式微波源也可包括耦接至电压控制振荡器的固态微波放大模块。在一个实施方式中，固态微波放大模块将来自电压控制振荡器的输出放大。模块式微波源也可包括耦接至该固态微波放大模块的施加器(applicator)，其中施加器是介电谐振器。
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公开(公告)号：CN118737799A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410916220.2
申请日：2019-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 蔡泰正 , 克里斯蒂安·阿莫米诺 , 汗赫·阮 , 卡洛尔·贝拉 , 菲利普·艾伦·克劳斯
Abstract: 实施方式包括模块化高频发射源。在一个实施方式中，所述模块化高频发射源包括多个高频发射模块，其中每个高频发射模块包括振荡器模块、放大模块和施加器。在一个实施方式中，所述振荡器模块包括电压控制电路和电压受控的振荡器。在一个实施方式中，所述放大模块耦接到所述振荡器模块。在一个实施方式中，所述施加器耦接到所述放大模块。在一个实施方式中，每个高频发射模块包括不同的振荡器模块。
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公开(公告)号：CN110176393B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN201910126663.0
申请日：2019-02-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 汉宏·陈 , 凯尔文·陈 , 菲利普·艾伦·克劳斯 , 蔡泰正
IPC: H01L21/205
Abstract: 实施方式包括用于在沉积腔室中的基板上形成氮化硅膜的方法。在实施方式中，将基板顺序地暴露于一序列的处理气体，包括：卤化硅前驱物，所述卤化硅前驱物吸附到所述基板的表面上以形成吸附的卤化硅层；第一反应气体，所述第一反应气体包括N2以及Ar和He中的一种或两种；和第二反应气体，所述第二反应气体包括含氢气体以及Ar、He和N2中的一种或多种。在实施方式中，所述含氢气体包括H2(分子氢)、NH3(氨)、N2H2(二氮烯)、N2H4(肼)和HN3(叠氮化氢)中的至少一种。实施方式可以包括重复所述序列，直到获得期望厚度的所述氮化硅膜。
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公开(公告)号：CN118098922A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410271932.3
申请日：2019-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 汗赫·阮 , 蔡泰正 , 菲利普·艾伦·克劳斯
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文描述的实施方式包括一种处理工具，所述处理工具包括处理腔室、用于支撑所述处理腔室中的基板的吸盘、形成所述处理腔室的一部分的介电窗、以及模块化高频发射源。在一个实施方式中，所述模块化高频发射源包括多个高频发射模块。在一个实施方式中，每个高频发射模块包括振荡器模块、放大模块和施加器。在一个实施方式中，所述放大模块耦接到所述振荡器模块。在一个实施方式中，所述施加器耦接到所述放大模块。在一个实施方式中，所述施加器定位在所述介电窗附近。
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公开(公告)号：CN117957643A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202280060140.0
申请日：2022-09-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 蔡泰正 , 克里斯蒂安·瓦伦西亚 , 杨玮盈 , 高德丰 , 王振宇 , 菲利普·艾伦·克劳斯
IPC: H01L21/311 , H01L21/02 , H01J37/32 , H10B41/27 , H10B43/27
Abstract: 本文揭露的实施方式包括蚀刻3D结构的方法。在一实施方式中，该方法包括：在微波等离子体腔室中提供3D结构。在一实施方式中，3D结构包括基板，以及在基板上方的交替的氧化硅层和氮化硅层。在一实施方式中，该方法进一步包括：使第一气体流入该微波等离子体腔室，其中该第一气体包括硫和氟。在一实施方式中，该方法包括：使第二气体流入该微波等离子体腔室，其中该第二气体包括惰性气体。在一实施方式中，该方法进一步包括：在该微波等离子体腔室中撞击等离子体，及蚀刻该氮化硅，其中氮化硅对氧化硅的蚀刻选择性为50：1或更大。
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