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公开(公告)号：CN117501411A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202280042108.X
申请日：2022-06-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285
Abstract: 公开一种形成石墨烯层的方法。此方法包括使用由含氩与含氢气体所形成的等离子体预清洁基板，之后借由将基板暴露至微波等离子体来形成石墨烯层，以在基板上形成石墨烯层。此微波等离子体包括烃与氢自由基。此基板接着被冷却。也可形成覆盖层。
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