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公开(公告)号：CN112020572A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201980019611.1
申请日：2019-03-20
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供了将介电氧化物层沉积在PVD腔室中设置的或经由PVD腔室处理的一个或多个基板顶部的方法。在一些实施方式中，此种方法包括：在源材料处于第一磨蚀状态时并且在将第一量的RF功率提供到靶组件时将源材料从靶组件溅射到第一基板上，以将介电氧化物层沉积到具有期望电阻区的第一基板上；以及随后在源材料处于第二磨蚀状态时并且在将第二量的RF功率提供到靶组件时将源材料从靶组件溅射到第二基板上，其中第二量的RF功率低于第一量的RF功率达经计算以维持期望电阻区的预定量。
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公开(公告)号：CN111868946A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201980020081.2
申请日：2019-02-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容的实施方式提供了用于从设置在基板上的膜堆叠形成磁隧道结(MTJ)结构的方法，以用于磁随机存取存储器(MRAM)应用和相关联的MTJ器件。本文描述的方法包括从膜堆叠形成材料层的膜特性以产生具有足够高垂直磁各向异性(PMA)的膜堆叠。利用含铁氧化物覆盖层产生合乎需要的PMA。通过利用含铁氧化物覆盖层，可以更精细地控制覆盖层的厚度，并且减少了在磁性存储层和覆盖层的界面处对硼的依赖。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110582590A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201880029711.8
申请日：2018-03-29
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供了用于减少膜中的缺陷的方法及设备，所述膜经由物理气相沉积而沉积在工件上。在一些实施方式中，溅射沉积靶材包括：电介质化合物，所述电介质化合物具有范围为约20μm至200μm的预定平均晶粒尺寸。在一些实施方式中，处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体限定内部容积；基板支撑件，用于在内部容积内支撑基板；待被溅射到基板上的多个靶材，所述多个靶材包括如本文所揭示的任何实施方式所述的至少一个电介质靶材；以及屏蔽件，所述屏蔽件耦接至腔室主体且具有至少一个孔洞，以暴露待溅射的多个靶材的至少一个靶材。
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公开(公告)号：CN112020572B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201980019611.1
申请日：2019-03-20
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供了将介电氧化物层沉积在PVD腔室中设置的或经由PVD腔室处理的一个或多个基板顶部的方法。在一些实施方式中，此种方法包括：在源材料处于第一磨蚀状态时并且在将第一量的RF功率提供到靶组件时将源材料从靶组件溅射到第一基板上，以将介电氧化物层沉积到具有期望电阻区的第一基板上；以及随后在源材料处于第二磨蚀状态时并且在将第二量的RF功率提供到靶组件时将源材料从靶组件溅射到第二基板上，其中第二量的RF功率低于第一量的RF功率达经计算以维持期望电阻区的预定量。
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公开(公告)号：CN112219255A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201980036904.0
申请日：2019-05-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/34
Abstract: 一种用于处理半导体的设备，所述设备包括处理腔室，所述处理腔室具有设置在顶部适配器组件中的多个阴极。具有磁控管组件的多个阴极包括：用于支撑磁控管组件的分流板；环磁极组件，所述环磁极组件耦接至分流板且具有环磁极、线性磁极和中心磁极，线性磁极从环磁极延伸到位于磁控管组件的中心处的中心磁极；和开环磁极电弧组件，所述开环磁极电弧组件耦接至分流板且围绕中心磁极的至少一部分而不与线性磁极相交。磁控管组件被定向成使得开环磁极电弧组件的开口朝向屏蔽件的外壁加以定向。
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