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公开(公告)号：CN110582590A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201880029711.8
申请日：2018-03-29
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供了用于减少膜中的缺陷的方法及设备，所述膜经由物理气相沉积而沉积在工件上。在一些实施方式中，溅射沉积靶材包括：电介质化合物，所述电介质化合物具有范围为约20μm至200μm的预定平均晶粒尺寸。在一些实施方式中，处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体限定内部容积；基板支撑件，用于在内部容积内支撑基板；待被溅射到基板上的多个靶材，所述多个靶材包括如本文所揭示的任何实施方式所述的至少一个电介质靶材；以及屏蔽件，所述屏蔽件耦接至腔室主体且具有至少一个孔洞，以暴露待溅射的多个靶材的至少一个靶材。
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公开(公告)号：CN215731576U
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202120006281.7
申请日：2018-06-05
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开用于在多阴极处理腔室中使用的工艺配件、多阴极处理腔室和用于在多阴极处理腔室中使用的工艺配件部件。工艺配件包括以下中的一个或多个：锥形屏蔽物、可旋转的屏蔽物、护罩、内部沉积环、外部沉积环或盖环。在一些实施方式中，工艺配件包括：可旋转的屏蔽物，可旋转的屏蔽物具有底座、锥形部分和套环部分，锥形部分从底座向下且向外延伸，套环部分从锥形部分向外延伸；内部沉积环，具有腿部分、平直部分、第一凹部与第一唇部，平直部分从腿部分向内延伸，第一凹部从平直部分向内延伸，第一唇部从第一凹部的最内区段向上延伸；和外部沉积环，具有套环部分、上平直部分、第二凹部与第二唇部，上平直部分在套环部分上方且从套环部分向内延伸，第二凹部从上平直部分向内延伸，第二唇部从第二凹部向上延伸。
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公开(公告)号：CN212392209U
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201890001014.7
申请日：2018-06-05
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开用于在多阴极处理腔室中使用的工艺配件、多阴极处理腔室和用于在多阴极处理腔室中使用的工艺配件部件。工艺配件包括以下中的一个或多个：锥形屏蔽物、可旋转的屏蔽物、护罩、内部沉积环、外部沉积环或盖环。在一些实施方式中，工艺配件包括：可旋转的屏蔽物，可旋转的屏蔽物具有底座、锥形部分和套环部分，锥形部分从底座向下且向外延伸，套环部分从锥形部分向外延伸；内部沉积环，具有腿部分、平直部分、第一凹部与第一唇部，平直部分从腿部分向内延伸，第一凹部从平直部分向内延伸，第一唇部从第一凹部的最内区段向上延伸；和外部沉积环，具有套环部分、上平直部分、第二凹部与第二唇部，上平直部分在套环部分上方且从套环部分向内延伸，第二凹部从上平直部分向内延伸，第二唇部从第二凹部向上延伸。
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