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公开(公告)号：CN107835868B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201680030283.1
申请日：2016-06-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 怡利·Y·叶
IPC: C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 提供一种处理腔室，包括侧壁、基板支撑件、以及设置于基板支撑件上方的排气口。在排气口与基板支撑件之间形成有处理区域，且排气口耦接到排气器件，排气器件经构造以在相对于处理区域的排气口处建立低压。处理腔室进一步包括气体环，气体环包括具有内表面的环形主体，内表面环绕环形区域。气体环进一步包括多个第一喷嘴，多个第一喷嘴耦接到第一气源，并经构造以将第一气体传递至处理区域。气体环进一步包括多个第二喷嘴，多个第二喷嘴耦接到第二气源，并经构造以将第二气体传递至处理区域。
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公开(公告)号：CN110710056A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880034861.8
申请日：2018-05-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼
IPC: H01Q9/40 , H01L21/3065
Abstract: 等离子体反应器包括腔室主体、气体分配口、工件支撑件、天线阵列、和AC功率源，腔室主体具有提供等离子体腔室的内部空间，气体分配口用于将处理气体输送到等离子体腔室，工件支撑件用于保持工件，天线阵列包括部分延伸到等离子体腔室中的多个单极天线，AC功率源用于将第一AC功率供应到多个单极天线。
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公开(公告)号：CN107835868A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201680030283.1
申请日：2016-06-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 怡利·Y·叶
IPC: C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 提供一种处理腔室，包括侧壁、基板支撑件、以及设置于基板支撑件上方的排气口。在排气口与基板支撑件之间形成有处理区域，且排气口耦接到排气器件，排气器件经构造以在相对于处理区域的排气口处建立低压。处理腔室进一步包括气体环，气体环包括具有内表面的环形主体，内表面环绕环形区域。气体环进一步包括多个第一喷嘴，多个第一喷嘴耦接到第一气源，并经构造以将第一气体传递至处理区域。气体环进一步包括多个第二喷嘴，多个第二喷嘴耦接到第二气源，并经构造以将第二气体传递至处理区域。
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公开(公告)号：CN101133186B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200580043516.3
申请日：2005-12-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/00 , C23C16/505 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/45563 , C23C16/507 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明提供一用于半导体制程处理室(117)的气体分配器(400)。该气体分配器包括一气体入口(420)、一气体出口(516)、以及一具有螺纹(404)的杆部(402)。该气体分配器更包括一本体(414)，其具有一自该杆部径向往外延伸的气体偏斜表面(410)，以及一源自该气体偏斜表面、且设于该本体相对侧上的下表面；一设于该螺纹及该气体偏斜表面之间的横向座(406)；以及一自该气体入口通过该杆部及本体而至气体出口的气体通道(512)。于一特定实施例中，该横向座是适于承托一密封组件(822)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112154534B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN201980034219.4
申请日：2019-04-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 苏坦·马立克 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 梁奇伟 , 阿迪卜·汗 , 马克西米利安·克莱蒙斯
IPC: H01L21/02 , C23C16/455 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/324 , H01L21/56
Abstract: 本文的系统和方法的实施方式涉及经由ALD或CVD在处理腔室的多个内部部件上原位形成保护膜。涂布有保护膜的内部部件包括腔室侧壁、腔室底部、基板支撑基座、喷头、和腔室顶部。保护膜可为具有包括非晶Si、碳硅烷、多晶硅、SiC、SiN、SiO2、Al2O3、AlON、HfO2、或Ni3Al的各种组成物，且在厚度上可从约80nm至约250nm变化。
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公开(公告)号：CN117043388A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280023468.5
申请日：2022-03-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 小道格拉斯·亚瑟·布池贝尔格尔 , 高塔姆·皮莎罗蒂 , 德米特里·卢博米尔斯基 , 谢卡尔·阿塔尼
IPC: C23C16/458
Abstract: 本文提供了基板支撑件的实施方式。在一些实施方式中，用于化学气相沉积(CVD)腔室的基板支撑件包括：用于支撑基板的基座，其中该基座包括耦接到基座主体的介电板；旋转接头，其耦接到基座，其中旋转接头包括围绕转子设置的固定外壳；耦接到旋转接头的驱动组件；冷却剂接头，其耦接到旋转接头并且具有冷却剂入口，该冷却剂入口通过冷却剂管线流体地耦接到设置在基座中的冷却剂通道；RF旋转接合件，其耦接到冷却剂接头并具有构造为将基座耦接到RF偏压功率源的RF连接器；以及RF导管，其从RF连接器通过基座主体的中心开口延伸到基座以向基座提供RF偏压。
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公开(公告)号：CN111066134B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201880058055.4
申请日：2018-09-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿迪卜·汗 , 梁奇伟 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 托宾·卡芙曼·奥斯本
IPC: H01L21/67
Abstract: 本文提供一种用于输送气体至半导体处理系统的方法和设备。在一些实施方式中，该设备包含：气体入口管线，该气体入口管线具有入口阀；气体出口管线，该气体出口管线具有出口阀；气体流量控制器，该气体流量控制器经布置以控制通过该入口阀的流量；孔口，该孔口被包含在该气体出口管线、该出口阀、化学安瓿出口阀或出口隔离阀的至少一个内；化学安瓿，该化学安瓿流体耦接至该气体入口管线和该气体出口管线中的至少一个；和处理腔室。在一些实施方式中，该设备进一步包含：止回阀、一个或多个孔口和/或加热的转向管线。
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公开(公告)号：CN115954255A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310064701.0
申请日：2018-05-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065 , C23C16/50 , H05H1/46 , C23C16/503 , C23C16/26 , C23C16/455 , H01L21/02 , H01Q9/40
Abstract: 等离子体反应器包括腔室主体、气体分配口、工件支撑件、天线阵列、和AC功率源，腔室主体具有提供等离子体腔室的内部空间，气体分配口用于将处理气体输送到等离子体腔室，工件支撑件用于保持工件，天线阵列包括部分延伸到等离子体腔室中的多个单极天线，AC功率源用于将第一AC功率供应到多个单极天线。
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公开(公告)号：CN109417042B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201780025455.0
申请日：2017-03-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 阿迪卜·汗 , 托宾·卡芙曼·奥斯本 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 卢多维克·戈代
Abstract: 本文所述的实施方案涉及用于自组装单层(self‑assembled monolayer,SAM)沉积的设备和方法。本文所述的设备包括处理腔室，具有流体耦合到处理腔室上的各种气相输送设备。SAM前驱物可经由经加热以将前驱物维持在气相中的各种设备而输送到腔室的处理容积。在一个实施方案中，经构造以用于输送SAM前驱物的第一安瓿或蒸发器可流体耦接到处理腔室的处理容积。经构造以输送与SAM前驱物不同的材料的第二安瓿或蒸发器也可流体耦接到处理腔室的处理容积。
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