公开(公告)号：CN100470837C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200510008233.7

申请日：2005-02-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李忠浩 ,  朴东健 ,  尹在万 ,  李哲

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7854

Abstract: 提供了一种鳍型场效应晶体管(fin FET)，其应用了负字线方案。鳍型FET的栅电极应用了掺有n+杂质的电极，并且不执行用于控制阈值电压的沟道掺杂，或者以低浓度执行沟道掺杂，由此显著改善了鳍型FET的特性。半导体衬底以第一导电类型形成，第一导电类型的鳍型有源区从所述半导体衬底的上表面突出并连接到所述半导体衬底。绝缘层形成在所述半导体衬底上，并且栅极绝缘层形成在所述鳍型有源区的上部和侧壁。栅电极形成在所述绝缘层和所述栅极绝缘层上。源极和漏极形成在所述栅电极两侧的鳍型有源区中。

公开(公告)号：CN1661785A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200510065635.0

申请日：2005-02-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李忠湖 ,  尹在万 ,  朴东健 ,  李哲

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/66772 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648

Abstract: 在一个实施例中，半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有下层和覆盖该下层的上层。布置和构造该上层，以形成彼此隔开且自该下层的上表面伸出的第一和第二有源区。桥形的第三有源区与该下层的上表面垂直地隔开且连接该第一和第二有源区。该器件还包括栅电极，该栅电极形成有围绕该第三有源区的栅绝缘层，使得该第三有源区用作沟道。

公开(公告)号：CN112740319A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201980060071.1

申请日：2019-02-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  釜庆大学校产学协力团

Inventor： 郑暎勋 ,  阮黄南 ,  李哲 ,  金要燮 ,  文永秀 ,  武文宿 ,  林载炆

IPC: G09G5/10

Abstract: 公开了电子设备。该电子设备包括：储存器，存储基于第一最大输出亮度的根据相邻像素之间的亮度差的第一人类视觉系统(HVS)识别信息和基于第二最大输出亮度的根据相邻像素之间的亮度差的第二HVS识别信息；和处理器，用于基于第一最大输出亮度获得关于输入图像的相邻像素之间的灰度差的第一直方图，基于第二最大输出亮度获得关于输入图像的相邻像素之间的灰度差的第二直方图，基于第一HVS识别信息获得关于输入图像的相邻像素之间的亮度差的第三直方图，基于第二HVS识别信息获得关于输入图像的相邻像素之间的亮度差的第四直方图，并且基于基于关于第一直方图和第三直方图的信息获得的第一值和基于第二直方图和第四直方图获得的第二值之间的差获得关于对应于第二最大输出亮度的输入图像的亮度值。