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公开(公告)号：CN112985292B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201911297366.9
申请日：2019-12-12
申请人： 山东有研半导体材料有限公司
IPC分类号： G01B11/24
摘要： 本发明公开了一种用于辅助调整晶圆加工设备工作盘的检测装置和方法。该检测装置包括光线发射机构、光线接收机构以及数据处理器，数据处理器通过数据连接线分别与光线发射机构及光线接收机构连接。光线发射机构具体包括一个带有可调节地脚的支架、光线发射器、XY移动机构、发射角调整机构；光线接收机构具体包括一个带有可调节地脚的支架、光线接收器、XY移动机构；数据处理器具体包括触摸屏、运动控制器和算法程序。使用该装置对晶圆加工设备工作盘进行测试，可以快速准确测量晶圆加工设备工作盘运行状态，为工艺人员提供准确的测量数据，提高工作效率。
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公开(公告)号：CN112992672B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201911305498.1
申请日：2019-12-16
申请人： 山东有研半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/316
摘要： 本发明公开了一种硅基二氧化硅背封薄膜的制备方法，该方法包括高温氧化预处理步骤和低温低压CVD沉积步骤；在高温氧化预处理步骤中，温度为1000℃‑1100℃，氧气流量为20‑30sccm，时间为10‑20min；在低温低压CVD沉积步骤中，温度为600℃‑700℃，正硅酸乙酯的流量为100‑200sccm，氧气流量为150‑250sccm，压力为100‑300MT。本发明的方法通过高温氧化预处理和低温低压CVD沉积组合方式制备二氧化硅背封薄膜，能够显著提升二氧化硅背封薄膜的致密性。本发明工艺控制简单，能够满足硅基材料背封薄膜特别是8英寸以上大直径硅基材料背封薄膜的制备工艺要求。
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公开(公告)号：CN112992672A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911305498.1
申请日：2019-12-16
申请人： 山东有研半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/316
摘要： 本发明公开了一种硅基二氧化硅背封薄膜的制备方法，该方法包括高温氧化预处理步骤和低温低压CVD沉积步骤；在高温氧化预处理步骤中，温度为1000℃‑1100℃，氧气流量为20‑30sccm，时间为10‑20min；在低温低压CVD沉积步骤中，温度为600℃‑700℃，正硅酸乙酯的流量为100‑200sccm，氧气流量为150‑250sccm，压力为100‑300MT。本发明的方法通过高温氧化预处理和低温低压CVD沉积组合方式制备二氧化硅背封薄膜，能够显著提升二氧化硅背封薄膜的致密性。本发明工艺控制简单，能够满足硅基材料背封薄膜特别是8英寸以上大直径硅基材料背封薄膜的制备工艺要求。
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公开(公告)号：CN112992670A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911305497.7
申请日：2019-12-16
申请人： 山东有研半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种用于降低硅基背封抛光片应力的方法。该方法包括以下步骤：(1)制作与硅衬底二氧化硅薄膜尺寸匹配的蓝膜，对蓝膜进行设计，保留边缘区域的完整性，而将中心区域按照一定的图案形状开孔，制成图案蓝膜；(2)将该蓝膜贴附在背封完成的硅衬底二氧化硅薄膜上，在保证边缘二氧化硅薄膜完整性的同时，采用腐蚀剂将硅衬底中心区域按照图案形状去除部分二氧化硅薄膜；(3)将腐蚀后的硅衬底用热腐蚀剂去除掉蓝膜，制成图案薄膜。本发明优点：在不影响二氧化硅薄膜背封效果的前提下，通过将二氧化硅薄膜腐蚀成特定的形状，降低了二氧化硅薄膜的应力，提升了硅基背封抛光片的几何参数品质，从而能满足更高精度要求的光刻制程。
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公开(公告)号：CN112735942A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011642678.1
申请日：2020-12-30
申请人： 有研半导体材料有限公司 , 山东有研半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L29/10 , H01L29/739 , C30B15/00 , C30B28/12 , C30B29/06 , C30B30/04 , B28D5/02
摘要： 本发明公开了一种IGBT用硅衬底抛光片的制备方法。该方法依次包括以下工序：硅单晶生长→晶体检测→滚磨→多线切割→倒角→双面研磨→化学腐蚀→POLY薄膜生长→中间检测→化学机械抛光→清洗→出厂检验，其中，在拉晶过程中采用水平磁场，磁场强度为1000‑5000高斯，磁场形状为马鞍形，晶转为5‑15rpm，埚转为0.1‑3rpm，晶体生长时控制液面位置波动范围为±0.5mm；在倒角工序中，分别使用1000#倒角轮倒角2次，3000#倒角轮倒角2次，最终倒角幅长控制在500‑700μm；在POLY薄膜生长工序中，载具转速为0.5‑3rpm，LPCVD的工艺温度区间为600‑630℃，LPCVD的气体流量区间为50‑200mL/min。采用本发明能够获得晶体微缺陷极少、几何参数高度精密的IGBT用8英寸硅衬底抛光片。
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公开(公告)号：CN112992670B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201911305497.7
申请日：2019-12-16
申请人： 山东有研半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种用于降低硅基背封抛光片应力的方法。该方法包括以下步骤：(1)制作与硅衬底二氧化硅薄膜尺寸匹配的蓝膜，对蓝膜进行设计，保留边缘区域的完整性，而将中心区域按照一定的图案形状开孔，制成图案蓝膜；(2)将该蓝膜贴附在背封完成的硅衬底二氧化硅薄膜上，在保证边缘二氧化硅薄膜完整性的同时，采用腐蚀剂将硅衬底中心区域按照图案形状去除部分二氧化硅薄膜；(3)将腐蚀后的硅衬底用热腐蚀剂去除掉蓝膜，制成图案薄膜。本发明优点：在不影响二氧化硅薄膜背封效果的前提下，通过将二氧化硅薄膜腐蚀成特定的形状，降低了二氧化硅薄膜的应力，提升了硅基背封抛光片的几何参数品质，从而能满足更高精度要求的光刻制程。
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公开(公告)号：CN112985292A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911297366.9
申请日：2019-12-12
申请人： 山东有研半导体材料有限公司
IPC分类号： G01B11/24
摘要： 本发明公开了一种用于辅助调整晶圆加工设备工作盘的检测装置和方法。该检测装置包括光线发射机构、光线接收机构以及数据处理器，数据处理器通过数据连接线分别与光线发射机构及光线接收机构连接。光线发射机构具体包括一个带有可调节地脚的支架、光线发射器、XY移动机构、发射角调整机构；光线接收机构具体包括一个带有可调节地脚的支架、光线接收器、XY移动机构；数据处理器具体包括触摸屏、运动控制器和算法程序。使用该装置对晶圆加工设备工作盘进行测试，可以快速准确测量晶圆加工设备工作盘运行状态，为工艺人员提供准确的测量数据，提高工作效率。
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公开(公告)号：CN112746330A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011596433.X
申请日：2020-12-29
申请人： 有研半导体材料有限公司 , 山东有研半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开一种用于硅片消除氧施主热处理过程的冷却装置和方法。该冷却装置具备：冷液冷却系统，包括由数根冷水管组成的冷水管排、用于固定该冷水管排的固定装置、以及通过波纹管连接冷水管排的进水管和出水管；所述固定装置包括用于固定冷水管排不同部位的固定梁，在固定梁上装载有风速表及温湿度传感器；在进水管和出水管上分别安装有压力表、温度计，在波纹管上安装有流量计和阀门；通风系统，包括数个轴流风机以及用于机械固定轴流风机的紧固装置，轴流风机设置在冷水管排的一侧，并朝向冷水管排鼓风；控制系统，用于对冷却环境进行智能控制。本发明能够使得硅片退火出舟后快速和稳定的降温，有利于其快速退出氧施主的高生成率温区。
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