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发明授权
CN112992672B 一种硅基二氧化硅背封薄膜的制备方法 有权

一种硅基二氧化硅背封薄膜的制备方法
摘要：
本发明公开了一种硅基二氧化硅背封薄膜的制备方法，该方法包括高温氧化预处理步骤和低温低压CVD沉积步骤；在高温氧化预处理步骤中，温度为1000℃‑1100℃，氧气流量为20‑30sccm，时间为10‑20min；在低温低压CVD沉积步骤中，温度为600℃‑700℃，正硅酸乙酯的流量为100‑200sccm，氧气流量为150‑250sccm，压力为100‑300MT。本发明的方法通过高温氧化预处理和低温低压CVD沉积组合方式制备二氧化硅背封薄膜，能够显著提升二氧化硅背封薄膜的致密性。本发明工艺控制简单，能够满足硅基材料背封薄膜特别是8英寸以上大直径硅基材料背封薄膜的制备工艺要求。
公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314 ......无机层（H01L21/3105，H01L21/32优先）
H01L21/316 .......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层
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