公开(公告)号：CN103563340B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201180071307.5

申请日：2011-06-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 篠田孝夫 ,  稻村良作 ,  山口慎吾

IPC: H04M1/02 ,  H01M2/10

CPC classification number: H04M1/0202 ,  H01M2/1066 ,  H04B1/3888 ,  H04M1/0214 ,  H04M1/0262 ,  H04M1/0274 ,  H04M1/18

Abstract: 便携式电子设备具有：具备防水区域的主体部；和覆盖上述防水区域的盖部。上述盖部和上述主体部中的一方具备：密封部件，其在上述防水区域的周向整周与另一方的在同一面上形成的接触面接触，从而对上述防水区域进行密封；和限定部，其用于限定所述密封部件的位置。

公开(公告)号：CN100440324C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN03827149.4

申请日：2003-09-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 杉本利夫 ,  稻村良作 ,  涡卷拓也 ,  前田麻贵 ,  下田一正 ,  大岛武典 ,  田中厚志

IPC: G11B5/667 ,  G11B5/738 ,  G11B5/65

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/7325

Abstract: 垂直磁记录介质由基板和在基板上层压的各层构成，即，在基板上顺序层压软磁性内层、种子层、磁通狭缝层、非磁性中间层、记录层、保护膜、以及润滑层，磁通狭缝层13具有大致柱状结构的软磁性粒子，该软磁性粒子具有非磁性部分的边界部，使来自记录磁头的磁通只狭窄到软磁性粒子的部分，从而抑制磁通的扩散。另外，展示了将磁通狭缝层设在记录层上的垂直磁记录介质。

公开(公告)号：CN101312048A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810099946.2

申请日：2008-05-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 五十岚聪志 ,  菊池晓 ,  贝津功刚 ,  稻村良作 ,  佐藤贤治 ,  佐藤伸也 ,  高星英明 ,  远藤敦 ,  柴田寿人

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/64 ,  G11B5/733

CPC classification number: G11B5/65 ,  G11B5/66 ,  G11B5/667 ,  G11B5/7325

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质和磁存储设备，所述磁记录介质具有基板、形成在所述基板上的非磁性颗粒层和形成在所述非磁性颗粒层上的记录层。所述非磁性颗粒层由具有hcp或fcc晶体结构的CoCr合金制成，其中非磁性材料偏析于基本柱状的磁性颗粒周围。所述磁记录介质和使用所述介质的磁存储设备具有改进的读/写性能。

公开(公告)号：CN101154392A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710154362.6

申请日：2007-09-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 稻村良作 ,  贝津功刚

IPC: G11B5/667 ,  H01F1/153

Abstract: 一种磁记录介质和磁记录设备，本发明的磁记录介质包括：无磁基底材料、软磁下层、中间层、记录层和保护层，这些层堆叠在基底材料上。软磁下层由下软磁层、磁畴控制层(或无磁层)和上软磁层形成。下软磁层和上软磁层均由非晶材料制成，该非晶材料是通过向铁钴(Fe－Co)合金中加入锆(Zr)和钽(Ta)中至少一种元素而非晶化，该铁钴合金构成为形成体心立方(bcc)结构。

公开(公告)号：CN100362572C

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200510008091.4

申请日：2005-02-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 杉本利夫 ,  稻村良作

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/02

CPC classification number: G11B5/66 ,  G11B5/82 ,  G11B2005/0002 ,  G11B2005/0021 ,  G11B2005/0029

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质、磁记录设备和磁记录方法。该磁记录介质包括：衬层，包含第一磁性层和形成在第一磁性层之上的第二磁性层，第二磁性层是亚铁磁性的并且在与第一磁性层相反的方向上被磁化，和第三磁性层，形成在第二磁性层之上并且在与第二磁性层相反的方向上被磁化；和垂直磁性记录层，形成在衬层之上，用于记录磁信息。在第一磁性层和第二磁性层之间以及在第二磁性层和第三磁性层之间各形成反铁磁性的交换互联通路。衬层满足关系式t1＞t2≥t3，t1为第一磁性层的膜厚度，t2为第二磁性层的膜厚度，t3为第三磁性层的膜厚度。利用本发明，在记录信息时使用低的磁化强度也不会失败，并且能产生高的信号输出，抑制介质噪声。

公开(公告)号：CN1839429A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN03827149.4

申请日：2003-09-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 杉本利夫 ,  稻村良作 ,  涡卷拓也 ,  前田麻贵 ,  下田一正 ,  大岛武典 ,  田中厚志

IPC: G11B5/667 ,  G11B5/738 ,  G11B5/65

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/7325

Abstract: 垂直磁记录介质由基板和在基板上层压的各层构成，即，在基板上顺序层压软磁性内层、种子层、磁通狭缝层、非磁性中间层、记录层、保护膜、以及润滑层，磁通狭缝层13具有大致柱状结构的软磁性粒子，该软磁性粒子具有非磁性部分的边界部，使来自记录磁头的磁通只狭窄到软磁性粒子的部分，从而抑制磁通的扩散。另外，展示了将磁通狭缝层设在记录层上的垂直磁记录介质。