公开(公告)号：CN109473477B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201811042221.X

申请日：2018-09-07

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小林勇介 ,  大瀬直之 ,  原田信介 ,  武井学

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

公开(公告)号：CN113892189A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202080039260.3

申请日：2020-05-26

Applicant: 富士电机株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 俵武志 ,  水岛智教 ,  松永慎一郎 ,  竹中研介 ,  武井学 ,  土田秀一 ,  村田晃一 ,  小山皓洋 ,  中山浩二 ,  染谷满 ,  米泽喜幸 ,  木内祐治

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 碳化硅半导体装置(60)具有有源区(51)和配置于上述有源区(51)的外侧的终端结构部(52)。碳化硅半导体装置(60)具备第二导电型的半导体基板(1)、第二导电型的第一半导体层(2)、第一导电型的第二半导体层(4)、第二导电型的第一半导体区(6)、第一导电型的第二半导体区(7)、栅绝缘膜(9)、栅电极(10)、第一电极(11)和第二电极(12)。第二半导体层(4)的位于终端结构部(52)的端部(T)在通电时的电子密度或空穴的密度中的更小的一方的密度为1×1015/cm3以下。

公开(公告)号：CN102804386B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201180007576.5

申请日：2011-01-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 大西泰彦 ,  北村睦美 ,  杉祥夫 ,  武井学

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7813

Abstract: 平行p-n层（20）被设置为有源部分和n+漏区（11）之间的漂移层。平行p-n层（20）由反复交替接合的n型区（1）和p型区（2）构成。n型高浓度区（21）设置在n型区（1）的第一主表面侧。n型高浓度区（21）的杂质浓度高于设置在n型区（1）的第二主表面侧的n型低浓度区（22）的杂质浓度。n型高浓度区（21）的杂质浓度大于或等于n型低浓度区（22）的杂质浓度的1.2倍且小于或等于其3倍、优选大于或等于其1.5倍且小于或等于其2.5倍。同样，n型高浓度区（21）的厚度小于或等于n型区（1）中的与p型区（2）相邻的区域的厚度的1/3、优选大于或等于其1/8且小于或等于其1/4。

公开(公告)号：CN102804386A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201180007576.5

申请日：2011-01-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 大西泰彦 ,  北村睦美 ,  杉祥夫 ,  武井学

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7813

Abstract: 平行p-n层（20）被设置为有源部分和n+漏区（11）之间的漂移层。平行p-n层（20）由反复交替接合的n型区（1）和p型区（2）构成。n型高浓度区（21）设置在n型区（1）的第一主表面侧。n型高浓度区（21）的杂质浓度高于设置在n型区（1）的第二主表面侧的n型低浓度区（22）的杂质浓度。n型高浓度区（21）的杂质浓度大于或等于n型低浓度区（22）的杂质浓度的1.2倍且小于或等于其3倍、优选大于或等于其1.5倍且小于或等于其2.5倍。同样，n型高浓度区（21）的厚度小于或等于n型区（1）中的与p型区（2）相邻的区域的厚度的1/3、优选大于或等于其1/8且小于或等于其1/4。

公开(公告)号：CN101931007B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201010207349.4

申请日：2010-06-18

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 北村睦美 ,  武井学

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够在活性区和终端区改变单位单元的间距的情况下在其过渡区的单位单元内实现电荷平衡，从而能够防止耐压降低。将过渡区(22)的p隔离区域的形状相对于活性区(21)和终端区(23)改变，在活性区(21)、过渡区(22)和终端区(23)的各p隔离区域(4a)、(4b)、(4c)和n漂移区域(3)取得电荷平衡，由此实现防止耐压降低。