-
公开(公告)号：CN108112184B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201711064670.X
申请日：2017-11-02
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H05K3/34
Abstract: 本发明公开了一种S波段100瓦脉冲功率放大器的制作方法，具体包括下述步骤：步骤一：S波段100瓦脉冲功率放大器微波模块电路板元器件烧结；步骤二：S波段100瓦脉冲功率放大器电源模块电路板元器件烧结；步骤三：将微波模块电路板以及元器件烧结装配到腔体上；步骤四：将电源模块电路板以及元器件焊接装配到腔体上；步骤五：对装配完成的组件进行调试、测试、封盖和打标。本发明提供的一种S波段100瓦脉冲功率放大器的制作方法，工艺流程科学、简便，生产的产品合格率较之前有较大的提高，设备投资成本低，对生产员工的素质要求不高，进行基本培训即可上岗，适合小批量生产。
-
公开(公告)号：CN106714471B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201611203427.7
申请日：2016-12-23
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种S波段脉冲3瓦放大器的制作工艺，包括：步骤1：将绝缘子和Rogers电路板烧结到腔体上；步骤2：将多个元器件烧接或螺丝固定至Rogers电路板上；步骤3：将步骤2中通过螺丝固定的元器件焊接在Rogers电路板上；步骤4：对步骤3中组装好的器件进行调试和测试；步骤5：将步骤4中测试合格的组件封盖、打标。该制作工艺流程科学、精简，生产的产品合格率高，并且容易掌握。
-
公开(公告)号：CN107433392A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710777774.9
申请日：2017-09-01
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种L波段功率放大器腔体的激光密封焊接方法，所述L波段功率放大器腔体的激光密封焊接方法包括：步骤1，检查待焊接功率放大器的腔体和盖板的匹配性；步骤2，清洗待焊接功率放大器的腔体和盖板；步骤3，将待焊接功率放大器和盖板放入真空烘箱中烘烤；步骤4，将烘烤后的盖板焊接到待焊接功率放大器的腔体上；步骤5，对焊接后的焊接件进行检查。该激光密封焊接方法提高激光封焊的一次性合格率，对于节约成本、提高效率以及提高产品的质量具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN106658983A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611203390.8
申请日：2016-12-23
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种L波段4瓦高增益宽带功率放大器的制作工艺，包括：步骤1、将元器件烧结到Rogers电路板上；步骤2、将装好元器件的Rogers电路板烧结到底板上；步骤3、对装好的组件进行调试、测试、打标。该制作工艺流程科学、简便，生产的产品合格率高，并且容易掌握。
-
公开(公告)号：CN106658983B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201611203390.8
申请日：2016-12-23
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种L波段4瓦高增益宽带功率放大器的制作工艺，包括：步骤1、将元器件烧结到Rogers电路板上；步骤2、将装好元器件的Rogers电路板烧结到底板上；步骤3、对装好的组件进行调试、测试、打标。该制作工艺流程科学、简便，生产的产品合格率高，并且容易掌握。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108161264A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711246764.9
申请日：2017-12-01
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明涉及X波段收发组件的制作方法，公开了一种X波段收发组件的制作方法，该X波段收发组件的制作方法包括：步骤1，将多种不同的芯片共晶到相应的载体上；步骤2，将多个接头、基板和电路板烧结到收发组件壳体上；步骤3，将一般元器件和共晶之后的芯片烧结到电路板上得到部件A；步骤4，对部件A进行金丝键合，并进行测试和调试后进行封盖。该X波段收发组件的制作方法克服了现有技术中的合格率较低的问题，实现了科学、简便的生产此放大器，并使得生产的产品合格率较之前有较大的提高。
-
公开(公告)号：CN108112184A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711064670.X
申请日：2017-11-02
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H05K3/34
Abstract: 本发明公开了一种S波段100瓦脉冲功率放大器的制作方法，具体包括下述步骤：步骤一：S波段100瓦脉冲功率放大器微波模块电路板元器件烧结；步骤二：S波段100瓦脉冲功率放大器电源模块电路板元器件烧结；步骤三：将微波模块电路板以及元器件烧结装配到腔体上；步骤四：将电源模块电路板以及元器件焊接装配到腔体上；步骤五：对装配完成的组件进行调试、测试、封盖和打标。本发明提供的一种S波段100瓦脉冲功率放大器的制作方法，工艺流程科学、简便，生产的产品合格率较之前有较大的提高，设备投资成本低，对生产员工的素质要求不高，进行基本培训即可上岗，适合小批量生产。
-
公开(公告)号：CN108031938A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711360256.3
申请日：2017-12-15
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明适用于微波模块制作工艺技术领域，提供了一种S波段一分四功分器的制作工艺，该工艺包括如下步骤：S1、气相清洗腔体、电路板及绝缘子；S2、将片电阻及功分器烧结到电路板上；S3、将电路板及绝缘子烧结到腔体上；S4、对步骤S3中烧结完毕的组件进行测试及调试、测试合格后，封盖、打标。本发明实施例提供的S波段一分四功分器的工艺流程简单、方便、科学，提高了产品的合格率，提高了车间生产的效率，降低了整机产品调试的难度，节约了项目成本，适合小批量或大批量生产。
-
公开(公告)号：CN107968632A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711063872.2
申请日：2017-11-02
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
CPC classification number: H03F1/00 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B2203/007 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F2200/451 , H05K3/34
Abstract: 本发明公开了一种Ku波段40瓦功率放大器的制作工艺，步骤一：将Rogers电路板烧结到腔体上；步骤二：将阻容器件烧结到电路板上；步骤三：将功放管烧结到腔体上；步骤四：将前级放大器、滤波器、隔离器安装到腔体上；步骤五：烧结电源模块电路板并安装到腔体上；步骤六：调试、测试、封盖。本发明提供的一种Ku波段40瓦功率放大器的制作工艺，工艺流程科学、简便，生产的产品合格率高，提高了生产效率，节约了生产成本。
-
公开(公告)号：CN107612509A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710777762.6
申请日：2017-09-01
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明涉及微波模块制作加工工艺的技术领域，公开了一种L波段120瓦小型化高功率放大器的加工方法，该加工方法包括：步骤1，将裸芯片共晶至钼铜载体上进行备用得到A；步骤2，将绝缘子和电路板烧结到壳体上得到B；步骤3，将元器件烧结到电路板上得到C；步骤4，在相应位置金丝键合D；步骤5，逐步进行调试、测试、封盖和打标，得到L波段120瓦小型化高功率放大器。该L波段120瓦小型化高功率放大器的加工方法能够实现输出功率高、增益高、能量转化效率高而且轻量化体积小。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.036 seconds)
