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公开(公告)号：CN112912356A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201980070845.9
申请日：2019-10-29
申请人： 宇部兴产株式会社
IPC分类号： C04B35/593 , C04B35/64 , H05K1/03
摘要： 一种氮化硅基板的制造方法，其特征在于，将包含氮化硅粉末和烧结助剂的多张生片以在它们之间夹持分离材料的方式层叠并烧结后进行分离，由此得到多张氮化硅烧结体，从而由氮化硅烧结体得到氮化硅基板，分离材料包含氮化硅粉。由于得到的氮化硅基板在表面不含氮化硼粉，因此在与铜接合时的热循环性优异。分离材料的通过BET法测定的比表面积为1m2/g以上且20m2/g以下，通过激光衍射散射法测定的体积基准的50％粒径D50为20μm以下，并且氧量为0.3重量％以上且低于2重量％，通过将分离材料以0.1mg/cm2以上且3mg/cm2以下的涂布量涂布在生片表面，能够得到热导率在室温下为80W/(m·K)以上、4点弯曲强度在室温下为800MPa以上的氮化硅基板。
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公开(公告)号：CN105980299A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580008245.1
申请日：2015-02-09
申请人： 宇部兴产株式会社
IPC分类号： C01B21/068 , B22C3/00 , C01B33/02 , C10M103/06 , C10N40/36
摘要： 本发明提供一种离型材用氮化硅粉末浆料及其制造方法、离型材用氮化硅粉末、离型材、以及用以获得该离型材用氮化硅粉末浆料的浆料用氮化硅粉末及其制造方法、以及多结晶硅锭的离型性良好的多结晶硅铸造用铸模及其低成本制造方法，上述离型材用氮化硅粉末浆料无需使用粘合剂等添加剂且无需经过烧结步骤即可于多结晶硅铸造用铸模形成不仅多结晶硅锭的离型性良好且多结晶硅锭铸造后对铸模的密接性也良好的离型层。本发明涉及一种浆料用氮化硅粉末，其是用于多结晶硅铸造用铸模的离型层形成用浆料的氮化硅粉末，且比表面积为5～50m2/g，非晶质氮化硅的比例为1.0～25.0质量％，含氧量为0.6～2.5质量％。
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公开(公告)号：CN103282307B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180062857.0
申请日：2011-07-27
申请人： 宇部兴产株式会社
IPC分类号： C01B33/02 , B22C3/00 , B22D25/04 , C01B21/068
CPC分类号： B28B7/36 , B22C3/00 , B22D18/02 , B22D21/00 , C01B21/068 , C01B33/02 , C01P2004/03 , C01P2004/52 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C01P2006/80 , C30B11/002 , C30B29/06 , Y10T428/2982
摘要： 本发明提供多晶硅铸锭铸造用铸模以其脱模材料用氮化硅粉末、含有该脱模层用氮化硅粉末的浆料及其铸造用脱模材料，它们的成本低且与铸模的接合性优异，可以抑制对凝固的硅铸锭进行脱模时的缺损和破损的发生，从而以高成品率得到高品质的硅铸锭。本发明为一种多晶硅铸锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末，其特征在于，以由SEM图像的图像解析而算出的面积比计，所述粉末中单分散的粒状结晶一次颗粒的比例为95%以上。
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公开(公告)号：CN103282307A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180062857.0
申请日：2011-07-27
申请人： 宇部兴产株式会社
IPC分类号： C01B33/02 , B22C3/00 , B22D25/04 , C01B21/068
CPC分类号： B28B7/36 , B22C3/00 , B22D18/02 , B22D21/00 , C01B21/068 , C01B33/02 , C01P2004/03 , C01P2004/52 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C01P2006/80 , C30B11/002 , C30B29/06 , Y10T428/2982
摘要： 本发明提供多晶硅铸锭铸造用铸模以其脱模材料用氮化硅粉末、含有该脱模层用氮化硅粉末的浆料及其铸造用脱模材料，它们的成本低且与铸模的接合性优异，可以抑制对凝固的硅铸锭进行脱模时的缺损和破损的发生，从而以高成品率得到高品质的硅铸锭。本发明为一种多晶硅铸锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末，其特征在于，以由SEM图像的图像解析而算出的面积比计，所述粉末中单分散的粒状结晶一次颗粒的比例为95%以上。
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