公开(公告)号：CN115398046A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202180028167.7

申请日：2021-03-30

Applicant: 学校法人关西学院 ,  东洋铝株式会社 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  堂岛大地 ,  松原萌子 ,  西尾佳高

IPC: C30B29/38 ,  C04B35/645 ,  C30B23/06 ,  C30B33/02 ,  C04B35/581

Abstract: 本发明的目的是提供一种抑制塌陷的改性AlN原料。改性氮化铝原料的制造方法包括对氮化铝原料进行加热处理并生成氮化铝烧结体的加热处理步骤。

公开(公告)号：CN115398043A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202180028205.9

申请日：2021-03-30

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  堂岛大地

IPC: C30B29/36 ,  B23K26/382 ,  C30B33/02 ,  C30B33/04 ,  C30B33/12 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种能够去除通过激光加工引入到碳化硅衬底中的应变层的新颖技术。本发明是一种碳化硅衬底的制造方法，包括：进行激光加工以通过对碳化硅衬底照射激光而去除所述碳化硅衬底的一部分的加工步骤，和通过对所述碳化硅衬底进行热处理而去除通过所述加工步骤引入到所述碳化硅衬底中的应变层的应变层去除步骤。此外，本发明是一种去除通过激光加工引入到碳化硅衬底中的应变层的方法，其包括对碳化硅衬底进行热处理的应变层去除步骤。

公开(公告)号：CN114424343A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080065920.5

申请日：2020-09-24

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/04 ,  C30B23/02 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明所要解决的技术问题是提供一种与具有能够降低电阻的位错转变层的SiC衬底和SiC半导体相关的新技术。本发明是一种SiC衬底和一种SiC半导体装置，其包括掺杂浓度为1×1015cm‑3以上的位错转变层(12)。通过包括这样的掺杂浓度的位错转变层(12)，可以抑制基底面位错扩展而产生高电阻的层叠缺陷，可以降低制造SiC半导体装置时的电阻。

公开(公告)号：CN114423889A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080065931.3

申请日：2020-09-24

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/02 ,  C30B33/08 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种在抑制了SiC升华的同时减少了内部应力的新型的SiC单晶主体。为了解决上述问题，本发明提供一种SiC单晶的制造方法，其包括将SiC单晶主体在含有Si元素和C元素的气氛下在1800℃以上进行加热并减少所述SiC单晶主体的内部应力的应力减少步骤。此外，本发明是一种SiC单晶的制造装置，包括：主体容器，由SiC材料制成且能够收纳SiC单晶主体；和加热炉，能够将所述主体容器在1800℃以上进行加热。

公开(公告)号：CN114293247A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111338480.9

申请日：2017-04-27

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  久津间保德 ,  芦田晃嗣 ,  桥本辽

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  C30B25/08 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B25/10 ,  H01L21/02

Abstract: 在由包含TaC的材料组成的TaC容器(2)内收容由包含多晶SiC的材料组成的SiC容器(3)，且在将衬底基板(40)收容在该SiC容器(3)内部的状态下，以该TaC容器(2)内成为Si蒸气压力的方式且以产生温度梯度的环境加热TaC容器(2)。其结果，通过因SiC容器(3)的内表面被蚀刻而升华的C原子和环境中的Si原子键合，在衬底基板(40)上生长单晶3C‑SiC的外延层(41)。

公开(公告)号：CN114207195A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080018847.6

申请日：2020-03-03

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  吉田奈都纪 ,  青木一史

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/12

Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种抑制了宏观台阶聚束的形成的SiC衬底的制造方法及其制造装置。本发明的特征在于包括：主体容器(20)，能够收纳SiC衬底(10)，并且通过加热在内部空间中产生包含Si元素的气相物种和包含C元素的气相物种的蒸气压；以及加热炉(30)，收纳所述主体容器(20)并进行加热，使得在内部空间中产生包含Si元素的气相物种的蒸气压并形成温度梯度，其中，所述主体容器(20)具有：蚀刻空间(S1)，在将所述SiC衬底(10)配置在所述温度梯度的高温侧的状态下，使配置在所述温度梯度的低温侧的所述主体容器(20)的一部分和所述SiC衬底(10)相对而形成；以及Si蒸气供给源(25)，能够将Si蒸气供给到所述主体容器(20)内。

公开(公告)号：CN114174563A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202080030813.9

申请日：2020-04-24

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭

IPC: C30B23/06 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明的要解决的问题是提供一种新颖的SiC衬底的制造方法及其制造装置。实现了一种加热相对的两个SiC衬底并将原料从一个SiC单晶衬底输送到另一个SiC单晶衬底的SiC衬底的制造方法及其制造装置。由此，可以将相对的SiC单晶衬底表面彼此用作晶体生长的原料，因而可以实现经济性优异的SiC衬底的制造方法。

公开(公告)号：CN114144546A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202080024446.1

申请日：2020-03-25

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭

IPC: C30B33/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供一种即使是直径或长径相对较大的半导体衬底也能够均匀地加热表面的半导体衬底制造装置。一种半导体衬底的制造装置包括：主体容器，收纳半导体衬底；以及加热炉，具有收纳所述主体容器的加热室，其中，所述加热炉在与应配置在所述加热室内的所述半导体衬底交叉的方向上具有加热源。

公开(公告)号：CN113227466A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980072707.4

申请日：2019-11-05

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  芦田晃嗣 ,  井原知也 ,  堂岛大地

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有台阶高度被控制的生长层的SiC半导体衬底及其制造方法以及其制造装置。其特征在于，包括用于使SiC衬底(10)在SiC‑Si平衡蒸气压环境下生长的生长步骤。这样通过使SiC衬底(10)在SiC‑Si平衡蒸气压环境下生长，可以提供一种生长层的台阶高度被控制的SiC半导体衬底。

公开(公告)号：CN119547193A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202380053842.0

申请日：2023-07-31

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  堂岛大地 ,  户田晃平 ,  牧瑞穗

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种能够抑制光致发光测量中的背景发光强度的变化的新技术。本发明是用于抑制光致发光测量中的背景发光强度的变化的方法，该方法包括：去除存在于半导体衬底(10)上的加工变质层(11)的至少一部分的加工变质层去除工序(S10)；以及通过光致发光测量来获取半导体衬底(10)中的晶体缺陷的分布信息的光致发光测量工序(S30)。