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公开(公告)号：CN119547193A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202380053842.0
申请日：2023-07-31
IPC: H01L21/66 , H01L21/304
Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种能够抑制光致发光测量中的背景发光强度的变化的新技术。本发明是用于抑制光致发光测量中的背景发光强度的变化的方法，该方法包括：去除存在于半导体衬底(10)上的加工变质层(11)的至少一部分的加工变质层去除工序(S10)；以及通过光致发光测量来获取半导体衬底(10)中的晶体缺陷的分布信息的光致发光测量工序(S30)。
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