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公开(公告)号：CN117779032A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410025252.3
申请日：2024-01-08
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种高结合性耐高温复合涂层及其制备方法，属于表面薄膜制备技术领域，方法步骤包括：对基体材料进行微加工刻蚀，以在基体材料表面形成周期性图案，进行喷砂处理，在基体材料表面溅射形成四面体非晶碳过渡层薄膜，继续化学气相沉积出金刚石保护膜，从而在基体材料表面获得高结合性耐高温复合涂层，该方法可以提高金刚石在基体材料上的形核率，增加金刚石保护膜和基体材料之间的结合力，四面体非晶碳薄膜可以贴合不同材料，如金属、塑料、无机非金属等，又不会出现沉积时严重的应力问题，将四面体非晶碳作为基体材料的过渡层可以增加金刚石在基体材料上的稳定性，在高温情况下有效保护基体材料的抗氧化以及抗腐蚀等性能。
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公开(公告)号：CN117488283A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311504264.6
申请日：2023-11-13
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/511 , C23C16/27 , C23C16/02
Abstract: 本申请涉及光电领域，公开了一种异质外延生长高导热防护金刚石薄膜及其制备方法，包括以下步骤：将基片放置在脉冲激光沉积系统的样品台上，将靶材放置在靶托，在基片表面脉冲激光沉积保护层；将沉积后的基片放置在微波等离子体化学气相沉积系统的样品台上，通入氢气和氩气，对保护层表面进行等离子体清洗；停止通入氩气，通入甲烷气体和氧气气体，在保护层表面生长金刚石；停止通入甲烷和氧气，降低氢气流量、气压、微波功率，降温速率低于每秒钟1℃，破真空后取出具有高导热防护金刚石薄膜的基片。通过脉冲激光沉积的保护层对所保护的基片的损伤非常低，并且在保护层成功的异质外延生长金刚石层，可以大幅降低金刚石和基片间直接的界面热阻。
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公开(公告)号：CN117165915A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311194736.2
申请日：2023-09-15
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/27 , C23C16/511 , C23C16/02
Abstract: 本申请属于光电技术领域，公开了一种高透过率金刚石微结构制备方法，该方法包括：步骤S1，利用金刚石纳米粉的无水乙醇悬浊液和无水乙醇溶液，对第一基材进行超声处理和清洗，得到第二基材，步骤S2，通过激光，对第二基材进行表面刻蚀，以使第二基材表面形成设计需求的金刚石生长区域和抑制金刚石生长区域，得到第三基材，步骤S3，运用氢气、氩气和甲烷气体，基于金刚石生长区域和抑制金刚石生长区域，在第三基材表面进行金刚石生长，得到高透过率金刚石微结构，通过超声技术和激光，结合氢气、氩气和甲烷气体，基于金刚石生长区域和抑制金刚石生长区域，制备得到高透过率金刚石微结构，提高了高透过率金刚石微结构制备的效率。
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公开(公告)号：CN114561617A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210204583.4
申请日：2022-03-03
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及溅射镀膜领域，公开了一种金属氧化物薄膜的制备方法及金属氧化物薄膜，所述金属氧化物薄膜的制备方法采用反应磁控溅射制备金属氧化物薄膜，其中，包括以下步骤：采用微波远程等离子体源对氧气进行活化处理，微波功率为1000‑2000W；向磁控溅射腔体内导入经过活化处理的氧气，以金属为靶材，在基底上沉积所述金属氧化物薄膜。本申请提供的金属氧化物薄膜的制备方法，基于反应磁控溅射工艺，并利用微波远程等离子体源对氧气预先进行活化处理，可以提高金属氧化物薄膜的结晶度和性能。
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公开(公告)号：CN119081005B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411576404.5
申请日：2024-11-06
Applicant: 季华实验室
IPC: C08F222/14 , C08J9/26 , C08F220/06 , C08F220/56 , B01J20/26 , B01J20/30 , C08L35/02
Abstract: 本申请涉及生物化工技术领域，公开了一种反式阿魏酸双功能单体分子印迹聚合物及其制备方法、应用。步骤包括：配制反式阿魏酸溶液；将反式阿魏酸溶液平均分成第一反式阿魏酸溶液和第二反式阿魏酸溶液，在第一反式阿魏酸溶液中加入甲基丙烯酸后搅拌混合，在第二反式阿魏酸溶液中加入丙烯酰胺后搅拌混合，再将第一反式阿魏酸溶液和第二反式阿魏酸溶液混合得到混合溶液；在混合溶液中加入交联剂和偶氮二异丁腈，通入氮气，密封，加热到反应温度，搅拌反应，得到聚合材料；将聚合材料洗去反式阿魏酸，再洗至中性，加热真空干燥，得到反式阿魏酸双功能单体分子印迹聚合物。该印迹聚合物可实现高效特异性吸附，可经固相萃取对反式阿魏酸大规模分离纯化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119081005A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411576404.5
申请日：2024-11-06
Applicant: 季华实验室
IPC: C08F222/14 , C08J9/26 , C08F220/06 , C08F220/56 , B01J20/26 , B01J20/30 , C08L35/02
Abstract: 本申请涉及生物化工技术领域，公开了一种反式阿魏酸双功能单体分子印迹聚合物及其制备方法、应用。步骤包括：配制反式阿魏酸溶液；将反式阿魏酸溶液平均分成第一反式阿魏酸溶液和第二反式阿魏酸溶液，在第一反式阿魏酸溶液中加入甲基丙烯酸后搅拌混合，在第二反式阿魏酸溶液中加入丙烯酰胺后搅拌混合，再将第一反式阿魏酸溶液和第二反式阿魏酸溶液混合得到混合溶液；在混合溶液中加入交联剂和偶氮二异丁腈，通入氮气，密封，加热到反应温度，搅拌反应，得到聚合材料；将聚合材料洗去反式阿魏酸，再洗至中性，加热真空干燥，得到反式阿魏酸双功能单体分子印迹聚合物。该印迹聚合物可实现高效特异性吸附，可经固相萃取对反式阿魏酸大规模分离纯化。
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公开(公告)号：CN118504367B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410980769.8
申请日：2024-07-22
Applicant: 深圳市联合蓝海应用材料科技股份有限公司 , 季华实验室
IPC: G06F30/23 , G06F113/08
Abstract: 本申请实施例提供一种电镀仿真模型构建及仿真方法、装置、处理器及存储介质，涉及虚拟仿真技术领域，电镀仿真模型构建方法包括：对目标电镀设备的电镀腔体进行几何建模，得到几何模型；确定几何模型的仿真参数信息；确定几何模型的目标物理场及目标物理场的初边值条件，并基于目标物理场进行多物理场耦合，构建出电镀仿真模型；其中，目标物理场包括三次电流分布物理场、层流物理场和电极壳物理场。本申请通过更全面地考虑各种因素对镀层形成过程的影响，提高了仿真结果的准确性和可靠性，从而便于相关人员基于仿真结果提高产品质量和生产效率。
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公开(公告)号：CN117535624B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410037451.6
申请日：2024-01-10
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/08 , C23C14/32 , C22C27/02 , G01J5/0875
Abstract: 本申请涉及激光防护技术，公开了具有氧化钒薄膜的红外窗口及制备方法和应用，包括以下步骤：以红外窗口为基底，放入过滤阴极真空电弧沉积设备的真空腔体中，以钒‑钆合金为金属靶，在基底上沉积氧化钒薄膜。本申请的具有氧化钒薄膜的红外窗口的制备方法，利用高离化率的过滤阴极真空电弧工艺制备氧化钒薄膜，通过工艺参数的调整并掺杂合适的元素，使沉积得到的氧化钒薄膜具有超细的晶粒和较低的表面粗糙度，对激光的响应时间在皮秒量级。
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公开(公告)号：CN117535624A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202410037451.6
申请日：2024-01-10
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/08 , C23C14/32 , C22C27/02 , G01J5/0875
Abstract: 本申请涉及激光防护技术，公开了具有氧化钒薄膜的红外窗口及制备方法和应用，包括以下步骤：以红外窗口为基底，放入过滤阴极真空电弧沉积设备的真空腔体中，以钒‑钆合金为金属靶，在基底上沉积氧化钒薄膜。本申请的具有氧化钒薄膜的红外窗口的制备方法，利用高离化率的过滤阴极真空电弧工艺制备氧化钒薄膜，通过工艺参数的调整并掺杂合适的元素，使沉积得到的氧化钒薄膜具有超细的晶粒和较低的表面粗糙度，对激光的响应时间在皮秒量级。
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公开(公告)号：CN115010098A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210891740.3
申请日：2022-07-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于硫酸加工领域，公开了一种高效制备超净高纯硫酸的方法。该方法是以工业级硫酸氢钠为原料，将络合、重结晶、阳离子交换树脂和阴离子交换树脂依次交换、脱水、过热蒸汽微孔膜过滤、真空减压干燥、减压热分解、三氧化硫吸收制备高纯硫酸结合在一起，可以制备出符合SEMI‑C8或SEMI‑C12标准的超净高纯硫酸，并且产量高，产品质量稳定。本发明克服了传统制备方法原料不安全、环保、杂质含量偏高、能耗高的不足。
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