公开(公告)号：CN111422094A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010168865.4

申请日：2020-03-11

Applicant: 国网辽宁省电力有限公司大连供电公司 ,  大连理工大学 ,  国家电网有限公司

Inventor： 栾敬钊 ,  葛维春 ,  杨万清 ,  隋佳新 ,  王振南 ,  张宏宇 ,  金鹏 ,  杨超 ,  郭嘉宁 ,  陶婷婷

IPC: B60L53/62 ,  B60L53/63

Abstract: 本发明公开了一种分布式充电桩的充放电协调优化控制方法。本发明利用日前负荷预测得到的充电负荷，由决策生成器生成充电最低成本与日充电负荷利润率之间的函数，从而得到第二天各个时间段电动汽车充电裕度以及放电裕度的概率分布表，而后将概率分布表下发到各个充电桩中。在每天的初始控制时刻，充电桩依照与之连接的电动车辆的核电状况、驾驶者需求以及充电概率分布表，从而自主产生充电以及放电计划，而后将计划展示给向电动汽车用户，再由电动汽车用户自发地响应控制流程。本发明不需要实时监控，而是利用充电桩对于充放电行为的自动决策，电动汽车用户自发地响应控制流程，从而实现兼顾电网和电动汽车用户双方利益的目的。

公开(公告)号：CN112967944B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202110130884.2

申请日：2021-01-30

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 王德君 ,  尹志鹏 ,  尉升升 ,  杨超 ,  秦福文

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明属于SiC半导体器件可靠性测试技术领域，一种SiC MOS器件的陷阱量测试和分离方法，其中，测试方法包括以下步骤：(1)SiCMOSCAP/MOSFET器件的测试准备工作，(2)固有氧化物陷阱量测试，(3)采用急速冷却法测试SiC MOSCAP/MOSFET中的激活氧化物陷阱量。分离方法包括以下步骤：(1)固有氧化物陷阱量与界面陷阱量的分离，(2)激活氧化物陷阱量与激活界面陷阱量的分离，(3)SiC MOS器件的开启电压稳定性评价。本发明在通过在低温测试或急速冷却等方法，将陷阱的解陷速率大大降低，从而捕捉到激活陷阱的电学信号，进而提高计算评估及分离陷阱量的准确性。

公开(公告)号：CN114605439B

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202210177401.9

申请日：2022-02-24

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 彭瑛 ,  王欣宇 ,  李自强 ,  杨超

IPC: C07F3/02 ,  C08G63/08 ,  C08G63/83

Abstract: 本发明属于配合物制备及应用领域，公开了一种八核N‑烷氧基‑β‑酮亚胺镁配合物及其制备方法和应用。在氩气环境中，在0℃‑25℃温度范围内将Mg(n‑Bu)2滴加至β‑酮亚胺配体溶液中，0℃‑55℃温度范围内反应3h，得到八核N‑烷氧基‑β‑酮亚胺镁配合物。由此方法制备而成的八核N‑烷氧基‑β‑酮亚胺镁配合物应用包括在催化丙交酯开环聚合中的应用。在溶液及本体条件下，不需要助催化剂参与即可催化丙交酯聚合制备聚丙交酯。催化剂制备方法简单，结构新颖，催化活性高。反应得到的聚合物分子量分布窄，分子量可控。

公开(公告)号：CN110571140A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910850905.0

申请日：2019-09-10

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 王德君 ,  尹志鹏 ,  杨超 ,  秦福文

IPC: H01L21/04

Abstract: 本发明属于SiC MOS器件制造工艺技术领域，一种提高SiC MOS器件性能的含氧元素的氧化后处理方法，包括以下步骤：(1)RCA清洗，(2)干氧氧化，(3)将样品放入等离子体反应室内，(4)等离子体辅助氧化后处理开始，(5)等离子体辅助氧化后处理结束，(6)进行离子注入后退火激活杂质，(7)完成SiC MOSFET的制作。利用ECR微波等离子体对SiC/SiO2界面进行含O等离子体气氛下的低温氧化后处理，而ECR微波等离子体具有高密度、高活性和低损伤的特点，能提高氧化效率，降低界面损伤，有效抑制界面态和近界面氧化物陷阱的产生，从而提升SiC/SiO2的界面质量，最终整体提升SiC MOS器件电学特性。

公开(公告)号：CN109270423A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201811163919.7

申请日：2018-10-03

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 王德君 ,  孙雨浓 ,  杨超 ,  秦福文

IPC: G01R31/26

CPC classification number: G01R31/2642

Abstract: 本发明属于碳化硅半导体器件可靠性测试技术领域，一种SiC MOSFET器件低温稳定性的评价测试方法，包括以下步骤：(1)将经过ECR氮等离子体钝化处理的样品放入探针台，抽真空，降温，(2)对施加电场应力前的样品进行C-V曲线测量，(3)对施加电场应力后的样品进行C-V曲线测量，(4)计算施加电场应力前后C-V曲线的漂移量，(5)评价ECR氮等离子体钝化工艺对器件稳定性的影响。本发明在低温(80～300K)测量时排除了可动电荷和固定电荷对SiC MOSTET器件稳定性的影响，可以探究钝化工艺对氧化层陷阱和界面陷阱单独的钝化效果，计算出样品的氧化层陷阱电荷数和界面陷阱电荷数，可用来评估SiC MOSFET器件的低温稳定性。

公开(公告)号：CN115255463A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210721883.X

申请日：2022-06-24

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 代月帮 ,  李宏坤 ,  杨超 ,  欧佳玉

IPC: B23C3/00 ,  B23C9/00 ,  B23Q3/08 ,  B23Q5/28 ,  B23Q11/00 ,  B23Q17/22

Abstract: 本发明属于机械制造技术领域，提出了一种大型叶轮铣削过程中的振动主动抑制装置及其方法，该装置选用杠杆系统将气囊压强测量问题转化为导杆位移测量问题，同时利用杠杆系统放大功能显著提高压强测量精度，通过小量程位移传感器实现对加工过程中的振动高精度识别，依靠高精度电动缸不断地对气囊进行充气或排气，使气囊维持在恒定的压强状态，为加工过程中叶轮提供有效支撑，显著降低加工振动，提高加工质量和效率。本发明采用气压传动方式，运动平稳保证了测试过程中无额外振动干扰，同时该装置结构灵巧、布局合理、适应性强、寿命长、测量精度高，解决了大型叶轮加工振动难以有效抑制的问题，具有良好的经济性和推广价值。