-
公开(公告)号：CN103237910B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201080067138.3
申请日：2010-10-13
Applicant: 大连理工大学
CPC classification number: C22C9/00 , C22C9/06 , C23C14/165 , C23C14/185 , C23C14/5806
Abstract: 一种低电阻率、高热稳定性的Cu-Ni- Mo合金薄膜，其中以Ni作为固溶元素，Mo作为扩散阻挡元素；Mo/Ni原子百分比比例为0.06-0.20或重量百分比比例0.10-0.33；Ni和Mo的原子百分比或重量百分比为0.14-1.02%。该薄膜同时具有扩散阻挡和高温稳定性。
-
公开(公告)号：CN103046000B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201310016110.2
申请日：2013-01-17
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种可变带隙的Fe-B-Si三元半导体非晶薄膜及其制备方法，属半导体材料技术领域。这种薄膜材料具有如下通式：Fe3B1Six，x为4.8~18；随着x从4.8增加到18，带隙宽度从0.66eV减小到0.60eV，薄膜结构均为非晶态。该薄膜有如下优点：①增加第三组元B会显著提高薄膜的非晶形成能力，并使薄膜在很大的成分区间内呈现半导体性能，带隙宽度可以在一定范围内变化；②只要改变组合溅射靶中Fe3B1合金片的个数，就能改变薄膜中Si的含量，进而获得不同的带隙宽度；③Fe3B1Six薄膜均为非晶态，能够保证成分和性能均匀，有效回避晶态薄膜制备中的晶格失配以及多相混杂等问题。适宜制造近红外探测器等窄带隙半导体器件。
-
公开(公告)号：CN116121589A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211540446.4
申请日：2022-12-02
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种增材制造用高温超高强钛合金、制备方法及其应用，属于金属增材制造技术领域。所述的高温超高强钛合金属于Ti‑Al‑Zr‑Si加过渡元素的合金体系，4.2wt.％～7.5wt.％Al、6.5wt.％～12.5wt.％Zr和0.3wt.％～1.2wt.％Si，余量为Ti元素、过渡元素和其它不可避免的杂质。本发明典型力学性能指标为：室温下的抗拉强度不低于1300MPa，屈服强度不低于1200MPa，延伸率不低于3％；600℃下的强度不低于650MPa，屈服强度不低于600MPa，延伸率不低于10％；650℃下的拉伸强度不低于450MPa，屈服强度不低于400MPa，延伸率不低于35％，兼具有良好的增材制造成形性、高温强度和塑形、损伤容限能力高、可靠性高、且成本低，便于大规模生产，可作为尖端航空、武器装备高温结构部件的备选材料。
-
公开(公告)号：CN113311094B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110744002.1
申请日：2021-07-01
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种液相色谱串联质谱法测定保健食品中雄激素化合物的方法，属于保健食品安全检测技术领域。包括以下步骤(1)超声提取；(2)涡旋离心萃取；(3)液相色谱‑串联质谱检测。本发明以乙腈为提取溶剂，涡旋，离心萃取，将保健食品中的雄激素化合物富集到有机相溶液中，之后上清液经氮吹浓缩后用乙腈复溶，利用液相色谱‑串联质谱多反应监测模式检测，内标法定量。该方法操作简便，灵敏度高，能同时检测保健食品中10种雄激素化合物。
-
公开(公告)号：CN112684030A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011415349.3
申请日：2020-12-03
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种富集净化‑液相色谱串联质谱法检测水产品中全氟烷酸化合物的方法与应用，属于水产品质量安全检测技术领域。包括以下步骤：均质分散沉淀蛋白；涡旋离心萃取；基质增强脂质去除柱净化；液相色谱‑串联质谱检测。本发明以盐酸酸化乙腈为溶剂，采用高速均质将样品充分分散沉淀蛋白，加入氯化钠、无水硫酸镁涡旋，离心萃取，将水产品中的全氟烷酸化合物富集到上层有机相溶液中，之后上清液采用基质增强脂质去除柱进行固相萃取，净化去除干扰物，净化液经氮吹浓缩后用甲醇‑水复溶，利用液相色谱‑串联质谱多反应监测模式检测，内标法定量。该方法操作简便、定性准确，灵敏度高，能同时检测水产品中18种全氟烷酸化合物。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110195208B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910506035.5
申请日：2019-06-12
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种可变带隙的NbMoTaWV高熵合金氧化物薄膜及其制备方法，属半导体材料技术领域。这种薄膜具有如下通式：NbMoTaWVxOy，x=0~2，y=0.1～7，Nb:Mo:Ta:W:V接近1:1:1:1:x；呈纳米晶或非晶态。使用射频磁控溅射法制备，整体氧化，可获得均匀致密、表面平整的氧化物薄膜。通过调整V元素的含量以及氧气分压可改变薄膜性能，使薄膜的带隙宽度在0.5～2eV区间、硬度在7～17Gpa区间、电阻率在50～1×107区间变化。该薄膜性能可从导体过渡到半导体，可用于光学材料、电容器材料以及高硬耐磨材料。
-
公开(公告)号：CN107557645A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710963089.5
申请日：2017-10-17
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种具有立方形态纳米粒子共格析出的BCC基高强高熵高温合金属于新材料技术领域，包括Fe、Co、Ni、Mn、Cr、Mo、Nb、Ta、Al、Ti和Zr元素，其合金成分的原子百分比表达为Alx(Ti,Zr)y(Nb,Ta)z(Cr,Mo,Mn,Fe)m(Co,Ni)n，其中，x＝5～18％，y＝0～55％，z＝0～55％，m＝0～60％，n＝0～40％，x+y+z+m+n＝100％。材料性能指标为：室温拉伸强度σb＝1200-2150MPa、硬度HV＝550-650，700℃时σb＝350-900MPa、HV＝120-350，1000℃时σb＝200-450MPa、HV＝70-200。本发明通过成分设计实现对BCC/B2立方形态粒子共格析出的组织调控，从而确保合金强度的最大提升，改善合金的高温强度、蠕变性能、抗氧化及耐腐蚀性，是一种新型的高温合金。
-
公开(公告)号：CN103014627B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201310016601.7
申请日：2013-01-17
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种可调制带隙宽度的Fe-Si-Al三元非晶薄膜及其制备方法，属半导体材料技术领域。此薄膜材料具有如下通式：Fe(1-x-y)SixAly，其中：50at.%≤x≤70 at.%，1at.% ≤y≤11at.%，当(x+y)的总量从60 at.%到75 at.%变化时，薄膜的带隙宽度可以从0.45 eV调制到0.65eV，结构均为非晶态。该薄膜有如下优点：①Fe(1-x-y)SixAly薄膜是三元半导体非晶薄膜，可从0.45eV到0.65eV较大范围内调制带隙宽度，Al的作用不单可以影响带隙宽度，而且增加一个组元薄膜的非晶形成能力也会增加；②只要改变组合溅射靶中Fe4Alz合金片的个数和z值，即可方便地调整薄膜中(Si+Al)的总量，进而获得不同带隙宽度；③薄膜保持非晶态，能够保证成分和性能均匀，有效回避晶态薄膜制备中的晶格失配以及多相混杂等问题。适宜制造近红外探测器等窄带隙半导体器件。
-
公开(公告)号：CN103237910A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201080067138.3
申请日：2010-10-13
Applicant: 大连理工大学
CPC classification number: C22C9/00 , C22C9/06 , C23C14/165 , C23C14/185 , C23C14/5806
Abstract: 一种低电阻率、高热稳定性的Cu-Ni-Mo合金薄膜，其中以Ni作为固溶元素，Mo作为扩散阻挡元素；Mo/Ni原子百分比比例为0.06-0.20或重量百分比比例0.10-0.33；Ni和Mo的原子百分比或重量百分比为0.14-1.02%。该薄膜同时具有扩散阻挡和高温稳定性。
-
公开(公告)号：CN102925861A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210473022.0
申请日：2012-11-20
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种具有高导电性和高热稳定性的Cu-Ni-Sn三元合金薄膜及其制备工艺，属于新材料领域。在基于稳定固溶体的团簇模型指导下，确定Cu膜合金化元素的选择以及添加量，综合考虑了混合焓、团簇结构以及原子半径尺寸等因素，形成具有较高的热稳性和较低的化学反应活性的固溶体合金薄膜。Sn主要以（Ni12Sn）团簇均匀分布在Cu晶格中，降低了Cu与Si反应的化学反应活性；大原子半径元素Sn的引入能够有效的阻挡Cu与周围介质之间的互扩散；共掺杂一定比例的NiSn，其总掺杂量相对来说更少，从而较大程度的削减了大原子本身造成的电子散射效应，有利于稳定Cu膜同时更好地保留Cu的本征优良电学性能。可以期待该类合金同时具有扩散阻挡作用和高温稳定性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
51
records
(took 0.029 seconds)
