公开(公告)号：CN102925861A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210473022.0

申请日：2012-11-20

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 李晓娜 ,  刘立筠 ,  董闯 ,  朱瑾

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C22C9/06

Abstract: 一种具有高导电性和高热稳定性的Cu-Ni-Sn三元合金薄膜及其制备工艺，属于新材料领域。在基于稳定固溶体的团簇模型指导下，确定Cu膜合金化元素的选择以及添加量，综合考虑了混合焓、团簇结构以及原子半径尺寸等因素，形成具有较高的热稳性和较低的化学反应活性的固溶体合金薄膜。Sn主要以（Ni12Sn）团簇均匀分布在Cu晶格中，降低了Cu与Si反应的化学反应活性；大原子半径元素Sn的引入能够有效的阻挡Cu与周围介质之间的互扩散；共掺杂一定比例的NiSn，其总掺杂量相对来说更少，从而较大程度的削减了大原子本身造成的电子散射效应，有利于稳定Cu膜同时更好地保留Cu的本征优良电学性能。可以期待该类合金同时具有扩散阻挡作用和高温稳定性。

公开(公告)号：CN102808150A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210337376.2

申请日：2012-09-12

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 李晓娜 ,  刘立筠 ,  董闯

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/35

Abstract: 一种具有低电阻率和高化学惰性的Cu-Ni-Nb三元合金薄膜及其制备工艺，属于新材料领域。在基于稳定固溶体的团簇模型指导下，确定Cu膜合金化元素的选择以及添加量，综合考虑了混合焓、团簇结构以及原子半径尺寸等因素，形成具有较高的热稳性和较低的化学反应活性的固溶体合金薄膜。固溶体结构避免了由于溶质元素大量析出导致的电阻率升高；大原子半径元素Nb的引入能够有效的阻挡Cu与周围介质之间的互扩散，与第二组元Ni的成比例添加可以使Nb的添加量大幅度降低，从而较大程度的削减了大原子本身造成的电子散射效应，有利于稳定Cu膜同时保证其电阻率受到最小的影响。可以期待该类合金同时具有扩散阻挡作用和高温稳定性。