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公开(公告)号：CN110106490A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910506034.0
申请日：2019-06-12
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种耐高温高熵合金NbMoTaWV薄膜及其制备方法，属于高熵合金、耐高温技术领域。这种薄膜具有如下通式：NbMoTaWVx，x=0～2，Nb:Mo:Ta:W:V接近1:1:1:1:x；呈纳米柱状晶形态，单相BCC结构。使用射频磁控溅射法制备，可获得均匀致密、表面平整的薄膜。通过改变V元素含量调整薄膜的性能，其中电阻率不但可以在45～100.0 区间连续变化，而且具有优异的稳定性，在室温到600℃范围能保持恒定；硬度在7～15Gpa区间连续变化。该薄膜耐高温性能优异，且其性能可调范围大，拓宽了薄膜的应用领域，可应用于微电子器件、耐高温材料以及高硬耐磨等领域。
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公开(公告)号：CN110195208B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910506035.5
申请日：2019-06-12
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种可变带隙的NbMoTaWV高熵合金氧化物薄膜及其制备方法，属半导体材料技术领域。这种薄膜具有如下通式：NbMoTaWVxOy，x=0~2，y=0.1～7，Nb:Mo:Ta:W:V接近1:1:1:1:x；呈纳米晶或非晶态。使用射频磁控溅射法制备，整体氧化，可获得均匀致密、表面平整的氧化物薄膜。通过调整V元素的含量以及氧气分压可改变薄膜性能，使薄膜的带隙宽度在0.5～2eV区间、硬度在7～17Gpa区间、电阻率在50～1×107区间变化。该薄膜性能可从导体过渡到半导体，可用于光学材料、电容器材料以及高硬耐磨材料。
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公开(公告)号：CN110106490B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910506034.0
申请日：2019-06-12
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种耐高温高熵合金NbMoTaWV薄膜及其制备方法，属于高熵合金、耐高温技术领域。这种薄膜具有如下通式：NbMoTaWVx，x=0～2，Nb:Mo:Ta:W:V接近1:1:1:1:x；呈纳米柱状晶形态，单相BCC结构。使用射频磁控溅射法制备，可获得均匀致密、表面平整的薄膜。通过改变V元素含量调整薄膜的性能，其中电阻率不但可以在45～100.0 区间连续变化，而且具有优异的稳定性，在室温到600℃范围能保持恒定；硬度在7～15Gpa区间连续变化。该薄膜耐高温性能优异，且其性能可调范围大，拓宽了薄膜的应用领域，可应用于微电子器件、耐高温材料以及高硬耐磨等领域。
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公开(公告)号：CN110195208A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910506035.5
申请日：2019-06-12
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种可变带隙的NbMoTaWV高熵合金氧化物薄膜及其制备方法，属半导体材料技术领域。这种薄膜具有如下通式：NbMoTaWVxOy，x=0~2，y=0.1～7，Nb:Mo:Ta:W:V接近1:1:1:1:x；呈纳米晶或非晶态。使用射频磁控溅射法制备，整体氧化，可获得均匀致密、表面平整的氧化物薄膜。通过调整V元素的含量以及氧气分压可改变薄膜性能，使薄膜的带隙宽度在0.5～2eV区间、硬度在7～17Gpa区间、电阻率在50～1×107 区间变化。该薄膜性能可从导体过渡到半导体，可用于光学材料、电容器材料以及高硬耐磨材料。
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