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公开(公告)号：CN107407735A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680014450.3
申请日：2016-01-26
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: G01T1/2006 , A61B6/4241 , G01T1/20 , G01T1/2018 , H01L27/14629 , H01L27/14634 , H01L27/14638
Abstract: 提供一种能够进行可诊断性高的双能拍摄的、X射线敏感度更高的X射线检测器。X射线检测器(1)包括：闪烁体元件(15)，其由遮光壁(17)划分，将低能量的X射线转换成光；以及闪烁体元件(19)，其由遮光壁(21)划分，将高能量的X射线转换成光。从X射线的入射方向来看，遮光壁(17)的位置图案与遮光壁(21)的位置图案构成为未对齐。因此，入射到X射线检测器(1)的X射线被至少任意一方的闪烁体元件转换成光，最终作为X射线检测信号输出。即，即使在X射线检测器(1)中形成有遮光壁的情况下，无法检测到X射线的区域也不再存在。因而，能够利用遮光壁提高X射线图像的分辨率，并且能够提高X射线检测器的X射线敏感度。
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公开(公告)号：CN103081127B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180042753.3
申请日：2011-02-09
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
IPC: H01L31/09 , G01T1/24 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC classification number: H01L21/02573 , H01L21/02562 , H01L21/0262 , H01L27/14659 , H01L27/14692 , H01L27/14696 , H01L31/02966 , H01L31/115 , H01L31/1832 , Y02E10/50
Abstract: 即使在通过蒸镀或升华来形成由多晶膜或多晶的层叠膜构成的检测层的第一过程的中途不能再供给Cl(氯)，也会在第一过程的开始或过程的中途供给与源S不同的附加源(例如HCl等含有Cl的气体)。可以从成膜初期直至结束时为止，对为CdTe(碲化镉)、ZnTe(碲化锌)或CdZnTe(碲锌镉)的多晶或多晶的层叠膜的检测层在厚度方向上均匀地掺杂Cl。其结果，可以使晶粒均匀化并且使检测特性均匀化。
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公开(公告)号：CN104921742A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510126304.7
申请日：2015-03-20
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: A61B6/00
CPC classification number: A61B6/542 , A61B6/4233 , G01T1/247
Abstract: 本发明提供一种X射线摄影装置。在X射线摄影装置中，X射线管控制部控制着X射线管，使得从X射线管照射的X射线的能散度的上限大于构成转换膜的各元素的K壳层吸收端中的最小的K壳层吸收端，且小于等于根据上述各元素的K壳层吸收端中的与对模糊造成影响的能量的特征X射线对应的K壳层吸收端而预先设定的值。由此，相比于照射X射线的能散度的上限大于根据与对模糊造成影响的能量的特征X射线对应的K壳层吸收端而预先设定的值的情况，能够使K壳层特征X射线的释放数减少。能够抑制由K壳层特征X射线溢出到因X射线入射而发生光电效应的像素区域外的区域导致的图像模糊。
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公开(公告)号：CN102859691B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201180017676.6
申请日：2011-02-21
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: H01L27/14 , G01T1/24 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L27/14636 , Y02E10/50
Abstract: 通过将石墨基板(11)的表面的凹凸设为1μm~8μm的范围，能够使层叠形成在石墨基板(11)上的半导体层(13)的膜质稳定，提高石墨基板(11)与半导体层(13)的密合性。即使在电子阻挡层(12)介于石墨基板(11)与半导体层(13)之间的情况下，由于电子阻挡层(12)薄，石墨基板(11)的表面的凹凸被转印到电子阻挡层(12)，因此电子阻挡层(12)的表面的凹凸也大致成为该范围，起到与将半导体层(13)直接接触石墨基板(11)而形成的结构大致相同的效果。
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公开(公告)号：CN104297268A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410342675.4
申请日：2014-07-17
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01N23/04
CPC classification number: G01T1/20 , G01N23/043
Abstract: 本发明提供一种二维图像检测系统，能够将微小尺寸的被检体放大并稳定地进行摄影或者透视。改变根据以往的分辨率的参数推断设定条件的想法，在使用了稳定的焦点尺寸的X射线管(3)的情况下，根据X射线管(3)的焦点尺寸推断设定条件。能够根据焦点尺寸以及来设定最小摄影尺寸(b[μm])，能够根据所设定的最小摄影尺寸(b[μm])、X射线检测器4的像素间距(d[μm])以及bε/d≥5来设定放大率(ε)。由此，在使用了稳定的焦点尺寸的X射线管(3)的情况下，能够设定最小摄影尺寸(b[μm])和放大率(ε)。其结果，能够将微小尺寸的被检体(O)放大并稳定地进行摄影或者透视。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1256065C
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN03110679.X
申请日：2003-04-22
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 新电元工业株式会社 , 山梨电子工业株式会社
IPC: A61B6/00 , H05G1/02 , H01L31/115
CPC classification number: H01L31/115 , H01L27/14676
Abstract: 一种用于探测X射线的X射线探测器，它包括X射线一入射而在其中生成电荷的一个半导体以及在该半导体相对侧上形成的用于施加某一预定偏压的电极。这种半导体是掺入了预定量的某种碱金属的非晶硒(a-Se)。
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公开(公告)号：CN107427271A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680021003.0
申请日：2016-03-01
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: A61B6/00
Abstract: 在实施例1所涉及的X射线摄影装置(1)中，X射线检测器(5)具有利用格子状的遮光壁划分闪烁体元件的结构。向X射线检测器(5)入射的X射线中的向遮光壁入射的X射线不被转换为闪烁光而透过X射线检测器(5)。因而，通过向利用格子状的遮光壁划分闪烁体元件所得到的X射线检测器(5)入射X射线，能够与使该X射线通过检测掩膜的情况同样地将透过了被检体(M)的X射线(3a)向X射线检测器(5)入射的区域进一步限制在任意的范围内。因而，能够在EI-XPCi中使用的X射线摄影装置(1)中省略检测掩膜，因此能够降低X射线摄影装置(1)的制造成本。
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公开(公告)号：CN103443653A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280014189.9
申请日：2012-03-19
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01T1/24 , H01L27/14 , H01L27/146 , H01L31/09
Abstract: 在腔室(31)内收纳石墨基板(11)并通过泵(P)进行真空抽吸。接着，通过在真空中加热炭使炭中的杂质蒸发从而将炭进行纯化。通过将石墨基板(11)的炭进行纯化，能够将石墨基板(11)的炭所含有的半导体层的施主/受主元素、以及金属元素的杂质抑制到0.1ppm以下。其结果，能够抑制漏电流、异常漏点的产生、抑制半导体层中的晶体的异常生长。
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公开(公告)号：CN103081127A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180042753.3
申请日：2011-02-09
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
IPC: H01L31/09 , G01T1/24 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC classification number: H01L21/02573 , H01L21/02562 , H01L21/0262 , H01L27/14659 , H01L27/14692 , H01L27/14696 , H01L31/02966 , H01L31/115 , H01L31/1832 , Y02E10/50
Abstract: 即使在通过蒸镀或升华来形成由多晶膜或多晶的层叠膜构成的检测层的第一过程的中途不能再供给Cl(氯)，也会在第一过程的开始或过程的中途供给与源S不同的附加源(例如HCl等含有Cl的气体)。可以从成膜初期直至结束时为止，对为CdTe(碲化镉)、ZnTe(碲化锌)或CdZnTe(碲锌镉)的多晶或多晶的层叠膜的检测层在厚度方向上均匀地掺杂Cl。其结果，可以使晶粒均匀化并且使检测特性均匀化。
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公开(公告)号：CN102859691A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180017676.6
申请日：2011-02-21
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: H01L27/14 , G01T1/24 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L27/14636 , Y02E10/50
Abstract: 通过将石墨基板(11)的表面的凹凸设为1μm~8μm的范围，能够使层叠形成在石墨基板(11)上的半导体层(13)的膜质稳定，提高石墨基板(11)与半导体层(13)的密合性。即使在电子阻挡层(12)介于石墨基板(11)与半导体层(13)之间的情况下，由于电子阻挡层(12)薄，石墨基板(11)的表面的凹凸被转印到电子阻挡层(12)，因此电子阻挡层(12)的表面的凹凸也大致成为该范围，起到与将半导体层(13)直接接触石墨基板(11)而形成的结构大致相同的效果。
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