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公开(公告)号：CN102280817B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201110190349.2
申请日：2005-11-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：CN100386846C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200510119979.5
申请日：2005-09-12
IPC: H01L21/205 , H01S5/00
CPC classification number: C23C16/303 , B82Y20/00 , C23C16/45504 , C23C16/45563 , C23C16/45574 , C30B25/14 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明涉及一种用于制造氮化物半导体的装置，其通过在衬底上扩散包含Ⅲ族元素的源气体和Ⅴ族元素的源气体来结晶生长氮化物半导体。与衬底平行和从上游到下游来扩散气体。装置具有容纳在装置中的衬底以及用于允许气体流到流动通道中的流动通道。装置也有在流动通道的内壁上提供的多个突起。在气流的上游部分并且以水平方向提供一种用于使Ⅲ族元素的源气体和Ⅴ族元素的源气体分别引入到流动通道中的隔离物。在隔离物的上表面和下表面上形成突起。利用该结构，在供应源气体之前，使Ⅲ族元素的源气体和Ⅴ族元素的源气体更均匀地混合。
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公开(公告)号：CN1766159A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510128301.3
申请日：2005-09-27
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/54
Abstract: 本发明的气相沉积装置具有：具有在其上夹持基板的基板夹持面的基板夹持部件，和用于向基板上提供源气体的气流通道。该气流通道具有上璧和下壁。开孔部分设置在气流通道下壁。基板夹持部件的基板夹持面装入开口部分，同时在基板夹持面和开孔部分之间形成一个空间。提供一种用于减少气体通过开孔部分和基板夹持部件之间的空间泄漏的装置。对于这种结构，由于设置有用于减少气体通过开孔部分和基板夹持部件之间的空间泄漏的装置，因此气体流出的流导性降低，这又减少流出气体的量的变化。这导致具有长寿命和高发光效率的氮化物半导体元件的高产率生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102024887A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010282757.6
申请日：2010-09-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/0641 , C23C14/35 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种含有铝的氮化物中间层的制造方法、氮化物层的制造方法和氮化物半导体元件的制造方法，在利用以连续DC方式施加电压而进行的DC磁控溅射法来层积含有铝的氮化物中间层时，采用以下(1)～(3)中的至少一个条件。(1)把靶电极表面的中心与基板生长面之间的最短距离设定成100mm以上250mm以下。(2)使用氮气作为向DC磁控溅射装置供给的气体。(3)把靶电极相对基板的生长面倾斜配置。
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公开(公告)号：CN101540477A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910138134.9
申请日：2005-11-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/0243 , H01L21/02433
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：CN100392929C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200510070180.1
申请日：2005-05-10
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制造方法。在具有形成于其上的作为凹陷部分的刻槽区域的已处理衬底上，布置氮化物半导体薄膜。填充所述凹陷部分的所述氮化物半导体薄膜占据的截面面积为所述凹陷部分的截面面积的0.8倍或更低。从而防止了裂纹的产生。而且，通过抑制由形成氮化物半导体薄膜的原材料原子和分子从隆脊表面上的顶面生长部分迁移或移动至刻槽区域而导致的氮化物半导体薄膜的形成的方法，形成了具有良好表面平坦度的氮化物半导体生长层，从而消除了电流泄漏通道和损坏。
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公开(公告)号：CN1581610A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410055604.2
申请日：2004-07-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L33/007 , H01S5/0213 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 一种氮化物半导体激光器件，其使用低缺陷密度的基板，在氮化物半导体膜内含有很小的应变，从而使其具有令人满意的长的使用寿命，在缺陷密度为106cm－2或更低的GaN基板(10)上通过蚀刻形成条形凹陷部分(16)。在该基板(10)上生长氮化物半导体膜(11)，在远离凹陷部分(16)上方的区域中形成激光条(12)。使用这样的结构时，激光条(12)中没有应变，半导体激光器件具有长的使用寿命。另外，氮化物半导体膜(11)形成的裂隙很少，从而能够大幅提高产率。
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