公开(公告)号：CN1776912A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510125483.9

申请日：2005-11-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大西哲也 ,  新村尚之 ,  山崎信夫 ,  涩谷隆广 ,  中野贵司 ,  田尻雅之 ,  大西茂夫

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/822

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

Abstract: 交叉点结构的半导体存储装置具备在同一方向上延伸的多个上部电极(2)和在与上述上部电极(2)的延伸方向正交的方向上延伸的多个下部电极(1)，在上述上部电极(2)与上述下部电极(1)之间的层上形成用于存放数据的存储材料体，上述存储材料体由钙钛矿材料构成，并且以沿上述上部电极(2)延伸的方式形成于上述上部电极(2)各自的上述下部电极(1)一侧。

公开(公告)号：CN1499522A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310115607.6

申请日：2003-11-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田尻雅之

IPC: G11C11/21

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L28/20 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/147

Abstract: 提供一种具有在进行定标以减小平面上的投影面积的情况下抑制电阻增加的结构的非易失性可变电阻器，使用非易失性可变电阻器的存储器件，和非易失性可变电阻器的定标方法。形成在衬底上的第一电极和第二电极在衬底表面的方向中彼此面对。第一电极用作内部电极，非易失性可变电阻主体形成在第一电极的外表面上，第二电极作为外部电极形成在非易失性可变电阻主体的外表面上。

公开(公告)号：CN106796870A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580046071.8

申请日：2015-06-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳 ,  远崎学 ,  冈崎舞 ,  藤重阳介 ,  田尻雅之 ,  伊藤伸之

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体，其包括Si衬底(100)、设置在该Si衬底(100)上的氮化物半导体层叠体(200)，其中，Si衬底(100)的X射线衍射中的摇摆曲线的半峰宽不足160arcsec。

公开(公告)号：CN106688084A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201580048531.0

申请日：2015-08-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田尻雅之 ,  伊藤伸之 ,  小河淳 ,  藤重阳介 ,  冈崎舞 ,  远崎学

IPC: H01L21/338 ,  C23C16/34 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02694 ,  C23C16/301 ,  C23C16/303 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 氮化物半导体层叠体的制造方法包括：在反应炉内在衬底的上方形成第1氮化物半导体层(12)的第1氮化物半导体层形成工序；在第1氮化物半导体层(12)的上方形成第2氮化物半导体层(13)的第2氮化物半导体层形成工序；和在第2氮化物半导体层(13)的上表面形成与第2氮化物半导体层(13)相比带隙大的第3氮化物半导体层(14)的第3氮化物半导体层形成工序。第2氮化物半导体层形成工序与第3氮化物半导体层形成工序之间不被中断，第3氮化物半导体层形成工序与第2氮化物半导体层形成工序连续地被实施。

公开(公告)号：CN103563060B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201280025227.0

申请日：2012-04-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田尻雅之

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种能有效地抑制崩溃现象的切换元件。切换元件（1a）具备：电子运行层（12）、形成于电子运行层（12）的上表面并且带隙比电子运行层(12)大且与电子运行层(12)异质接合的电子供给层(13)、形成于电子供给层(13)的上表面并且带隙比电子供给层(13)小的再结合层(17)、至少一部分形成于电子运行层(12)的上表面的源电极（14）以及漏电极（15）、至少一部分形成于电子供给层（13）的上表面并且配置于上述源电极（14）和漏电极（15）之间的栅电极（16）。当切换元件（1a）在关断状态时，在再结合层（17），电子和空穴进行再结合。

公开(公告)号：CN100442519C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200510125483.9

申请日：2005-11-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大西哲也 ,  新村尚之 ,  山崎信夫 ,  涩谷隆广 ,  中野贵司 ,  田尻雅之 ,  大西茂夫

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/822

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

Abstract: 交叉点结构的半导体存储装置具备在同一方向上延伸的多个上部电极(2)和在与上述上部电极(2)的延伸方向正交的方向上延伸的多个下部电极(1)，在上述上部电极(2)与上述下部电极(1)之间的层上形成用于存放数据的存储材料体，上述存储材料体由钙钛矿材料构成，并且以沿上述上部电极(2)延伸的方式形成于上述上部电极(2)各自的上述下部电极(1)一侧。

公开(公告)号：CN100407471C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN03108292.0

申请日：2003-03-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田尻雅之 ,  粟屋信义

IPC: H01L49/00 ,  H01L27/10 ,  G06G7/00 ,  G06N3/06

Abstract: 由可变电阻11-1至11-n构成的加权装置对输入信号进行加权，每个可变电阻由具有包含锰的钙钛矿结构的氧化物制成，该材料在室温下根据施加的脉冲电压的累加次数改变其阻值，并且能够以非易失性方式保持其阻值。然后，加权后的信号输入到运算单元(12)。作为每个可变电阻11-1至11-n的氧化物薄膜根据施加的脉冲电压的累加次数改变其阻值，并且在电源被切断后也能够以非易失性方式保持其阻值。因而，通过根据施加的脉冲电压的累加次数改变加权系数，就能够实现更加类似于人类神经的神经元。