公开(公告)号：CN104904025A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201380069511.2

申请日：2013-12-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 玉置和雄 ,  太田将之 ,  山口真司 ,  栗田贤一 ,  辰巳正毅

IPC: H01L33/62

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/4945 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 发光装置(1)的制造方法具有：框体形成工序，形成框体(2)，该框体(2)具有装载发光元件(20)的装置基板(4)和与装置基板(4)分离而通过导线(6a)与发光元件(20)电连接的端子部(5)，并且，从端子部(5)的与导线(6a)连接的连接面至框体(2)的上缘(2a)为止的高度(H1)低于从发光元件(20)的上表面至框体(2)的上缘(2a)为止的高度(H2)；在导线(6a)连接的发光元件(20)的电极形成凸块(32)的凸块形成工序；首先将导线(6a)的一端与端子部(5)接合的第一接合工序；然后将导线(6a)的另一端与凸块(32)接合的第二接合工序；和在框体(2)的内部填充密封材料(7)而将发光元件(20)密封的密封工序。

公开(公告)号：CN102386308B

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201110240592.0

申请日：2011-08-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 吉住伸之 ,  山口真司

IPC: H01L33/48 ,  H01L25/075 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/54 ,  H01L25/0753 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种发光装置，是将具有LED芯片和覆盖LED芯片的含有荧光体的密封树脂的发光部搭载在基板的上面的发光装置，具备在基板和发光部之间存在的氧化硅系绝缘膜，氧化硅系绝缘膜直接形成在基板或氧化铝系绝缘膜的上面，含有荧光体的密封树脂直接形成在氧化硅系绝缘膜的上面以将LED芯片覆盖。由此提供能够使密封树脂难以剥离的发光装置和发光装置的制造方法。

公开(公告)号：CN1257549C

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN02158814.7

申请日：2002-12-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山口真司 ,  浅津琢郎 ,  小野敦

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L23/3192 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，包括在基板上形成的、在电极垫上具有开口部的第1保护膜、在上述开口部中与电极垫连结并且其周边部由上述第1保护膜所覆盖的突起电极、至少覆盖第1保护膜和突起电极之间的边界部分的间隙而形成的并且在突起电极的上面区域除与第1保护膜之间的边界部分周边之外开口的第2保护膜、在第2保护膜的开口上覆盖突起电极表面而形成的覆盖层。这样、在采用无电解电镀法形成突起电极的半导体装置中、可以防止电极垫和突起电极之间的连结强度的降低。