公开(公告)号：CN106062973A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580012504.8

申请日：2015-04-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  酒井敏彦 ,  菅沼利人 ,  辻埜和也 ,  国吉督章 ,  神川刚

IPC: H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种光电转换装置，能够抑制p层或者n层的掺杂物向相邻的层扩散。光电转换装置(1)具备硅基板(10)、形成于硅基板(10)的一个面并且实质上是本征的本征非晶质层(11)以及形成于本征非晶质层(11)上的第1导电类型非晶质层(12)。第1导电类型非晶质层(12)包括第1浓度层(121)和层叠于第1浓度层(121)的第2浓度层(122)。第2浓度层(122)的掺杂物浓度是8×1017cm‑3以上且低于第1浓度层的掺杂物浓度。

公开(公告)号：CN107667435B

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201680028567.7

申请日：2016-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  东贤一 ,  神川刚 ,  酒井敏彦 ,  国吉督章 ,  辻埜和也 ,  邹柳民

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20 ,  C23C16/24

Abstract: 光电转换装置(1)具备以与半导体基板(101)的一个面相接的方式形成的i型非晶质半导体层(102i)、分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上的p型非晶质半导体层(102p)与分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上，且于半导体基板(101)的面内方向邻接于p型非晶质半导体层(102p)而形成的n型非晶质半导体层(102n)。进而，光电转换装置(1)具备电极(103)作为保护层，所述保护层是以在邻接的p型非晶质半导体层(102p)之间及邻接的n型非晶质半导体层(102n)之间与i型非晶质半导体层(102i)相接的方式形成。

公开(公告)号：CN107710420A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201680035963.2

申请日：2016-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  东贤一 ,  神川刚 ,  酒井敏彦 ,  国吉督章 ,  辻埜和也 ,  邹柳民

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 在光电转换装置(1)中，在半导体基板(101)的一个面侧交替地配置有第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)。在第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)分别配置有至少一个第一非晶质半导体层(1020n)和第二非晶质半导体层(1020p)。在一个第一非晶质半导体层(1020n)之上，间隔地配置有多个第一电极(103n)，在一个第二非晶质半导体层(1020p)之上，间隔地配置有多个第二电极(103p)。

公开(公告)号：CN105679846A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510856132.9

申请日：2015-11-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  神川刚 ,  酒井敏彦 ,  国吉督章 ,  邹柳民

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/03529 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/022425

Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，即使减小n型半导体层上的电极与p型半导体层上的电极的间隔，pn结也不易短路。光电转换装置具备在半导体基板(101)的背面形成的n型非晶态半导体层(102n)和p型非晶态半导体层(102p)。另外，在n型非晶态半导体层(102n)和p型非晶态半导体层(102p)中的至少一个半导体层上，形成相间隔地配置的多个电极(103)。在多个电极(103)的表面形成导电部(302)，通过导电部(302)将多个电极(103)电连接。

公开(公告)号：CN103210494B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201180054303.6

申请日：2011-11-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 国吉督章

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/146

CPC classification number: G02F1/133345 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2201/34 ,  G02F2203/02 ,  G02F2203/055 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/7869

Abstract: 薄膜晶体管基板(20a)包括：绝缘基板(10a)；设置在绝缘基板(10a)上、具有沟道区域(C)的半导体层(13a)；和设置在沟道区域(C)的沟道保护层(25)。沟道保护层(25)由第一绝缘膜和第二绝缘膜交替地叠层而得的叠层膜形成，在设第一绝缘膜的折射率为Ra、第二绝缘膜的折射率为Rb的情况下，Rb/Ra≥1.3的关系成立。