公开(公告)号：CN105264651B

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201480030391.X

申请日：2014-05-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 永久哲三 ,  吐田真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管，缓冲层(2)的高电阻层(3)侧的碳浓度为0.8×1019/cm3以上且为1.0×1021/cm3以下，高电阻层(3)的缓冲层(2)侧的碳浓度为3.7×1018/cm3以上且为1.0×1021/cm3以下，高电阻层(3)的沟道层(4)侧的碳浓度为1.4×1019/cm3以上且为1.0×1021/cm3以下。

公开(公告)号：CN107004605A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580068298.2

申请日：2015-08-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 永久哲三 ,  福见公孝 ,  吐田真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L27/095 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 一种场效应晶体管，具备：氮化物半导体层，含有异质结；源极电极(5)及漏极电极(6)，于所述氮化物半导体层上互相隔开间隔而配置；第一栅极电极(7)，位于所述源极电极(5)与所述漏极电极(6)之间，并且以常导通运作；第二栅极电极(9)，位于所述第一栅极电极(7)与所述源极电极(5)之间，并且以常关断运作，所述第一栅极电极(7)以于俯视时包围所述漏极电极(6)的方式配置，所述第二栅极电极(9)以于俯视时包围所述源极电极(5)的方式配置。

公开(公告)号：CN114450813B

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN201980100565.8

申请日：2019-09-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 吐田真一

IPC: H10K50/15 ,  H05B33/14

Abstract: 在发光元件中具有：阳极；阴极；发光层，其设置于所述阳极和所述阴极之间；以及空穴输送层，其设置于所述阳极和所述发光层之间；所述空穴输送层包括以层状形成p型半导体材料的p型半导体层和分散于所述p型半导体层的n型半导体材料。

公开(公告)号：CN112714965B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN201880097733.8

申请日：2018-09-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 吐田真一 ,  岩田升

IPC: H10K50/15 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

Abstract: 以提高发光装置的亮度、发光效率为目的，包括：阳极；阴极；发光层，设置于阳极与阴极之间，以及空穴输送层，设置于阳极与发光层之间，且包含金属氧化物以及调整于规定的含有比例的碳。

公开(公告)号：CN107112240A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580068067.1

申请日：2015-08-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 永久哲三 ,  福见公孝 ,  吐田真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 一种场效应晶体管，具备：氮化物半导体层，含有异质结；源极电极(5)及漏极电极(6)；第一栅极电极(7)，于俯视时以包围所述漏极电极(6)的方式配置而常导通运作；第二栅极电极(9)，于俯视时以包围所述第一栅极电极(7)的方式配置而常关断运作，所述第一栅极电极(7)及所述第二栅极电极(9)包含于俯视时，所述第一栅极电极(7)的外缘及所述第二栅极电极(9)的外缘皆形成大致直线的直线部与形成曲线或弯曲的角部的端部，所述第一栅极电极(7)、所述第二栅极电极(9)以及所述源极电极(5)中的任一者的间隔、长度或曲率半径是以缓和在所述端部的电场的集中的方式设定。

公开(公告)号：CN103229284A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180057500.3

申请日：2011-09-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 村石桂一 ,  J.特怀纳姆 ,  吐田真一 ,  松笠治彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/4903

Abstract: 在层间绝缘膜上的与第一电极（1）中包含第一直线形基部（1a）及第一梳形电极部（1b，1c）的第一直线形基部（1a）侧的区域对应的区域形成第一电极板（11），该第一电极板（11）通过通孔与第一电极（1）连接。在层间绝缘膜上的与第二电极（2）中包含第二梳形电极部（2b）的第二直线形基部（2a）侧的区域对应的区域形成第二电极板（12），该第二电极板（12）通过通孔与第二电极（2）连接。在层间绝缘膜上的与第三电极（3）中包含第三梳形电极部（3b）的第三直线形基部（3a）侧的区域对应的区域形成第三电极板（13），该第三电极板（13）通过通孔与第三电极（3）连接。由此，提供一种减小导通电阻以应对大电流且实现小型化的氮化物半导体装置。