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公开(公告)号：CN101232076B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810032764.3
申请日：2008-01-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种消除CuxO电阻存储器形成电压的方法。生长完CuxO存储介质后，在N2、Ar、forming gas或真空等缺氧气氛中进行退火，表层CuO会由于缺氧而被还原成Cu2O，从而消除存储器第一次编程时的形成电压，降低写操作电流、电压，保护表层CuO下面的具有电阻转换特性的CuxO存储介质免受大电流破坏。本发明方法工艺简便，成本低，可显著改善CuxO电阻存储器的疲劳特性。
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公开(公告)号：CN101159310B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710047974.5
申请日：2007-11-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00 , H01L21/82 , H01L21/768
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器的湿法氧化制备方法以及与铜互联工艺的集成方法。该存储器中，作为存储介质的CuxO用湿法氧化方法制备，具体步骤为用一定浓度(10％到50％)的双氧水溶液，在一定温度(40度到80度)下接触暴露出的Cu引线表面，从而得到存储介质CuxO。本发明方法工艺简单，成本低，无污染，形成的存储介质均匀，且不会引入新的杂质，同时易于与集成电路的铜互连工艺集成。
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公开(公告)号：CN101042933B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710039404.1
申请日：2007-04-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种采用金属氧化物作为存储介质的非挥发SRAM及其应用。该非挥发SRAM以二元或者二元以上的多元金属氧化物作为非挥发存储介质，由一个传统的六管SRAM、一个存储电阻以及一个参考电阻构成；存储电阻的下电极与SRAM的一个上拉pmos管的源端耦连，上电极与电源线耦连；由一mmos选通管与存储电阻串联，该选通管栅极与该上拉pmos管栅极耦连，漏端与存储电阻的下电极耦连，源端引入一个用于对存储电阻进行操作的信号。本发明可实现存储信息的非挥发。上述非挥发SRAM可作为编程单元应用于非挥发现场可编程门阵列中。
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公开(公告)号：CN1725369B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200510026409.1
申请日：2005-06-02
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为存储器中实现多态存储的一种独特的存储方式及其相关电路。这种独特的多态存储方式，基于一种特定的元器件。该器件具有编写为多种电阻值(或电荷值等)的能力，例如：相变存储器中的相变电阻，以及铁电存储器中的金属-铁电-绝缘体-半导体结构等。而实现这种存储方式时，存储器使用的单元电路也具有特定的结构要求。在这种结构下实现的独特多态存储方式，兼有抗干扰能力强和存储密度高的优点。
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公开(公告)号：CN100573724C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200510026410.4
申请日：2005-06-02
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种硬件与软件相结合的错误监测和纠错方法。这种方法基于如下特定的存储结构：存储单元中具有至少两个信息存储器件(如：2个存储电荷以表征信息状态的电容、2个以不同电阻值表征信息状态的电阻、2个以阈值电压不同来表征信息状态的晶体管等等)；每个信息存储器件具有存储n(n为自然数且n＞2)态信息的能力；这2个信息存储器件可各自进行独立编写与读出操作。在这种特定的存储结构下，使用本发明的软硬件结合的监错纠错技术，可以大大简化软件纠错部分的复杂度，同时相对于传统方法的双错误检测，本发明的应用将实现全部错误检测，从而提高电路正常工作的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100423283C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200610029177.X
申请日：2006-07-20
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体为一种相变存储器件中新的沟槽结构存储单元。该结构的基本特征是：相变材料分布于沟槽侧壁，不同存储单元共用沟槽底部的下电极和与选通管连通的同一个选通管。它利用相变材料自身的厚度来控制接触面积，在一个方向上突破光刻条件的限制达到纳米尺度。本发明的存储器结构可降低操作电流，并可在不占用额外硅片面积的情况下提高存储密度，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN101231970A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810032763.9
申请日：2008-01-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/82 , H01L21/822 , H01L21/84
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器与二极管集成的制造方法。CuxO电阻存储器与金属氧化物二极管集成形成于铜互连后端工艺之中，其中利用CuxO存储介质的上表层自对准转变形成二极管的p型的铜的氧化物半导体层。该集成制造方法具有工艺过程简单，并能保证CuxO电阻存储器和二极管的可靠性等特点。
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公开(公告)号：CN101179091A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710172173.1
申请日：2007-12-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/24 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体为一种可三维堆叠的WOx的电阻随机存储器结构及其制备方法。所述的存储器结构包括：一个选通管和若干个存储单元，存储单元之间通过并联方式与选通管相连并层叠与选通管之上，实现一个选通管控制多个存储单元的结构。本发明可以大大提高存储集成密度。
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公开(公告)号：CN101159310A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710047974.5
申请日：2007-11-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00 , H01L21/82 , H01L21/768
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器的湿法氧化制备方法以及与铜互联工艺的集成方法。该存储器中，作为存储介质的CuxO用湿法氧化方法制备，具体步骤为用一定浓度(10％到50％)的双氧水溶液，在一定温度(40度到80度)下接触暴露出的Cu引线表面，从而得到存储介质CuxO。本发明方法工艺简单，成本低，无污染，形成的存储介质均匀，且不会引入新的杂质，同时易于与集成电路的铜互连工艺集成。
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公开(公告)号：CN1976082A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610147669.9
申请日：2006-12-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种采用CuxO作为存储介质的电阻随机可存取存储器的结构及其制备方法。该存储器中，作为存储介质的CuxO位于通孔正下方并深入到下层铜引线内部，下层铜引线是下电极，CuxO上方则通过位于通孔中的铜栓塞与上层铜引线连接，上层铜引线是上电极。CuxO用等离体氧化工艺制作。制备方法与双大马士革铜互连技术兼容。
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