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公开(公告)号:CN102836704A
公开(公告)日:2012-12-26
申请号:CN201210350730.5
申请日:2012-09-20
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于光催化薄膜技术领域,具体为一种三层结构的掺钼TiO2光催化薄膜及其制备方法。三层结构中,底层为高浓度掺钼TiO2薄膜,中间为低浓度掺钼TiO2薄膜,顶层为纯TiO2薄膜;本发明利用多靶射频磁控共溅射技术原位制备三层结构的钼掺杂TiO2薄膜,制膜过程在真空室中一次完成,方法简便高效,适合大面积的工业化生产。本发明以钼的掺杂浓度来控制各层的费米能级,利用层与层间的费米能级差在薄膜内植入了多个可调制的内建电场,实现了高浓度掺杂半导体在可见光下大量电子-空穴对的迅速分离,最终得到在可见与紫外波段光催化性能优异的薄膜。
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公开(公告)号:CN100532651C
公开(公告)日:2009-08-26
申请号:CN200610030924.1
申请日:2006-09-07
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: Y02E60/368
Abstract: 本发明属于化工技术领域,具体涉及一种具有光电活性的碳掺杂纳米二氧化钛薄膜的制备方法。该方法以碳化钛为原料,经过阳极氧化制备得碳掺杂纳米二氧化钛薄膜,其中输入电压为10~20V,氧化时间为1~3小时,在通电过程中,表面的碳化钛被氧化形成含C的TiO2薄膜。本发明方法制备的含C的TiO2薄膜具有多孔的纳米结构,并具有典型的n型半导体的特征,具有高的光电活性,可在太阳能电池、光分解水制氢等方面具有应用前景。
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公开(公告)号:CN101158028A
公开(公告)日:2008-04-09
申请号:CN200710046910.3
申请日:2007-10-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属透明导电薄膜技术领域,具体为一种多晶掺钼氧化锌透明导电薄膜的制备方法。其步骤为:以锌钼金属镶嵌靶为靶材,以普通玻璃为基板,基板温度为100-300℃,通过反应直流磁控溅射法,使Ar离子束轰击靶材,将靶材溅射,溅射电流150-300mA,溅射电压100-400V,反应室内的工作压强为0.45-2.5Pa,O2反应气体的分压百分含量P(O2)=Po2/(Po2+PAr)为4.0~10.0%,溅射时间40-100分钟。形成具有多晶结构的掺钼氧化锌透明导电薄膜。薄膜厚度为100-250nm。本发明制备的薄膜具有低电阻率和可见光范围高的光学透明性及高载流子迁移率的特性。本发明方法具有工业生产前景,工艺稳定性好,是一种制备ZMO透明导电氧化物薄膜保证薄膜所制器件优良性能的新方法。
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公开(公告)号:CN1267644A
公开(公告)日:2000-09-27
申请号:CN00115361.7
申请日:2000-04-11
Applicant: 复旦大学
IPC: C03C17/245 , C23C14/08 , C23C14/34
CPC classification number: C03C17/2456 , C03C2217/212 , C03C2218/156
Abstract: 本发明涉及一种具有自清洁功能的玻璃及其制备方法。它以普通玻璃为基板,其上由磁控溅射法镀有二氧化钛膜层。本自清洁玻璃具有良好的亲水性能和分解有机物的能力,因而具有很强的自清洁功能,使用寿命可长达10年以上。该玻璃可以广泛用作房屋建筑的门窗玻璃和汽车玻璃等。
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公开(公告)号:CN116797857A
公开(公告)日:2023-09-22
申请号:CN202310769395.0
申请日:2023-06-27
Applicant: 复旦大学附属中山医院
IPC: G06V10/77 , G06V10/54 , G06V10/52 , G06V10/762 , G06V10/24 , G06V10/26 , G06V10/30 , G06V10/36 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06V10/766 , G06V10/776
Abstract: 本发明公开了一种优化影像组学体素相关变异性的去除批次效应方法,其特征在于,对于不同体素的CT扫描数据利用ComBat优化方法进行优化以去除批次效应。本发明通过肺结节体模和临床数据进行不同体素相关的CT组学特征重复性及再现性研究,深入分析体素相关的肺结节CT组学特征变异性;使用重采样(升采样和降采样)和ComBat方法对CT组学特征进行优化,并于优化前后进行对比分析;最后使用临床实际数据进行验证。
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公开(公告)号:CN105255486A
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201510715029.2
申请日:2015-10-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于光致发光和太阳能电池技术领域,具体为一种Er、Yb共掺杂Al2O3/Ag双层上转换发光薄膜及其制备方法。本发明在石英或硅基片上制备双层薄膜,底层为Er/Yb共掺杂Al2O3薄膜,采用射频溅射技术沉积,溅射靶材为镶嵌金属Er片和Yb片的Al2O3陶瓷靶,通过控制Er片和Yb片在溅射区的面积和溅射功率来控制Er、Yb掺杂量;顶层为不连续的Ag金属膜,采用直流磁控溅射技术沉积,靶材为Ag靶,通过控制Ag的溅射功率和时间可获得不同表面形貌的Ag膜。本发明制备的双层薄膜结构与Er、Yb掺杂Al2O3单层薄膜结构相比,具有明显增强的上转换发光性能。本发明方法工艺稳定性好,可重复性高,具有工业生产前景。
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公开(公告)号:CN103394376B
公开(公告)日:2015-04-22
申请号:CN201310271709.0
申请日:2013-07-01
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于光催化薄膜技术领域,具体为一种钼碳共掺二氧化钛光催化薄膜的制备方法。本发明采用射频磁控溅射技术,使用三靶共溅的溅射仪器,三个溅射靶分别为碳化钛陶瓷靶、嵌钼二氧化钛陶瓷靶以及纯二氧化钛陶瓷靶;基板采用玻璃或金属板,溅射时以Ar离子轰击靶材,通过调节各靶的溅射功率来实时调控薄膜的钼、碳和钛的原子浓度比,以获得优良的光催化和光电转换性能。
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公开(公告)号:CN1886030A
公开(公告)日:2006-12-27
申请号:CN200610028674.8
申请日:2006-07-06
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域,具体涉及一种印刷电路板布线工艺。该工艺利用表面具有光催化活性的纳米二氧化钛,以聚酰亚胺(PI)或聚酯(PET)薄膜为基板,通过掩膜选择性还原被紫外光照射部位的金属离子,形成微细金属线路,化学镀铜后得到微细电子线路。该工艺所需设备简单,制得的微细线路完全达到电子线路的要求。
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公开(公告)号:CN112675922A
公开(公告)日:2021-04-20
申请号:CN202011458524.7
申请日:2020-12-10
Applicant: 复旦大学
IPC: B01J35/06 , B01J31/22 , B01J21/06 , B01J31/38 , B01J37/34 , B01J23/28 , C02F1/30 , C02F101/30 , C02F101/34 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 本发明属于光催化薄膜技术领域,具体为三层结构的TiO2光催化薄膜及其制备方法。本发明的光催化薄膜中,底层为掺Mo的TiO2薄膜,中间层为甲胺铅碘钙钛矿薄膜,顶层为掺Mo的TiO2薄膜;其中底层与顶层的掺Mo浓度相同或不同。本发明采用全真空环境下的气相沉积技术,利用磁控溅射与真空蒸发方法制备三层结构的TiO2光催化薄膜。本发明将甲胺铅碘钙钛矿型窄带隙材料引入到掺Mo的TiO2薄膜作为中间层,在可见光下可产生大量电子‑空穴对;并利用多层薄膜层与层间的费米能级差在薄膜内植入多个可调制的内建电场,有效地提高载流子的迁移率。由此得到具有高效光吸收性和光催化活性的多层TiO2薄膜,具有很好的实用价值。
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公开(公告)号:CN105255486B
公开(公告)日:2018-06-26
申请号:CN201510715029.2
申请日:2015-10-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于光致发光和太阳能电池技术领域,具体为一种Er、Yb共掺杂Al2O3/Ag双层上转换发光薄膜及其制备方法。本发明在石英或硅基片上制备双层薄膜,底层为Er/Yb共掺杂Al2O3薄膜,采用射频溅射技术沉积,溅射靶材为镶嵌金属Er片和Yb片的Al2O3陶瓷靶,通过控制Er片和Yb片在溅射区的面积和溅射功率来控制Er、Yb掺杂量;顶层为不连续的Ag金属膜,采用直流磁控溅射技术沉积,靶材为Ag靶,通过控制Ag的溅射功率和时间可获得不同表面形貌的Ag膜。本发明制备的双层薄膜结构与Er、Yb掺杂Al2O3单层薄膜结构相比,具有明显增强的上转换发光性能。本发明方法工艺稳定性好,可重复性高,具有工业生产前景。
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