公开(公告)号：CN1936082A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610030924.1

申请日：2006-09-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 崔晓莉 ,  陆俊 ,  顾海杰 ,  陈鹏 ,  沈杰

IPC: C25B1/00 ,  C25D11/02 ,  B01J21/06 ,  B01J35/02 ,  B01J37/00

CPC classification number: Y02E60/368

Abstract: 本发明属于化工技术领域，具体涉及一种具有光电活性的碳掺杂纳米二氧化钛薄膜的制备方法。该方法以碳化钛为原料，经过阳极氧化制备得碳掺杂纳米二氧化钛薄膜，其中输入电压为10～20V，氧化时间为1～3小时，在通电过程中，表面的碳化钛被氧化形成含C的TiO2薄膜。本发明方法制备的含C的TiO2薄膜具有多孔的纳米结构，并具有典型的n型半导体的特征，具有高的光电活性，可在太阳能电池、光分解水制氢等方面具有应用前景。

公开(公告)号：CN100532651C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200610030924.1

申请日：2006-09-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 崔晓莉 ,  陆俊 ,  顾海杰 ,  陈鹏 ,  沈杰

IPC: C25B1/00 ,  C25D11/02 ,  B01J21/06 ,  B01J35/02 ,  B01J37/00

CPC classification number: Y02E60/368

Abstract: 本发明属于化工技术领域，具体涉及一种具有光电活性的碳掺杂纳米二氧化钛薄膜的制备方法。该方法以碳化钛为原料，经过阳极氧化制备得碳掺杂纳米二氧化钛薄膜，其中输入电压为10～20V，氧化时间为1～3小时，在通电过程中，表面的碳化钛被氧化形成含C的TiO2薄膜。本发明方法制备的含C的TiO2薄膜具有多孔的纳米结构，并具有典型的n型半导体的特征，具有高的光电活性，可在太阳能电池、光分解水制氢等方面具有应用前景。