公开(公告)号：CN100373582C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200510028246.0

申请日：2005-07-28

Applicant: 复旦大学 ,  硅存储技术公司

Inventor： 吕杭炳 ,  林殷茵 ,  汤庭鳌 ,  陈邦明

IPC: H01L21/70 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种能够减小写操作电流的纳米相变存储器单元的制备方法。它以自组织或控制工艺流程形成多孔介质，并以此为基础构建纳米相变存储器单元，达到热限制、电限制，同时减小电极接触面积的目的。利用本发明制备的相变存储器，写操作电流小，热量利用率高，功耗小，响应速度快，可提高器件性能。

公开(公告)号：CN101101960A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710043707.0

申请日：2007-07-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  尹明 ,  唐立 ,  吕杭炳

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种可降低复位操作电流的电阻存储器。该电阻存储器在金属氧化物电阻存储薄膜和电极之间，或者两层存储介质之间插入一介质薄膜，该介质薄膜的电阻率在10欧·cm以上，通过所插入介质薄膜产生的热量对电阻存储薄膜加热，从而降低复位操作电流。

公开(公告)号：CN101989644A

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200910055813.X

申请日：2009-07-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  万海军 ,  周鹏 ,  吕杭炳

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明提供一种提高电阻随机存储器数据保持能力的方法，属于半导体存储器技术领域。该方法通过在所述电阻随机存储器的电极和金属氧化物存储介质层之间插入介质薄膜层，使电阻随机存储器的数据保持能力大大提高。

公开(公告)号：CN101226988A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200810032765.8

申请日：2008-01-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  吕杭炳

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种减小CuxO电阻存储器写操作电流的方法。在生长CuxO存储介质前，沉积一薄层Ta或Al层(0.5nm～20nm)于Cu基体之上，然后进行等离子体氧化或热氧化，形成TaO/CuxO或AlO/CuxO复合结构，其中CuxO充当存储介质，TaO或AlO层等效于串联电阻，可以提高存储器低阻态阻值，降低写操作电流。在Cu基体上覆盖Ta或Al薄层后，在氧化过程中会阻挡过量氧等离子体或氧气与铜接触，避免不具有存储特性的CuO生成。另外，在CuxO层上覆盖一惰性介质层，可扩大上电极材料的选择范围，消除活泼电极材料跟CuxO材料的反应，提高器件稳定性。本发明工艺简便，成本低，可显著提高CuxO性能。

公开(公告)号：CN101159309A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710047973.0

申请日：2007-11-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  尹明 ,  唐立 ,  吕杭炳

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种低功耗电阻存储器的实现方法。具体是在属氧化物电阻存储薄膜和导电电极之间插入一层二元金属氧化物或者二元金属氮化物介质薄膜，从而降低电阻存储器的复位操作或读操作的电流，实现电阻存储器的功耗降低。所插入的金属氧化物介质层具有容易制作形成、工艺兼容性强的优点。

公开(公告)号：CN101145598A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710045405.7

申请日：2007-08-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吕杭炳 ,  尹明 ,  唐立

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种改善CuxO电阻存储器疲劳特性的方法。采用等离子体的物理轰击作用，去除表面CuO层，或增加其导电性，从而降低第一次写操作电流、电压，保护表层CuO下面的具有电阻转换特性的CuxO存储介质免受大电流破坏，提高器件的疲劳特性。

公开(公告)号：CN1744295A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200510028246.0

申请日：2005-07-28

Applicant: 复旦大学 ,  硅存储技术公司

Inventor： 吕杭炳 ,  林殷茵 ,  汤庭鳌 ,  陈邦明

IPC: H01L21/70 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种能够减小写操作电流的纳米相变存储器单元的制备方法。它以自组织或控制工艺流程形成多孔介质，并以此为基础构建纳米相变存储器单元，达到热限制、电限制，同时减小电极接触面积的目的。利用本发明制备的相变存储器，写操作电流小，热量利用率高，功耗小，响应速度快，可提高器件性能。

公开(公告)号：CN101826595B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN200910046977.6

申请日：2009-03-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  周鹏 ,  吕杭炳

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，涉及金属氧化物不挥发存储器技术，具体涉及一种WOx基电阻型存储器及其制备方法，该WOx基电阻型存储器包括上电极、钨下电极、以及设置在上电极和钨下电极之间的WOx基存储介质，所述WOx基存储介质是通过对覆盖在钨下电极上的WSi化合物层氧化处理形成，其中，1＜x≤3。该发明提供的电阻型存储器能提高工艺可控性和器件可靠性，同时具有相对低功耗、数据保持特性好的特点。

公开(公告)号：CN101110393B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200710043460.2

申请日：2007-07-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  唐立 ,  吕杭炳 ,  尹明 ,  傅秀峰

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器制备与铜互连工艺集成的方法。其步骤为：以CuxO存储介质上方形成的铜化合物介质层作为掩膜，或者以CuxO存储介质本身作为掩膜，刻蚀去除不需要形成存储介质的铜上的盖帽层。CuxO存储介质上方形成的铜化合物介质层是一种能够与盖帽层进行选择性刻蚀介质层，它可以为CuO、CuxN或CuON。这里，1

公开(公告)号：CN101159284B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200710045938.5

申请日：2007-09-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吕杭炳 ,  唐立 ,  尹明 ,  宋雅丽 ,  陈邦明

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体提供了一种以自对准形成上电极的WOx电阻存储器及制造方法。所述的存储器包括：下电极为铝互连工艺中层间钨栓塞，在钨栓塞上方形成的牺牲介质层和在牺牲介质层中形成的孔洞，位于孔洞中的钨栓塞氧化形成的WOx存储介质，以自对准方式形成金属上电极于所述的WOx存储介质之上和所述的牺牲介质层孔洞之中。在制作所述的电阻存储器时，以自对准形成的金属上电极层，无需为制作上电极图形增加掩膜和光刻步骤，减少工艺复杂度，可提高存储性能的可靠性和降低工艺成本。