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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1154164C
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN99812156.8
申请日：1999-09-21
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
Inventor： 科吉·阿里塔 , 林慎一郎 , 约瑟夫·D·库奇阿罗 , 卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02197 , H01L21/022 , H01L21/02205 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/10852
Abstract: 一种液态前体，用于在集成电路中形成铁电金属氧化物薄膜(313)，其中包含超过了化学计量平衡量的金属氧化物。当前体包括用于形成锶、铋、钽、铌酸盐的锶、铋、钽和铌时，这个前体包含过量的钽和铌中的至少一种。电容器包含分层超晶格材料的薄膜(313)，此超晶格材料由包含了过量的钽和铌的前体制造，因此在75℃下经过1010个负极化转换脉冲之后，以及在125℃下经过109个负极化转换脉冲之后，电容器表现出优良的极化率和低百分率印记。
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公开(公告)号：CN1338113A
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：CN99816432.1
申请日：1999-10-15
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
Inventor： 林慎一郎 , 大槻建男 , 卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L28/56 , H01L21/31691
Abstract: 一种铁电装置(100、200)包括一个铁电层(112)和一个电极(116、110)。铁电材料是由一种钙钛矿或一种分层超晶格材料组成。在所述铁电层与所述电极之间沉积一种超晶格发生器金属氧化物作为覆盖层(114、204)以提高铁电层的剩余极化容量。
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公开(公告)号：CN1398426A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN99816011.3
申请日：1999-12-14
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
Inventor： 林慎一郎 , 拉里·D·麦克米伦 , 卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约
IPC: H01L21/316 , B05D1/34
CPC classification number: C23C18/1216 , C23C18/1291 , C23C18/14 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/31691
Abstract: 混合多种液体，每个液体的流量由体积流量控制器(515，535)控制，以形成最终的前体，最终的前体被雾化后淀积在基片上。通过调整体积流量控制器(515，535)来调整液态前体的物理特性，以使在前体被涂敷到基片并被处理时，最终的固体材料薄膜(30，50，236，489，492)具有平滑且平坦的表面(31，51，235，488，493)。通常情况下，该物理特性是前体的粘度，它被选择得相当低，在1－2厘泊范围内。
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公开(公告)号：CN1329750A
公开(公告)日：2002-01-02
申请号：CN99812156.8
申请日：1999-09-21
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电子工业株式会社
Inventor： 科吉·阿里塔 , 林慎一郎 , 约瑟夫·D·库奇阿罗 , 卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02197 , H01L21/022 , H01L21/02205 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/10852
Abstract: 一种液态前体,用于在集成电路中形成铁电金属氧化物薄膜(313),其中包含超过了化学计量平衡量的金属氧化物。当前体包括用于形成锶、铋、钽、铌酸盐的锶、铋、钽和铌时,这个前体包含过量的钽和铌中的至少一种。电容器包含分层超晶格材料的薄膜(313),此超晶格材料由包含了过量的钽和铌的前体制造,因此在75℃下经过10
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公开(公告)号：CN1231063A
公开(公告)日：1999-10-06
申请号：CN97197971.5
申请日：1997-08-18
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电子工业株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C18/12
CPC classification number: H01L21/31691 , C23C18/1216 , C23C18/1225
Abstract: 制备一种溶于二甲苯/甲基乙基酮溶剂中的包含几种2－乙基己酸金属,例如2－乙基己酸锶、钽和铋的原液,在一个真空淀积室(2)内放置一个基底(5,858),在原液中添加少量六甲基乙硅氮烷,并予以雾化,以及使云雾流进淀积室内以在基底上淀积一层原液。对该原液进行干燥、焙烤和退火,以在基底上形成一个分层超晶格材料,例如钽酸锶铋的薄膜(506,860)。然后使分层超晶格材料薄膜的至少一部分含在集成电路的一个元件(604,872)中,从而完成一个集成电路(600,850)。
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