公开(公告)号：CN102253245A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110073723.0

申请日：2007-03-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·M·科昂 ,  H·F·哈曼

IPC: G01Q70/16 ,  B82Y15/00 ,  G01Q60/22 ,  G01Q60/38

CPC classification number: G01Q70/12 ,  G01Q60/22

Abstract: 公开了一种扫描探针，其中通过从尖端的顶部部分生长外延纳米线来延伸微加工的锥体尖端。金属的颗粒例如金，可以终止所述纳米线以实现无孔径近场光学显微探针。

公开(公告)号：CN100541741C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200710086007.X

申请日：2007-03-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： F·帕基特 ,  A·W·托波尔 ,  D·C·阿尔格伦 ,  G·M·科昂 ,  C·拉沃耶

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/1004 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66287 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7378

Abstract: 一种系统及方法包括在集电极上形成内基极。所述系统和方法还包括通过在预定温度下和预定时间量内的自限制硅化工艺在所述内基极上形成全硅化外基极，所述硅化基本上停止于所述内基极处。所述系统和方法还包括形成与所述外基极和所述集电极物理隔离而与所述内基极物理接触的发射极。

公开(公告)号：CN101145573A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710147732.3

申请日：2007-08-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·M·科昂 ,  赵泽安 ,  J·A·奥特 ,  M·J·鲁克斯 ,  P·M·所罗门

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/458 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，具体而言，公开了一种具有纳米线形成的FET沟道和通过从纳米线体径向外延形成的掺杂的源极和漏极区域的FET结构。讨论了顶选通和底选通的纳米线FET结构。所述源极和漏极制造可以使用选择性或者非选择性外延。

公开(公告)号：CN101038877A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710086007.X

申请日：2007-03-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： F·帕基特 ,  A·W·托波尔 ,  D·C·阿尔格伦 ,  G·M·科昂 ,  C·拉沃耶

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/1004 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66287 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7378

Abstract: 一种系统及方法包括在集电极上形成内基极。所述系统和方法还包括通过在预定温度下和预定时间量内的自限制硅化工艺在所述内基极上形成全硅化外基极，所述硅化基本上停止于所述内基极处。所述系统和方法还包括形成与所述外基极和所述集电极物理隔离而与所述内基极物理接触的发射极。

公开(公告)号：CN1510756A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310121549.8

申请日：2003-12-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·K·钱 ,  G·M·科昂 ,  M·莱昂 ,  R·A·罗伊 ,  P·M·所罗门 ,  杨敏

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/26533 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/78648

Abstract: 一种双栅极场效应晶体管(DGFET)结构及其这种结构的形成方法，其中源/漏区下的寄生电容显著减少。本发明引入了两个新措施，以减小源/漏区下的寄生电容。首先，将栅极外的硅区转变成氧化物，用具有第一横向厚度的第一间隔层保护了与栅极相邻的硅凸缘。使用自对准的氧注入或其它粒种注入促进氧化。其次，除去第一间隔层，用横向厚度小于第一间隔层的横向厚度的第二间隔层代替，通过使用横向选择性外延过生长并使用现在露出的硅凸缘作为籽晶在自对准的隔离区上生长新的硅源/漏区。这样可以获得到背平面的低电容，同时可以保持控制阈值电压。