公开(公告)号：CN116635937A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180081316.6

申请日：2021-11-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 玉仁祚 ,  鲍如强 ,  A·H·西蒙 ,  K·布里 ,  N·索尔尼尔 ,  I·R·萨拉夫 ,  M·桑卡拉潘迪恩 ,  S·麦合塔

IPC: G11C11/56

Abstract: 一种半导体结构(100)，包括：由电介质层(114)包围的加热器(116)；在加热器(116)的顶部部分上的投射衬垫(124)；在投射衬垫(124)上方的相变材料层(126)；以及包围相变材料层(126)的顶部的顶部电极触点(136)。投射衬垫可覆盖加热器(116)的顶表面。投射衬垫(124)可以将相变材料层(126)与第二电介质层和加热器(116)分隔开。投射衬垫(124)可以在相变材料层(126)的结晶相(126a)和无定形相(126b)中提供平行的传导路径。顶部电极触点(136)可以通过金属衬垫(134)与相变材料层(126)分隔开。半导体结构(100)可包括在加热器(116)下方并与加热器(116)电接触的底部电极(110)和在相变材料层(126)上方并与相变材料层(126)电接触的顶部电极(128)。

公开(公告)号：CN116529823A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180076346.8

申请日：2021-10-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·W·布里 ,  玉仁祚 ,  韩金萍 ,  T·M·菲利普 ,  M·J·布莱特斯基 ,  N·索尔尼尔

IPC: G11C13/00

Abstract: 一种相变存储器(PCM)单元，包括：第一电极，包括第一导电材料；第二电极，包括第二导电材料；第一相变层，位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括第一相变材料；以及第二相变层，位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括第二相变材料。第一相变材料具有第一电阻率，第二相变材料具有第二电阻率，并且其中第一电阻率是第二电阻率的至少两倍。

公开(公告)号：CN116529819A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180078881.7

申请日：2021-10-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 金永硕 ,  李忠贤 ,  T·M·菲利普 ,  徐顺天 ,  玉仁祚 ,  A·雷茨尼采克

IPC: G11C11/00

Abstract: 呈现垂直电阻式存储器阵列。所述阵列包括柱电极和围绕所述柱电极的所述侧周界的开关衬垫。该阵列包括连接到开关衬垫的第一侧的两个或更多个垂直堆叠的单池(SC)电极。开关衬垫、柱电极和每一个SC电极的并置形成相应电阻开关单元(例如，OxRRAM单元)。这些单元的垂直组或组可并联连接并且各自共享相同的柱电极。垂直单元组中的单元可以作为组写入或读取，以限制组内的任何一个或多个单独单元的不一致CF形成的影响。

公开(公告)号：CN106024884B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201610162011.9

申请日：2016-03-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 范淑贞 ,  S·K·卡纳卡萨巴帕西 ,  玉仁祚 ,  山下典洪

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/118 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及替换金属栅极CMOS器件上的稳定的多阈值电压器件。提供了一种用于多电压阈值晶体管结构的技术。在鳍上形成窄沟道和长沟道。在鳍上形成外延层，并且在外延层上形成层间电介质层。鳍上的间隔物限定窄沟道和长沟道。在窄沟道和长沟道中沉积高k电介质材料。在窄沟道和长沟道中的高k电介质材料上沉积金属层。使窄沟道中的高k电介质材料的高度凹陷。从窄沟道和长沟道去除金属层。在窄沟道和长沟道中沉积功函数金属。沉积栅极传导金属以填充窄沟道和长沟道。在结构的顶表面上沉积帽层。