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公开(公告)号：CN106653577A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710048551.9
申请日：2017-01-23
Applicant: 哈尔滨理工大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02628 , H01L31/1836
Abstract: 一种电沉积制备n型半导体ZnO薄膜的方法，它涉及一种制备n型半导体ZnO薄膜的方法。本发明要解决现有方法制备透光性n型半导体ZnO薄膜对光的透过率低、工艺复杂等问题。本发明的方法如下：一、导电玻璃的前处理；二、电沉积制备n型半导体ZnO薄膜；三、ZnO薄膜的热处理。本发明的方法制备的n型半导体ZnO薄膜对光的透过率达到了80%，而且大大节省了生产成本，简化了生产工艺，还具有沉积速度快，操作安全等特征，非常适合大规模制备n型半导体ZnO薄膜。
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公开(公告)号：CN105489932A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510899142.0
申请日：2015-12-09
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01M10/0564 , H01M10/0525 , H01M10/058
CPC classification number: H01M10/0564 , H01M10/0525 , H01M10/058
Abstract: 紫外交联法制备锂离子电池聚合物电解质薄膜的方法，它涉及一种薄膜制备的方法。本发明的目的是为了解决现有锂离子电池中液体电解质易泄露，有安全隐患，全固态电解质薄膜又存在电导率低的问题。本发明的方法如下：一、将BPO和EDMA干燥处理。二、称取甲基丙烯酸甲酯（MMA）单体、引发剂，混合搅拌。三、称取聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、离子液体、交联剂、锂盐，恒温加热，混合搅拌。四、将步骤二和步骤三得到的溶液混合，加入溶剂搅拌。五、将混合溶液浇铸成膜，紫外固化灯照射成膜，即完成。本发明制得的电解质膜有良好的离子导电性、电化学、热力学稳定性以及较高的机械性能，有利于提高锂离子电池的安全性能。
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公开(公告)号：CN102839375B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201210369197.7
申请日：2012-09-28
Applicant: 哈尔滨理工大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 制备CIS柔性薄膜太阳能电池的光吸收层的方法，涉及一种制备CIS柔性薄膜太阳能电池的光吸收层的方法。为了解决目前在聚酰亚胺表面化学镀镍的工艺不成熟，镀层结合强度不好，覆盖度差且采用钯活化造价高的问题。它包括：对聚酰亚胺薄膜除油；将除油后的聚酰亚胺薄膜粗化；将粗化后聚酰亚胺薄膜放入活化液中进行活化浸渍；然后再进行活化热处理；重复进行一次活化浸渍和活化热处理；将活化热处理后的聚酰亚胺薄膜还原；再将聚酰亚胺薄膜放入化学镀液中施镀；再采用电沉积法在聚酰亚胺薄膜表面沉积CuInSe2，沉积后的聚酰亚胺薄膜为CIS柔性薄膜太阳能电池的光吸收层。用于制备CIS柔性薄膜太阳能电池的光吸收层。
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公开(公告)号：CN103531663A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310515757.X
申请日：2013-10-28
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1876 , H01L21/02568 , H01L21/02628
Abstract: CuInS2薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，它涉及太阳能电池吸收层的制备方法。本发明要解决目前制备CuInS2薄膜太阳能电池吸收层成本高，不能制备大面积的薄膜，且原材料的利用率不高的问题。本发明的方法如下：一，对基底进行清洗；二、取10mmol·L-1的CuSO4，7.5mmol·L-1的In2(SO4)3，60mmol·L-1的Na2S2O3和8.5mmol·L-1的C6H5O7Na3配制成电解液，对基底进行电沉积；三、对基底进行热处理。本发明采用电化学沉积法制备出产业化的非真空、低成本CIS2薄膜。本发明应用于太阳能电池领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119240658A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411305133.X
申请日：2024-09-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C01B32/05 , H01M4/62 , H01M10/052 , C08G83/00 , B22F9/30
Abstract: 一种用于锂硫电池的硼酸刻蚀的花状双金属负载多孔碳材料的制备方法，它涉及一种锂硫电池正极材料的制备方法。本发明要解决锂硫电池中硫正极氧化还原反应速率缓慢和穿梭效应的问题。本发明的方法如下：一、镍钴双金属有机框架化合物(NiCo‑ZIF8)的制备；二、镍钴双原子固定在氮掺杂多孔碳(NiCo/NPC)的制备；三、镍钴双原子基复合正极材料(S/NiCo/NPC)的制备。本发明以六水合硝酸钴和六水合硝酸镍为金属盐，2‑甲基咪唑为有机配体，硼酸为成孔剂，通过一步热解法制备成镍钴掺杂的花状多孔碳有效解决了锂硫电池中硫正极氧化还原速率慢、正极体积膨胀和穿梭效应的问题。同时提出了操纵自旋离域电子效应代表了一种促进锂硫系统双向催化的新策略。本发明所采用的原材料丰富且成本低廉，其制备工艺简便易行，因而具备极大的商业化应用潜力。
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公开(公告)号：CN112838277B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202110007264.X
申请日：2021-01-05
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01M10/42 , H01M10/0565 , H01M10/058 , H01M10/0525
Abstract: 一种用于聚合物电解质表面改性的混合导电层的制备方法，它涉及一种聚合物电解质表面改性的方法。本发明主要解决聚合物电解质‑锂电极界面相容性差的问题。本发明的方法如下：一、配制离子导体前驱液；二、配置离子‑电子混合导电层前驱液；三、制备混合导电层改性的聚合物电解质。本发明方法制备的用于聚合物电解质表面改性的混合导电层可使磷酸铁锂半电池的放电比容量提升52%，对称电池的极化电压下降50%，而且所用原料价格低廉，来源广泛，具备商业化前景。本发明应用于锂离子电池领域。
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公开(公告)号：CN116053620A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310093010.3
申请日：2023-02-09
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01M10/42 , H01M10/058 , H01M10/052 , H01M4/04 , H01M10/0565
Abstract: 一种对锂硫电池聚合物电解质的双重界面修饰的方法，它涉及一种提高锂硫电池性能的聚合物电解质正极和负极侧界面改性的制备方法。本发明主要解决电极与电解质间的不均匀的固‑固接触和在循环过程中界面间严重的副反应的问题。本发明的方法如下：一、超薄碳片材料的制备；二、单侧涂层聚合物电解质的制备；三、双侧涂层聚合物电解质的制备；四、固态锂硫电池的组装。本发明中使用具有双重界面修饰的聚合物电解质组装的锂硫电池在室温下获得了优异的电化学性能，符合实际生产应用。本发明应用于锂硫电池领域。
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公开(公告)号：CN115472755A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211178304.8
申请日：2022-09-26
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种以镍掺杂氧化亚铜为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法，它涉及一种无电子传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法。本发明主要解决现有空穴材料成本过高以及叠层复杂的问题。本发明的方法如下：一、掺氟二氧化锡导电玻璃的清洗处理；二、在步骤一上制备钙钛矿薄膜；三、镍掺杂氧化亚铜的制备；四、在步骤二钙钛矿薄膜表面制备镍掺杂氧化亚铜薄膜作为空穴传输层；五、在步骤四镍掺杂氧化亚铜薄膜表面制备银电极层。本发明的方法制备的钙钛矿太阳能电池通过镍掺杂氧化亚铜薄膜和钙钛矿薄膜的结合配伍，省去电子传输层，尽可能最大的减少钙钛矿太阳能电池的制备成本。本发明应用于太阳能电池领域。
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公开(公告)号：CN113161552B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110451416.5
申请日：2021-04-26
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01M4/62 , H01M4/38 , H01M10/052 , H01M10/058 , H01M10/04
Abstract: 一种双刻蚀制备锂硫电池正极材料S/CeO2/断崖式形貌MXene的方法，它涉及一种双刻蚀制备锂硫电池正极材料S/CeO2/断崖式形貌MXene的方法。本发明要解决现有方法制备锂硫电池正极材料结构粉化崩塌有穿梭效应，寿命短。本发明的方法如下：一、酸刻蚀MXene；二、碱刻蚀MXene制备CeO2/断崖式形貌MXene基体材料；三、CeO2/断崖式形貌MXene基体材料热处理；四、制备锂硫电池正极材料S/CeO2/断崖式形貌MXene；五、电池组装。本发明的方法制备的双刻蚀锂硫电池正极材料S/CeO2/断崖式形貌MXene组装锂硫电池循环寿命长稳定性好可大规生产。本发明应用于锂硫电池领域。
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