公开(公告)号：CN102877101A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210379774.0

申请日：2012-10-09

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 李丽波 ,  王文涛 ,  陈高汝 ,  刘波

IPC: C25D9/08 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 以CuInSe2薄膜为基体电沉积制备太阳能电池缓冲层ZnS薄膜的方法，它涉及一种制备太阳能电池缓冲层ZnS薄膜的方法。本发明要解决现有方法制备太阳能电池缓冲层ZnS薄膜透过率低的问题。本发明的方法如下：一、对导电玻璃进行前处理；二、采用两电极体系恒压电沉积制备CuInSe2薄膜；三、对CuInSe2薄膜进行热处理；四、采用两电极体系恒压电沉积制备ZnS薄膜；五、对ZnS薄膜进行热处理。本发明的方法制备的太阳能电池缓冲层ZnS薄膜透过率达到了80%~90%，而且大大节省了生产成本，还具有沉积速率快、操作简单、安全等特征，非常适合大规模制备ZnS薄膜。本发明应用于太阳能电池领域。

公开(公告)号：CN106653577B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201710048551.9

申请日：2017-01-23

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 李丽波 ,  王福日 ,  杨雪莹 ,  王文涛

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种电沉积制备n型半导体ZnO薄膜的方法，它涉及一种制备n型半导体ZnO薄膜的方法。本发明要解决现有方法制备透光性n型半导体ZnO薄膜对光的透过率低、工艺复杂等问题。本发明的方法如下：一、导电玻璃的前处理；二、电沉积制备n型半导体ZnO薄膜；三、ZnO薄膜的热处理。本发明的方法制备的n型半导体ZnO薄膜对光的透过率达到了80%，而且大大节省了生产成本，简化了生产工艺，还具有沉积速度快，操作安全等特征，非常适合大规模制备n型半导体ZnO薄膜。

公开(公告)号：CN106653577A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201710048551.9

申请日：2017-01-23

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 李丽波 ,  王福日 ,  杨雪莹 ,  王文涛

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/1836

Abstract: 一种电沉积制备n型半导体ZnO薄膜的方法，它涉及一种制备n型半导体ZnO薄膜的方法。本发明要解决现有方法制备透光性n型半导体ZnO薄膜对光的透过率低、工艺复杂等问题。本发明的方法如下：一、导电玻璃的前处理；二、电沉积制备n型半导体ZnO薄膜；三、ZnO薄膜的热处理。本发明的方法制备的n型半导体ZnO薄膜对光的透过率达到了80%，而且大大节省了生产成本，简化了生产工艺，还具有沉积速度快，操作安全等特征，非常适合大规模制备n型半导体ZnO薄膜。

公开(公告)号：CN102877101B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201210379774.0

申请日：2012-10-09

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 李丽波 ,  王文涛 ,  陈高汝 ,  刘波

IPC: C25D9/08 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 以CuInSe2薄膜为基体电沉积制备太阳能电池缓冲层ZnS薄膜的方法，它涉及一种制备太阳能电池缓冲层ZnS薄膜的方法。本发明要解决现有方法制备太阳能电池缓冲层ZnS薄膜透过率低的问题。本发明的方法如下：一、对导电玻璃进行前处理；二、采用两电极体系恒压电沉积制备CuInSe2薄膜；三、对CuInSe2薄膜进行热处理；四、采用两电极体系恒压电沉积制备ZnS薄膜；五、对ZnS薄膜进行热处理。本发明的方法制备的太阳能电池缓冲层ZnS薄膜透过率达到了80%~90%，而且大大节省了生产成本，还具有沉积速率快、操作简单、安全等特征，非常适合大规模制备ZnS薄膜。本发明应用于太阳能电池领域。